【技术实现步骤摘要】
本专利技术一般地涉及等离子体反应装置，更具体而言，本专利技术涉及具有 均匀温度分布的冷却/加热晶片支撑的电容耦合等离子体反应装置。龍絲在电容耦合等离子体反应装置中，对离解的控制已经利用宽广的阻抗 匹配空间在非常高的RF源功率和非常宽的室压强范围内实现。这种宽的 工作范围至少可部分归因于通过具有以下特征的固定阻抗匹配短截线与 RF功率源相匹配的头部电极的独特特征。首先，电极电容与在等离子体-电极谐振频率处的等离子体电抗相匹配。短截线谐振频率、等离子体-电极 谐振频率和源频率在VHF频率处几乎匹配。通过多个特征获得了晶片上 的高度均匀的蚀刻速率。这些特征包括对静电吸盘调节偏置功率馈送点阻 抗以提供吸盘上径向均匀的RF阻抗等等，吸盘既充当RF偏置功率的施加 器，又充当来自头部电极的VHF源功率的RF返回路径。该调节是由具有 唯一选择的介电常数和长度的偏置馈送线周围的电介质套筒进行的。另一 个特征是用于使阴极周边对抗边缘效应的电介质环处理工具箱。可以进一 步提高处理或蚀刻速率分布均匀性的其他特征包括双区气体馈送、头部电 极的曲线化和等离子体转向磁场。包括许多这些关键...
【技术保护点】
一种用于处理工件的等离子体反应装置，包括： 反应室； 在所述室内的静电吸盘，所述静电吸盘包括具有用于支撑工具的顶表面的上绝缘圆盘层、下导电基底层以及沿轴向延伸穿过所述基底层到达所述圆盘层的圆柱形探测器孔； 所述静电吸盘中的 温度探测器，所述温度探测器包括上部探测器，所述上部探测器包括： 轴向延伸到所述探测器孔中的长的不透明绝缘圆柱形上部探测器壳体，所述探测器孔开始于所述上部探测器壳体的底端，并终止于所述上部探测器壳体的顶端，所述顶端位于所述顶层下方的所述 探测器孔的顶端，所述底端位于所述探测器孔的底部开口处； 在所述上部探测器壳体...
【技术特征摘要】
US 2005-10-20 60/729,3141.一种用于处理工件的等离子体反应装置，包括反应室；在所述室内的静电吸盘，所述静电吸盘包括具有用于支撑工具的顶表面的上绝缘圆盘层、下导电基底层以及沿轴向延伸穿过所述基底层到达所述圆盘层的圆柱形探测器孔；所述静电吸盘中的温度探测器，所述温度探测器包括上部探测器，所述上部探测器包括轴向延伸到所述探测器孔中的长的不透明绝缘圆柱形上部探测器壳体，所述探测器孔开始于所述上部探测器壳体的底端，并终止于所述上部探测器壳体的顶端，所述顶端位于所述顶层下方的所述探测器孔的顶端，所述底端位于所述探测器孔的底部开口处；在所述上部探测器壳体内的所述顶端处的光响应温度变换器；以及具有耦合到所述光响应温度变换器的顶端并且径向延伸穿过所述上部探测器壳体的光纤。2. 如权利要求1所述的反应装置，其中所述温度探测器还包括下部探 测器，所述下部探测器包括从面对并接触所述上部探测器壳体的所述底端的顶端轴向延伸的长圆 柱形下部探测器壳体；以及具有耦合到所述上部探测器的所述光纤的底端的顶端并且轴向延伸穿 过所述下部探测器壳体的光纤。3. 如权利要求11所述的反应装置，其中所述上部探测器壳体具有小 于所述反应装置中的等离子体的Debeye长度的直径。4. 如权利要求2所述的反应装置，其中所述温度探测器还包括 使所述上部探测器壳体向所述探测器孔的所述顶端偏置的上部螺旋弹簧；以及使所述下部探测器壳体向所述上部探测器壳体的底端偏置的下部螺旋弹簧，所述上部螺旋弹簧比所述下部螺旋弹簧具有更大的硬度。5. 如权利要求1所述的反应装置，还包括制冷环路，所述制冷环路包括用于所述静电吸盘的蒸发器，所述蒸发器具有制冷剂入口和制冷剂出□;压縮器，至少间接耦合到所述蒸发器的所述出口； 冷凝器，耦合到所述压縮器的出口；以及膨胀阀，耦合在所述冷凝器的出口和所述蒸发器的所述入口之间。6. 如权利要求5所述的反应装置，其中所述蒸发器位于所述静电吸盘 的所述下导电基底层内。7. 如权利要求6所述的反应装置，其中所述蒸发器包括分布在所述静 电吸盘的顶表面的下方平面中的弯曲通路。8. 如权利要求5所述的反应装置，还包括耦合在所述热交换器的所述 出口和所述压縮器的输入之间的累积器，用于保存从所述热交换器接收的 的液体形式的相变传热介质。9. 如权利要求5所述的反应装置，还包括管理所述膨胀阀的反馈环路控制处理器，其被耦合用来接收(a)所 述温度探测器的输出和(b)期望温度。10. 如权利要求9所...
【专利技术属性】
技术研发人员：丹尼尔J霍夫曼，保罗卢卡丝比瑞哈特，理查德弗威尔，哈密迪塔瓦索里，道格拉斯A小布什伯格，道格拉斯H伯恩斯，卡洛贝拉，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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