加热的喷头组件制造技术

本发明专利技术一般而言包含加热的喷头组件，其可用来供应处理气体至处理腔室。该处理腔室可以是蚀刻腔室。当该处理气体从该处理腔室排出时，均匀处理该衬底会有难度。将该处理气体抽离该衬底并朝向该真空泵推送时，衬底上的等离子体，在蚀刻的情况下可能会不均匀。不均匀的等离子体可造成不均匀蚀刻。为了避免不均匀蚀刻，可将该喷头组件分为两个区域，每一个区域均具有可独立控制的气体导入及温度控制。该第一区域对应该衬底的边缘，而该第二区域对应该衬底的中心。通过独立控制温度及通过该喷头区域的气流，可增加该衬底的蚀刻均匀性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的实施例一般涉及一种加热的喷头组件。
技术介绍
集成电路已演进成复杂组件，其可在单个芯片上包含数百万个部件(诸如，晶体 管、电容、电阻及诸如此类者)。芯片设计的演进持续要求更快的电路及更大的电路密度。 要求更大的电路密度需要缩减集成电路部件的尺寸。这种组件的特征结构的最小尺寸在 技术中通常称为关键尺寸。该关键尺寸一般包含该特征结构的最小宽度，例如导线、柱体 (column)、开口、导线间的间距及诸如此类者。随着这些关键尺寸缩小，衬底上的处理均勻性对于维持高产量而言变得最为重 要。集成电路制造中所使用的传统的等离子体蚀刻处理的一个问题是衬底上的蚀刻速度不 均勻，这可能是因为，在某种程度上，将该处理气体朝排气口抽送并远离该衬底的真空泵。 因为较容易从该腔室靠近该排气口的区域抽出气体(即该衬底的边缘)，该蚀刻气体遂被 朝该排气口推送并远离该衬底，因此在设置在其内的衬底上产生不均勻蚀刻。此不均勻性 可严重影响效能，并增加生产集成电路的成本。因此，在技术中需要一种用来在集成电路制造期间均勻蚀刻材料层的设备
技术实现思路
本专利技术一般而言包含加热的喷头组件，其可用来供应处理气体至处本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种喷头，其包含：喷头主体，其具有：环绕第二区域的第一区域，其中，所述第一区域具有：第一气室，设置在所述主体的一第一侧；一个或多个第二气室，设置在所述主体的第二侧；以及复数个第一孔，配置在复数个第一环状图案中，所述复数个第一孔从所述第一气室延伸至所述一或多个第二气室；并且所述第二区域具有：第三气室，设置在所述主体的第一侧；一个或多个第四气室，设置在所述主体的第二侧；以及复数个第二孔，配置在复数个第二环状图案中，所述复数个第二孔从所述第三气室延伸至所述一或多个第四气室。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2008-1-10 11/972,072一种喷头，其包含喷头主体，其具有环绕第二区域的第一区域，其中，所述第一区域具有第一气室，设置在所述主体的一第一侧；一个或多个第二气室，设置在所述主体的第二侧；以及复数个第一孔，配置在复数个第一环状图案中，所述复数个第一孔从所述第一气室延伸至所述一或多个第二气室；并且所述第二区域具有第三气室，设置在所述主体的第一侧；一个或多个第四气室，设置在所述主体的第二侧；以及复数个第二孔，配置在复数个第二环状图案中，所述复数个第二孔从所述第三气室延伸至所述一或多个第四气室。2.根据权利要求1所述的喷头，其中，所述喷头主体包含铝，并且其中，所述一或多个 第二气室配置在复数个第三环状图案中，所述复数个第三环状图案与所述复数个第一环状 图案相配，而所述一或多个第四气室配置成复数个第四环状图案，所述复数个第四环图案 与所述复数个第二环状图案相配。3.根据权利要求1所述的喷头，其中，所述第一区域包含封闭在其内的第一加热元件， 并且所述第二区域包含封闭在其内的第二加热元件。4.一种喷头组件，其包含第一气体扩散板，具有第一侧、第二侧以及两个或多个区域，每一个区域具有从所述第 一侧延伸通过所述第一气体扩散板至所述第二侧的复数个第一孔；以及第二气体扩散板，具有第三侧、第四侧以及从所述第三侧延伸通过所述第二气体扩散 板至所述第四侧的复数个第二孔，所述第二气体扩散板的第三侧与所述第一气体扩散板的 第二侧耦接，且第二孔的数量超过第一孔的数量。5.根据权利要求4所述的组件，其中，所述两个或多个区域的每一个区域皆具有一或 多个加热线圈。6.根据权利要求4所述的组件，其中，当从所述第一侧观看时所述第一孔配置在一或 多个第一环状图案中，并且其中，所述每一个区域具有复数个环状图案。7.根据权利要求4所述的组件，其中，当从所述第一侧观看时所述第一孔配置在一或 多个第一环状图案中，其中，所述第一区域环绕该第二区域，并且其中，所述第二区域比该 第一区域具有更多的环状图案。8.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：詹姆斯D卡达希，欧加莱格拉曼，卡洛贝拉，道格拉斯A布池贝尔格尔，保罗比瑞哈特，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]