具有成形轮廓的保持环制造技术

技术编号:4667788 阅读:304 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术公开一种具有弯曲或倒角表面的保持环。当保持环用于抛光处理时,弯曲表面可以避免对于固定磨蚀粒的抛光垫的损坏。弯曲或倒角表面位于环的底表面上,例如沿着外径与/或沿着形成在环的底部中的通道的侧壁。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体的化学机械抛光。
技术介绍
通常,集成电路是由在硅衬底上依次沉积导体层、半导体层或绝缘层来形成。制 造步骤涉及在非平坦表面沉积填料层,并且将填料层予以平坦化直到暴露出非平坦表面为 止。例如,导电填料层可以被沉积在图案化的绝缘层上,以填满绝缘层中的沟槽或孔。接着, 填料层被抛光,直到暴露出绝缘层的突起图案为止。在平坦化之后,导电层中保留在绝缘层 的突起图案之间的部分形成过孔、插塞与线,其在衬底上提供了薄膜电路之间的导电路径。 此外,平坦化需要用来将衬底表面予以平坦化,以用于光刻。 化学机械抛光(CMP)是一种可接受的平坦化方法。此平坦化方法一般需要将衬底 装设在CMP设备的承载头或抛光头上。衬底的暴露表面被抵靠旋转的抛光盘垫或毛毡垫。 抛光垫可以是标准垫或固定磨蚀粒的垫。标准垫具有耐久的粗糙表面,而固定磨蚀粒的垫 具有被保持在容纳介质中的磨蚀微粒。承载头在衬底上提供可控制的负载,以将衬底推靠 抛光垫。承载头具有保持环,保持环在抛光期间将衬底固定住。抛光液,例如具有多个磨蚀 粒的浆料,被供应到抛光垫的表面。
技术实现思路
在一实施例中,本专利技术公开一种用于化学机械抛本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于化学机械抛光的保持环,其包括:环状环,其具有底表面以用于在抛光期间接触抛光垫,其中所述底表面具有多个通道,每一个所述通道由多个侧壁所界定,位于至少一个所述侧壁与所述底表面之间的至少一个拐角具有第一弯曲半径,并且位于所述环状环的外径与所述底表面之间的拐角具有第二弯曲半径。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:高帕拉克里什那B普拉霍原茵俊宏欧格雷戈里E曼克
申请(专利权)人:应用材料公司
类型:发明
国别省市:US[美国]

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