用于快速热处理腔室的灯制造技术

本发明专利技术是揭露一种适用于一基板热处理腔室中以将基板加热至高达至少约1100℃的温度的灯组件。在一实施例中，灯组件包括：一灯泡，该灯泡包围住至少一光产生灯丝，且灯丝附接至一对导线；一灯座，是配置以容纳该对导线；以及一套筒，其壁厚度为至少约0.013英寸，且包括热传导系数大于约100W/(K-m)的一封装化合物(potting?compound)。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的实施例一般涉及一种半导体处理系统，特别是一种用于在半导体处理系统中预先加热(advanced heating)的灯。
技术介绍
快速热处理(RTP)系统是利用于半导体芯片制造中，用以在半导体基板或晶片上产生表面结构，或是化学改变或蚀刻该表面结构。RTP通常依赖一高强度白炽灯 (incandescent lamp)阵列，而灯是安装至灯头(Iamphead)中并导向基板或晶片。灯可经供电而快速地关闭及开启，并将大部分的光导向该基板。由此，晶片可被快速地加热而不会实质地加热腔室，并且一旦将电力自灯移除之后，晶片可以快速地冷却。RTP系统的一实例是描述于美国专利第5，155，336号中(其让与给本专利技术的受让人，并将其并入本文以做为参考)，该RTP系统包括一半导体处理腔室以及设置在半导体处理腔室上的加热源组件或灯头。数个卤素钨丝灯位于灯头中，且该些灯可以以约300°C / sec的速率将腔室中的基板加热至高达1200°C或更高的温度。在处理过程中，来自灯的红外线光是通过上方窗、光信道及下方窗而至处理腔室中的旋转半导体基板。以此方式，晶片可加热至所需的处理温度。如图1所示，现有本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种灯组件，包括：灯泡，包围至少一光产生灯丝，该灯丝附接至一对导线，该灯泡具有内表面及外表面；灯座，配置以容纳该对导线；以及铜或者铝套筒，围绕该灯座，并填充有封装化合物（ｐｏｔｔｉｎｇ　ｃｏｍｐｏｕｎｄ），该铜套筒的壁厚度为至少约０．０２０英寸，该灯组件适用于一基板处理腔室中，以将一基板加热至高达至少约１１００℃的温度。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：J·M·瑞尼西，K·索拉吉，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：US