具有流量均衡器与下内衬的蚀刻腔室制造技术

本发明专利技术揭示一种具有下流量均衡器（ｌｏｗｅｒｅｄ?ｆｌｏｗ?ｅｑｕａｌｉｚｅｒ）与下腔室内衬的等离子体处理腔室。在蚀刻处理中，可能从处理腔室不均匀地抽吸处理气体，这将导致不均匀的衬底蚀刻。通过将从腔室排出的处理气体的流量均等化，可以达成更均匀的蚀刻。通过将流量均衡器电气耦接到腔室内衬，来自流量均衡器的ＲＦ返回路径可以沿着腔室内衬行进，因此减少了处理期间被抽吸到衬底下方的等离子体的量。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的实施例大致关于一种具有下流量均衡器(lowered flow equalizer)与 下腔室内衬的等离子体处理腔室。
技术介绍
集成电路已经发展成在单一芯片上包括有数百万个部件(例如晶体管、电容器、 电阻器等等)的复杂器件。芯片设计的发展持续需要更快速的电路布线和更高的电路密 度。更高电路密度的需求必须使集成电路部件的尺寸缩小。在此
中，这样器件的 特征结构的最小尺寸一般称为临界尺寸(critical dimension)。临界尺寸大体上包括诸如 线、柱、开口、线之间的空间等等的特征结构的最小宽度。随着这些临界尺寸缩小，横跨衬底的处理均勻性对于维持高产量变得重要。用来 制造集成电路的传统等离子体蚀刻处理所涉及的问题是部分因真空泵所造成的横跨衬底 的蚀刻速率的非均勻性，其中该真空泵将蚀刻气体朝向排出口抽吸且远离衬底。由于较易 于从腔室最靠近排出口的区域(即衬底周围)抽吸气体，蚀刻气体会被朝向排出口吸引且 远离衬底，由此在腔室内的衬底上导致非均勻蚀刻。此非均勻性可能显著地影响效能，并增 加制造集成电路的成本。因此，此
存在一种设备的需求，其中该设备能在制造集成电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种内衬，包含：内衬主体，具有：内壁，其延伸到第一高度；外壁，其延伸到不同于所述第一高度的第二高度；以及底壁，其耦接在所述内壁与所述外壁之间，其中，所述底壁与所述外壁各具有穿过其间的复数个气体通道，其中，所述外壁的至少两个气体通道具有不同尺寸，并且其中，所述底壁的至少两个气体通道具有不同尺寸。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：詹姆斯D卡达希，劳建邦，卡洛贝拉，迈克尔C库特内，马修L米勒，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]