一种基于LCP工艺的小型化均衡器制造技术

本发明专利技术公开了一种基于LCP技术的小型化均衡器，包括由下及上依次层叠的金属接地层、第一介质层、第一金属层、第二介质层、第二金属层、第三介质层以及第三金属层，所述第一介质层第二介质层、第三介质层均采用LCP制成并均设有金属化通孔，所述金属接地层、第一金属层、第二金属层以及第三金属层印制于介质层的表面，并与金属化通孔构成三个LCP谐振器，谐振器之间利用微带线等效结构连接。本发明专利技术具有体积小，均衡量大，插损小的优点，特别适用于工作在低频段的大功率行波管功率增益平坦度的调节。

Miniaturized equalizer based on LCP Technology

The invention discloses a miniaturized equalizer based on LCP technology, including metal ground layer, a first dielectric layer, a first metal layer, a second dielectric layer, a second metal layer, third dielectric layer and the third metal layer from bottom and sequentially stacked on the first dielectric layer, second dielectric layer, the dielectric layer is third the LCP is made and are equipped with metal through holes, the surface of the metal ground layer, a first metal layer, a second metal layer and the third metal layer printed on a dielectric layer, and the metal through holes to form three LCP resonator, resonator connected using microstrip line equivalent structure. The invention has the advantages of small volume, large balance amount and small insertion loss, and is especially suitable for the adjustment of the power gain flatness of the high power traveling wave tube in the low frequency section.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于功率器件
，具体涉及一种基于LCP技术的小型化均衡器。
技术介绍
增益均衡器用于解决行波管放大器的增益不平坦问题，较好的均衡效果是SSA为TWT提供合适驱动功率的前提，也是MPM得到良好整体性能的保证。增益均衡器按传输介质来分有微带型、波导型和同轴型等。微带型增益均衡器由微带电路构成，平面结构，重量轻、体积小、易与固态电路集成。这种类型的微波增益均衡器可以利用微波电路仿真技术进行精确、快速的仿真，大大提高了电路的设计效率，稳定性高。液晶高分子聚合物(LCP)是20世纪80年代出现的新型聚合物，这是一种具有高强度、高模量的材料，同时它具有自增强性能的特性，不但耐腐蚀，而且是一种耐磨的材料，在加工方面它的各种特性也是十分理想，尤其是它的电性能、阻隔性和成型加工性能极佳。早在上世纪九十年代，科研人员就试图把LCP用作微波电路基片。现在新一代微波功率模块都在往小型化、高集成度的方向发展，均衡器的小型化设计的需求也变得越来越重要。目前最常用的均衡器为微带型均衡器，而低频段所用基片介电常数较低，这就使得低频段的微带均衡器的尺寸都比较大。把谐振结构的电感和电容置于传输主线的两侧是平面结构的微带线均衡器无法达到的，而利用LCP可以把均衡器做到多层布线的结构，结合这些设计方法大大缩小了我们所需要的均衡器的尺寸。
技术实现思路
本专利技术的目的是解决上述问题，提供一种体积小、易得到均衡曲线的基于LCP技术的小型化均衡器。为解决上述技术问题，本专利技术的技术方案是：一种基于LCP技术的小型化均衡器，包括由下及上依次层叠的金属接地层、第一介质层、第一金属层、第二介质层、第二金属层、第三介质层以及第三金属层，所述第一介质层第二介质层、第三介质层均采用LCP制成并均设有金属化通孔，所述金属接地层、第一金属层、第二金属层以及第三金属层印制于介质层的表面，并与金属化通孔构成三个LCP谐振器，所述谐振器之间利用微带线等效结构连接。优选地，所述第三金属层包括传输线主线、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一微带线等效结构表层金属、第二微带线等效结构表层金属，以及从左至右依次设置于传输线主线上侧的第一电容表层金属、第二电容表层金属、第三电容表层金属，从左至右依次设置于传输线主线下侧的从左至右依次设置的第一电感表层金属、第二电感表层金属、第三电感表层金属，所述第一电阻、第二电阻、第三电阻分别连接于第一电感表层金属、第二电感表层金属、第三电感表层金属和传输线主线之间，所述第一微带线等效结构表层金属和第二微带线等效结构表层金属分别设置于两两谐振器之间。优选地，所述第二金属层包括从左至右依次设置的第一电容中层金属、第二电容中层金属、第三电容中层金属，分别与第一电容中层金属、第二电容中层金属、第三电容中层金属连接的第一电感底层金属、第二电感底层金属、第三电感底层金属，以及设置于两两谐振器之间的第一微带线等效结构中层金属和第二微带线等效结构中层金属。优选地，所述第一金属层包括从左至右依次设置的第一电容底层金属、第二电容底层金属、第三电容底层金属，以及设置于两两谐振器之间的第一微带线等效结构底层金属和第二微带线等效结构底层金属。优选地，所述第一介质层包括第一介质基板，以及呈两行交错排列设置于第一介质基板上的第一金属化通孔、第二金属化通孔、第三金属化通孔、第四金属化通孔、第五金属化通孔，所述第一金属化通孔、第二金属化通孔、第三金属化通孔位于第一介质基板的上侧，第四金属化通孔、第五金属化通孔位于第一介质基板的下侧。优选地，所述第二介质层包括第二介质基板，以及呈两行交错排列设置于第二介质基板上的第一金属化通孔、第二金属化通孔、第三金属化通孔、第四金属化通孔、第五金属化通孔，所述第一金属化通孔、第二金属化通孔、第三金属化通孔位于第二介质基板的上侧，第四金属化通孔、第五金属化通孔位于第一介质基板的下侧。优选地，所述第三介质层包括第三介质基板，以及设置于第三介质基板上的第一金属化通孔、第二金属化通孔、第三金属化通孔、第四金属化通孔、第五金属化通孔、第六金属化通孔、第七金属化通孔、第八金属化通孔、第九金属化通孔、第十金属化通孔、第十一金属化通孔、第十二金属化通孔，所述第一金属化通孔、第二金属化通孔、第三金属化通孔从左至右位于第三介质基板的上侧，第六金属化通孔、第八金属化通孔、第十一金属化通孔从左至右位于第三介质基板的下侧，所述第四金属化通孔、第五金属化通孔、第七金属化通孔呈倒三角形分布位于第一介质基板的下半部分左侧，所述第九金属化通孔、第十金属化通孔、第十二金属化通孔呈倒三角形分布位于第一介质基板的下半部分右侧。优选地，所述第一电容表层金属与第一电感表层金属、第一金属化通孔、第六金属化通孔、第一电容中层金属、第一电感底层金属、第三金属化通孔、第一电容底层金属、第三金属化通孔以及金属接地层构成第一谐振器，所述第二电容表层金属与第二电感表层金属、第二金属化通孔、第二电容中层金属、第二电感底层金属、第二金属化通孔、第二电容底层金属、第二金属化通孔以及金属接地层构成第二谐振器，所述第三电容表层金属与第三电感表层金属、第三金属化通孔、第三电容中层金属、第三电感底层金属、第一金属化通孔、第三电容底层金属、第一金属化通孔以及金属接地层构成第三谐振器。优选地，第一微带线等效结构表层金属、第四金属化通孔、第五金属化通孔、第七金属化通孔、第一微带线等效结构中层金属、第四金属化通孔、第一微带线等效结构底层金属和第五金属化通孔构成第一微带线等效结构，所述第二微带线等效结构表层金属、第九金属化通孔、第十金属化通孔、第十二金属化通孔、第二微带线等效结构中层金属、第五金属化通孔、第二微带线等效结构底层金属和第四金属化通孔、构成第二微带线等效结构，所述第一微带线等效结构的两侧与第一谐振器和第二谐振器相连接，所述第二微带线等效结构的两侧与第二谐振器和第三谐振器相连接。优选地，传输线主线采用微带线形式。本专利技术的有益效果是：基于LCP工艺的谐振器作为本专利技术的谐振单元，由于谐振器的电容电感分别置于传输主线的两端，并利用了微带线等效结构来缩小尺寸，在同性能的指标下，比传统传输线结构谐振器更小的体积，而且此谐振器拥有更多的设计参数，相比传统传输线结构谐振器更易调节设计参数得到目标曲线；因此基于LCP工艺的谐振器构成的均衡器相比传统枝节型的均衡器，尺寸大大缩小，实现了小型化的目的。附图说明图1是本专利技术基于LCP技术的小型化均衡器的立体结构示意图；图2是本专利技术基于LCP技术的小型化均衡器的俯视示意图；图3是本专利技术基于LCP技术的小型化均衡器中谐振器的立体结构示意图。附图标记说明：0、金属接地层；00、虚拟金属板；1、第一介质层；10、第一介质基板；11、第一金属化通孔；12、第二金属化通孔；13、第三金属化通孔；14、第四金属化通孔；15、第五金属化通孔；2、第一金属层；21、第一电容底层金属；22、第二电容底层金属；23、第三电容底层金属；24、第一微带线等效结构底层金属；25、第二微带线等效结构底层金属；3、第二介质层；30、第二介质基板；31、第一金属化通孔；32、第二金属化通孔；33、第三金属化通孔；34、第四金属化通孔；35、第五金属化通孔；4、第二金属层；41、第一电容中层金属；42、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于LCP技术的小型化均衡器，其特征在于：包括由下及上依次层叠的金属接地层(0)、第一介质层(1)、第一金属层(2)、第二介质层(3)、第二金属层(4)、第三介质层(5)以及第三金属层(6)，所述第一介质层(1)第二介质层(3)、第三介质层(5)均采用LCP制成并均设有金属化通孔，所述金属接地层(0)、第一金属层(2)、第二金属层(4)以及第三金属层(6)印制于介质层的表面，并与金属化通孔构成三个LCP谐振器，所述谐振器之间利用微带线等效结构连接。

【技术特征摘要】
1.一种基于LCP技术的小型化均衡器，其特征在于：包括由下及上依次层叠的金属接地层(0)、第一介质层(1)、第一金属层(2)、第二介质层(3)、第二金属层(4)、第三介质层(5)以及第三金属层(6)，所述第一介质层(1)第二介质层(3)、第三介质层(5)均采用LCP制成并均设有金属化通孔，所述金属接地层(0)、第一金属层(2)、第二金属层(4)以及第三金属层(6)印制于介质层的表面，并与金属化通孔构成三个LCP谐振器，所述谐振器之间利用微带线等效结构连接。2.根据权利要求1所述的基于LCP技术的小型化均衡器，其特征在于：所述第三金属层(6)包括传输线主线(60)、第一电阻(61)、第二电阻(62)、第三电阻(63)、第一微带线等效结构表层金属(610)、第二微带线等效结构表层金属(611)，以及从左至右依次设置于传输线主线(60)上侧的第一电容表层金属(64)、第二电容表层金属(65)、第三电容表层金属(66)，从左至右依次设置于传输线主线(60)下侧的从左至右依次设置的第一电感表层金属(67)、第二电感表层金属(68)、第三电感表层金属(69)，所述第一电阻(61)、第二电阻(62)、第三电阻(63)分别连接于第一电感表层金属(67)、第二电感表层金属(68)、第三电感表层金属(69)和传输线主线(60)之间，所述第一微带线等效结构表层金属(610)和第二微带线等效结构表层金属(611)分别设置于两两谐振器之间。3.根据权利要求2所述的基于LCP技术的小型化均衡器，其特征在于：所述第二金属层(4)包括从左至右依次设置的第一电容中层金属(41)、第二电容中层金属(42)、第三电容中层金属(43)，分别与第一电容中层金属(41)、第二电容中层金属(42)、第三电容中层金属(43)连接的第一电感底层金属(44)、第二电感底层金属(45)、第三电感底层金属(46)，以及设置于两两谐振器之间的第一微带线等效结构中层金属(47)和第二微带线等效结构中层金属(48)。4.根据权利要求3所述的基于LCP技术的小型化均衡器，其特征在于：所述第一金属层(2)包括从左至右依次设置的第一电容底层金属(21)、第二电容底层金属(22)、第三电容底层金属(23)，以及设置于两两谐振器之间的第一微带线等效结构底层金属(24)和第二微带线等效结构底层金属(25)。5.根据权利要求4所述的基于LCP技术的小型化均衡器，其特征在于：所述第一介质层(1)包括第一介质基板(10)，以及呈两行交错排列设置于第一介质基板(10)上的第一金属化通孔(11)、第二金属化通孔(12)、第三金属化通孔(13)、第四金属化通孔(14)、第五金属化通孔(15)，所述第一金属化通孔(11)、第二金属化通孔(12)、第三金属化通孔(13)位于第一介质基板(10)的上侧，第四金属化通孔(14)、第五金属化通孔(15)位于第一介质基板(10)的下侧。6.根据权利要求5任一所述的基于LCP技术的小型化均衡器，其特征在于：所述第二介质层(3)包括第二介质基板(30)，以及呈两行交错排列设置于第二介质基板(30)上的第一金属化通孔(31)、第二金属化通孔(32)、第三金属化通孔(33)、第四金属化通孔(34)、第五金属化通孔(35)，所述第一金属化...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏雷，翟思，江栋一，郎小元，延波，徐锐敏，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川;51