【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及等离子体反应器，更具体地说，涉及用于对诸如半导体晶 片的工件进行处理的等离子体反应器。
技术介绍
等离子体反应器用于在各种等离子体处理(例如等离子体刻蚀处理、 等离子体沉积处理和等离子体浸没式离子注入处理)中对工件(例如半导 体晶片)进行处理。半导体器件特征尺寸的减小已经要求改善等离子体反 应器和处理来降低等离子体处理结果中的非均匀性。例如，在等离子体刻蚀处理中，刻蚀率在晶片上的径向分布已经被成功地减小到约5%以下。 随着器件特征尺寸继续减小到45nm并随后减小到32nm，需要等离子体均 匀性的进一步提高。
技术实现思路
本专利技术的实施例涉及能够以更强的等离子体均匀性对半导体工件(例 如晶片)进行处理的装置和方法。在一个方面，提供了一种等离子体反应 器用于处理工件。该反应器包括真空室，真空室具有圆筒状侧壁、顶板以 及底板。室中的工件支撑基座在基座与侧壁之间限定了泵送环，工件支撑 基座具有与底板邻近的接地表面。RF功率施加器将RF功率耦合到限定在顶盖与基座之间的处理区域中。真空泵通过穿过底板的泵送端口耦合到 室。反应器还包括基座的接地表面与底板之间的电...
【技术保护点】
一种等离子体反应器，包括： 真空室，其具有圆筒状侧壁、顶盖以及底板； 所述真空室中的工件支撑基座，其在所述基座与所述侧壁之间限定的泵送环，所述工件支撑基座包括与所述底板邻近的接地表面； 射频功率施加器，以及所述顶盖与所述基座之间限定的处理区域； 穿过所述底板的泵送端口； 电介质元件，位于所述基座的所述接地表面与所述底板之间；以及 环状导电格栅，位于所述泵送环中并隔着格栅至底板间隙设在所述底板上方，并提供了从所述侧壁至所述基座的所述接地表面的电流路径，所述格栅相对于所述室的对称轴大体上对称。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：沙希德劳夫，肯尼思S柯林斯，卡洛贝拉，卡尔蒂克贾亚拉曼，塙广二，安德鲁源，史蒂文C香农，劳伦斯黄，小林聪，特洛伊S德特里克，詹姆斯P克鲁斯，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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