本发明公开了一种成形坩埚和具有成形坩埚的蒸发装置。具体地，本发明提供了一种包括具有长度、宽度和厚度的坩埚的蒸发装置。所述坩埚包括用于接受和蒸发待蒸发材料的蒸发侧以及位于所述蒸发侧背面的背侧，并且所述蒸发侧和背侧均具有不平坦表面。本发明还...

本发明涉及用于控制气体污染物的燃烧同时从处理系统内去除不希望反应产品的沉积。该系统采用具有上热反应器的二级热反应器，该上热反应器具有用于混合废气流和用于在上热反应室内热燃烧的氧化剂及可燃烧燃料的至少一个入口。上热反应器还包括具有外部壁和...

本发明提供一种入口锁系统、织网处理装置及使用其的一种方法。入口锁系统用于从织网供应向织网处理装置送入织网，该入口锁系统包括第一室，具有入口和出口，第二室，具有入口，第一密封，位于第一室的入口，第二密封，位于第一室与第二室之间，第一织网存...

一方面，本发明提供了一种包括真空处理腔和被放置在真空处理腔上的涡轮分子泵的真空处理系统。涡轮分子泵包括具有进气口和出气口的壳体、被设置于壳体内壁的定子、被设置于定子内的转子以及与转子共轴设置的马达，其中至少泵的第一级被扩大，而且除了相应...

本发明提供了用于从衬底表面去除导电材料的抛光组合物和方法。在一个方面，本发明提供了用于从衬底表面上去除至少导电材料的组合物，所述组合物包含硫酸或其衍生物、磷酸或其衍生物、含有机盐的第一螯合剂、可提供约２至约１０的ｐＨ的ｐＨ调节剂以及溶剂...

本发明的一种实施方式提供了一种处理含硅表面的方法，该方法包括通过慢蚀刻工艺（例如，约＜１００＊／ｍｉｎ）去除污染物和／或平滑衬底表面。将衬底暴露于包含蚀刻剂和硅源的蚀刻气体。优选地，蚀刻剂为氯气，并将衬底加热至小于约８００℃的温度。在另...

通过将电镀浴溶液提供到构造为最小化添加剂分解的小容积电镀单元丙在预定浴寿命之后废弃电镀浴，提供了一种用于控制电镀浴溶液的化学成分的方法，该电镀浴溶液用于电镀多个衬底。该方法包括确定具有所期望的化学成分的电镀浴溶液的寿命，用电镀浴溶液填充...

本发明公开了阻挡层表面处理的方法的实施例，从而能够在不具有铜种晶层的情况下直接铜电镀。在一个实施例中，将铜电镀在顶部上具有Ⅷ族金属的衬底上的方法是移除Ⅷ族金属表面氧化物层和／或表面污染物，以及在预处理的Ⅷ族金属表面上电镀铜。可以通过将衬...

本发明公开了一种清洁和刷新处理室的部件以从部件表面去除金属间化合物的方法。所述部件包括具有涂层的结构，所述涂层包含金属间化合物上方的第一金属层。为了刷新部件，第一金属层被去除以形成暴露表面，所述暴露表面至少部分地包含金属间化合物。在渗透...

本发明提供用选择性喷涂刻蚀来清洁沉积室零件的方法和设备。在一个方面，提供了对电子器件制造处理室零件进行清洁的方法，包括：ａ）用酸喷涂零件；ｂ）用ＤＩ水喷涂该零件；和ｃ）用氢氧化钾处理该零件。还提供了其他方面。

一种从陶瓷基片表面去除金属层的方法，该方法包括将含有金属涂层的陶瓷基片浸没在浓度高达３１％盐酸溶液内，浸渍时间要足以至少基本上将金属层从基片上溶解或去除，从酸溶液中取出陶瓷基片，再在淋洗液中淋洗陶瓷基片，并且在预定的温度下进行热处理，处...

本实用新型提供一种用于清洗化学气相沉积室的装置。该化学气相沉积室包括将来自远程等离子体源的反应性物种绕过室的气体分配组件引入室中的入口和将来自远程等离子体源的反应性物种经由气体分配组件引入室中的入口。

本发明涉及一种具有倾斜坩锅的蒸发设备。该设备包括至少一个蒸发坩锅（１００），该蒸发坩锅（１００）具有用于蒸发材料（３００）的蒸发表面，其中，蒸发表面相对于水平以倾斜角度（α）倾斜。本发明还提供用于蒸发衬底的方法，其包括以下步骤：提供竖直...

一种化学气相沉积室的多区域加热台座，用于处理基板，其中该台座用于支撑该基板，并包括台座轴，用于将台座在沉积室内沿垂直方向移动，其具有平台，具有第一半部及第二半部；第一外区加热器，埋设于该平台的第一半部的周边；第一内区加热器，埋设于该平台...

这里提供了一种用于在物理气相沉积室中处理衬底的设备。在一个实施例中，用于在具有布置在盖组件中的靶和接地的室壁的物理气相沉积室中处理衬底的设备包括接地框架和接地屏蔽。接地框架被构造成绝缘地耦合到盖组件并具有导电的下表面。接地屏蔽具有可调并...

一种遮盖框，用于在沉积室内对基材上进行沉积工艺时遮盖基板的周缘，其具有：框体，具有大致呈矩形的封闭外型；周缘支撑凸缘自该框体内缘向内延伸，该凸缘具有第一表面，该第一表面面向该基材，及相反第二表面，该支撑凸缘并具有邻近第一表面的第一圆形端...

本实用新型公开了一种具有被引导的气流的气体分布器。气体分布器将气体分布通过衬底处理室的表面。该气体分布器具有轮轴、从轮轴沿径向向外延伸的导流片、第一组叶片和第二组叶片。在一种方案中，轮轴具有气体进口和气体出口。导流片具有相对的第一和第二...

一种用于向一半导体处理室中输送气态物质的气体注射系统，包括： 一封闭空间主体，其中形成至少一个封闭空间，所述封闭空间包括至少一个供应入口，以向所述封闭空间输送气态物质； 多个喷嘴，用于向所述处理室中注射所述气态物质，所述喷嘴...

一种溅射室，包括：　　　　至少一个其中形成有一个或者多个沟槽的工件，所述沟槽被配置来定义其上形成有涂层的电弧喷射涂层区域。

本发明一般提供了在物理气相沉积室中使用的方法和设备。在一个实施例中，本发明提供了一种遮蔽盘机构，该遮蔽盘机构消除了将遮蔽盘轴向定位到将该遮蔽盘传送到衬底支承的机械手托板的需要。