包括对低介电常数材料进行非原位背侧聚合物去除的等离子体电介质蚀刻处理制造技术

通过在工件上执行氟碳基蚀刻处理以蚀刻电介质层的露出部分同时在光刻胶掩膜上沉积保护性氟碳聚合物来在蚀刻反应器中首先执行用于使用光刻胶掩膜蚀刻多孔掺杂碳氧化硅电介质层的等离子体蚀刻处理。然后，在灰化反应器中，通过将工件加热超过１００℃来去除聚合物和光刻胶，露出所述工件的背侧的外围部分，并提供来自氢处理气体的等离子体的产品以在所述工件上还原在聚合物和光刻胶中包含的碳，直到聚合物已经从所述工件的背侧去除。处理气体优选包含氢气体和水蒸气两者，不过主要成分是氢气体。晶片（工件）背侧可以通过延伸晶片升降销露出。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及包括对低介电常数材料进行非原位背侧聚合物去除的等离 子体电介质蚀刻处理。
技术介绍
集成电路性能正通过增大器件开关速度、增大互连密度和减小相邻导 体之间的串扰而得到持续的改进。通过采用介电常数低的新的电介质薄膜 材料(诸如多孔掺杂碳的二氧化硅)已经增大开关速度和减小串扰。通过 增大互连的导电层的数量和减小特征尺寸(例如，线宽、孔直径)己经增 大互连。这些深层之间的连接导致了高的高宽比(深且窄)的导体开口或 者"过孔"。这些变细的特征已经要求(用于光刻的)光刻胶能适于更短 的波长。该光刻胶趋于在电介质蚀刻处理过程中更薄并更易于形成诸如针 孔或者条纹的缺陷。此问题通过在电介质层间绝缘膜的等离子体蚀刻过程 中采用氟碳化学物质来解决，以为了在光刻胶上沉积保护性氟碳聚合物。 该聚合物必须在蚀刻处理之后从晶片去除以为了避免污染此后必须在晶片 上执行的处理步骤。因而，执行蚀刻后聚合物去除步骤。然而，在蚀刻后 聚合物去除步骤中，难以去除所有沉积的聚合物。这是因为一些聚合物穿 过晶片边缘和在晶片基座外围处的环圈处理工具之间的间隙，堆积在外围的晶片背侧上。要求该间隙避免与静电夹盘(ESC本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体蚀刻处理，包括：　提供具有多孔掺杂碳二氧化硅电介质层的工件；　在所述工件的表面上限定光刻胶；　在蚀刻反应器中：　在所述工件上执行氟碳基蚀刻处理，以蚀刻所述电介质层的露出部分，同时在所述光刻胶掩膜上沉积保护性氟碳聚合物；　将所述工件转移到灰化反应器中，并在所述灰化反应器中：　将所述工件加热超过１００℃；　露出所述工件的背侧的外围部分；并且　提供来自氢处理气体的等离子体的产品以在所述工件上还原聚合物合格光刻胶，直到所述聚合物已经从所述工件的背侧去除。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：格拉多A戴戈迪诺，因扎吉特拉西里，谭迪恩苏，布莱恩西元施赫，阿施克K辛哈，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]