一种在低K介电层中形成孔隙的方法技术

一种在低K介电层中形成孔隙的方法，本发明专利技术公开了一种形成空气隙的方法，包括如下步骤：步骤S1、提供一顶部具有低K介电层的衬底，且该低K介电层底部设置有一层介电阻挡层，该低K介电层顶部设置有一沟槽，且沟槽内设置有金属结构；步骤S2、对衬底表面做平坦化处理；步骤S3、将一硬质掩模板置于低K介电层的顶部上方，硬质掩膜板设置有若干通孔，且各通孔贯穿硬质掩模板的正面至反面；步骤S4、以设置有若干通孔的硬质掩膜板为刻蚀掩膜，对低K介电层向下进行刻蚀，在低K介电层形成若干孔隙。本发明专利技术无需采用成本较高的光刻工艺，通过借助一硬质掩模板即可形成空气隙，同时硬质掩模板可反复多次使用，相比较传统技术极大降低了生产成本。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种在低K介电层中形成孔隙的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供顶部具有所述低K介电层的一衬底，且该低K介电层底部设置有一层介电阻挡层，该低K介电层顶部设置有一沟槽，且所述沟槽内设置有金属结构；步骤S2、对所述衬底表面做平坦化处理，使所述金属结构抛光后的顶部平面与所述低K介电层顶部平面齐平；步骤S3、将一硬质掩模板置于所述低K介电层的顶部上方，所述硬质掩膜板设置有若干通孔，且各所述通孔贯穿所述硬质掩模板的正面至反面；步骤S4、以设置有若干通孔的硬质掩膜板为刻蚀掩膜，对所述低K介电层向下进行刻蚀，在所述低K介电层形成若干孔隙。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：鲍宇，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31