一种低介电常数层的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种低介电常数层的制作方法，本发明专利技术所制作的低介电常数层包括两层，下层为采用OMCTS和氧气形成的第一低介电常数层，上层为采用OMCTS和氩气（Ar）形成的第二低介电常数层，由于第二低介电常数层比较硬且具有低介电常数，所以后续抛光过程中作为上层，不易被快速去除，有利于控制抛光速率，保证后续抛光后该电介质层的寄生电阻一致性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种低介电常数层的制作方法。
技术介绍
在半导体器件的制作过程中，需要制作层间介质。层间介质充当了各层金属间及第一金属层与半导体器件的硅衬底之间的介质材料。通常，层间介质都是采用二氧化硅作为材料的，但是寄生电阻值比较高，会影响最终制作的半导体器件的性能，尤其随着半导体技术的发展，半导体器件的特征尺寸越来越小，这种情况就越来越严重。因此，在层间介质层中增加了可以降低寄生电阻值的低介电常数层，该低介电常数层采用低介电常数材料，例如含有硅、氧、碳和氢元素的类似氧化物的黑钻石（black diamond，BD）等，这样就可以降低整个层间介质层的寄生电阻值。目前，低介电常数层的制作方法过程为：第一步骤，在金属层之上或半导体器件的硅沉积上沉积初始介质层，该初始介质层采用二氧化硅作为沉积材料，介电常数为4.6左右；第二步骤，在初始介质层上沉积低介电常数层，该低介电常数层采用八甲基四硅烷（OMCTS）和氧气的混合气体沉积得到，介电常数为2.7本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低介电常数层的制作方法，其特征在于，该方法包括：在金属层之上或半导体器件的硅沉积上沉积初始介质层，该初始介质层采用二氧化硅作为沉积材料；在初始介质层上沉积第一低介电常数层，该第一低介电常数层采用八甲基四硅烷OMCTS和氧气的混合气体沉积得到；在第一低介电常数层上采用OMCTS和氩气形成第二低介电常数层。

【技术特征摘要】
1.一种低介电常数层的制作方法，其特征在于，该方法包括：
在金属层之上或半导体器件的硅沉积上沉积初始介质层，该初始介质层
采用二氧化硅作为沉积材料；
在初始介质层上沉积第一低介电常数层，该第一低介电常数层采用八甲
基四硅烷OMCTS和氧气的混合气体沉积得到；
在第一低介电常数层上采用OMCTS和氩气形成第二低介电常数层。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在初始介质层上沉积
第一低介电常数层之前，该方法还包括：
采用OMCTS和氩气形成第三低介电常数层。
3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述采用OMCTS和氩
气形成第二低介电常数层为：通入OMCTS的压力为0.65～7托，功...

【专利技术属性】
技术研发人员：周鸣，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31