构图低介电常数介电层的方法技术

一种定义低介电常数介电层的方法。直接暴露在高能量流下来定义低介电常数介电层，而不需要使用任何的光阻层，借以使低介电常数介电层暴光的部分固化，而变的不溶于显影溶液中，低介电常数介电层未曝光的部分则会溶解在显影溶液中，并将会在显影步骤中被移除，组件的效能与可靠度均可因此得到改善，且可以简化工艺步骤。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种定义介电层的方法，且别是有关于一种。为了进一步的减少RC延迟以及增进操作效能，具有低电阻、高熔点以及高度抗电子迁移特性的铜会与低介电常数介电层结合使用，铜导线不仅会减少RC延迟，还会减少导线之间的静电电容。因为铜金属的蚀刻步骤很难控制，所以通常会使用镶嵌技术来制作铜导线与铜插塞。在一种传统用来形成铜镶嵌插塞结构的先形成介层洞工艺中，如附图说明图1所示，会在预先提供已具有金属内连线(未显示)的基底100上形成一层盖氮化物层102，之后依序在盖氮化物层上形成第一低介电常数介电层104、阻挡层106、第二低介电常数介电层108、化学机械研磨(CMP)阻挡层110、以及底部抗反射涂布(BARC)层(未显示)，然后在底部抗反射涂布层上形成一层定义过的第一光阻层用来定义介层洞；用第一光阻层当作罩幕，而盖氮化物层作为一层蚀刻阻挡层，进行第一道非等向性蚀刻工艺，穿过这些结构层而形成介层洞开口(未显示)。在移除第一光阻层以后，进行一道填满间隙的步骤，用聚合物材料层填满介层洞，借以保护盖氮化物层；在聚合物材料层上形成一层定义过的第二光阻层以后，进行第二道非等向性蚀刻工艺，以阻本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种定义低介电常数介电层的方法，其特征是，该方法包括下列步骤： 提供一基底； 用旋涂的方式形成一低介电常数介电层于该基底上； 提供具有一图案的一光罩； 直接在该低介电常数介电层上使用一高能量流，以选择性的固化该低介电常数介电层而不需要使用一光阻层，其中该光罩是被使用来将该图案转换到该低介电常数介电层上的； 通过使用一显影液来进行一显影步骤，其中该低介电常数介电层的一部分会被暴露在高能量流下并被固化，因此不溶于该显影液中，而该低介电常数介电层未曝光的部分则会溶解在该显影液中；以及 在显影步骤以后，进行一道烘烤步骤以减少水气的吸收。

【技术特征摘要】
US 2002-4-9 10/120,2741.一种定义低介电常数介电层的方法，其特征是，该方法包括下列步骤提供一基底；用旋涂的方式形成一低介电常数介电层于该基底上；提供具有一图案的一光罩；直接在该低介电常数介电层上使用一高能量流，以选择性的固化该低介电常数介电层而不需要使用一光阻层，其中该光罩是被使用来将该图案转换到该低介电常数介电层上的；通过使用一显影液来进行一显影步骤，其中该低介电常数介电层的一部分会被暴露在高能量流下并被固化，因此不溶于该显影液中，而该低介电常数介电层未曝光的部分则会溶解在该显影液中；以及在显影步骤以后，进行一道烘烤步骤以减少水气的吸收。2.如权利要求1所述的方法，其特征是，该高能量流具有一能量密度，约为10瓦特/平方厘米-150瓦特/平方厘米。3.如权利要求1所述的方法，其特征是，该高能量流包括x光。4.如权利要求1所述的方法，其特征是，该高能量流包括短电磁波。5.如权利要求1所述的方法，其特征是，该高能量流包括电子束。6.如权利要求1所述的方法，其特征是，该高能量流包括离子束。7.如权利要求1所述的方法，其特征是，该低介电常数介电层的材质为一硅底的旋涂材质。8.如权利要求7所述的方法，其特征是，该硅底的旋涂材质选自含氢硅酸盐(HSQ)、甲基硅酸盐(MSQ)、混合的有机硅氧烷聚合物(HOSP)以及多孔的硅酸盐其中之一。9.如权利要求1所述的方法，其特征是，该低介电常数介电层的材质为一感旋光性低介电常数材料。10.一种在一低介电常数介电层中形成一开口的方法，其特征是，包...

【专利技术属性】
技术研发人员：张鼎张，刘柏村，许钲宗，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]