【技术实现步骤摘要】
本专利技术有关一种半导体制程的临界尺寸(critical dimension；CD)的控制方法，特别是有关于一种图案光阻的临界尺寸的微缩方法。(2)
技术介绍
随着集成电路的密度不断地扩大，为使芯片(chip)面积保持一样，甚至缩小，以持续降低电路的单位成本，唯一的办法，就是不断地缩小电路设计规格(design rule)，以符合高科技产业未来发展的趋势。随着半导体技术的发展，集成电路的元件的尺寸已经缩减到深次微米的范围。当半导体连续缩减到深次微米的范围时，产生了一些在制程微缩上的问题。在将光罩(mask)的图案转移至光阻(photoresist)的微影过程中，显影制程(development)是为将光罩转移得来的潜在图案经由曝光(expose)与烘烤(bake)过的光阻层显现出来的步骤。在此，是利用显影液(developer)将光阻中未对应到图案的部份除去，藉以得到具有所需要图案的光阻。简单来说，当光罩的图案已被转移至位于被表层覆盖的底材上的光阻而使得光阻可以分为对应到光罩的图案的图案光阻与未对应到光罩的图案的非图案光阻时，接下来的步骤便是将显影液以喷洒-混拌...
【技术保护点】
一种图案光阻的微缩方法，其特征在于，至少包含下列步骤： 提供一半导体底材，其上具有一第一线宽的一图案光阻； 藉由一化学物质以形成一化学扩散层于该图案光阻上； 扩散该化学扩散层内的该化学物质至该图案光阻中，使得该图案光阻与该化学物质进行一化学反应以形成一化学反应层于该图案光阻的表层中；与 移除该化学反应层以修正该半导体底材上的该图案光阻的第一线宽而成一第二线宽。
【技术特征摘要】
1.一种图案光阻的微缩方法，其特征在于，至少包含下列步骤提供一半导体底材，其上具有一第一线宽的一图案光阻；藉由一化学物质以形成一化学扩散层于该图案光阻上；扩散该化学扩散层内的该化学物质至该图案光阻中，使得该图案光阻与该化学物质进行一化学反应以形成一化学反应层于该图案光阻的表层中；与移除该化学反应层以修正该半导体底材上的该图案光阻的第一线宽而成一第二线宽。2..如权利要求1所述的图案光阻的微缩方法，其特征在于，所述的化学物质扩散方法是为一非等向性扩散。3..如权利要求1所述的图案光阻的微缩方法，其特征在于，所述的化学扩散层的扩散深度是取决于该化学物质的扩散速率。4..如权利要求1所述的图案光阻的微缩方法，其特征在于，所述的扩散步骤与该化学反应是藉由一烘烤制程所进行。5..如权利要求1所述的图案光阻的微缩方法，其特征在于，所述的移除该化学反应层的方法还包含一显影制程。6..如权利要求1所述的图案光阻的微缩方法，其特征在于，所述的第二线宽与该第一线宽之差即为该化学扩散层的扩散深度。7..如权利要求1所述的图案光阻的微缩方法，其特征在于，其中所有制程是藉由临场反应的方式进行。8..一种图案光阻的微缩方法，其特征在于，至少包含下列步骤提供一半导体底材；形成一具有一第一化学极性的光阻层于该半导体底材上；藉由该光阻层形成多个具有一第一线宽的图案光阻于半导体底材上；形成多个具有一酸性物质的扩散层于该多个图案光阻上；扩散该多个扩散层的该酸性物质至该多个图案光阻中，且藉由该酸性物质与该多个图案光阻进行一化学反应以形成多个具有第二化学极性的反应层于该多个图案光阻的表层中；与移除该多个反应层并使得该半导体底材上的该多个图案光阻的该第一线宽变成一第二线宽。9..如权利要求8所述的图案光阻的微缩方法，其特征在于，所述的多个图案光阻的形成方法还包含一光学微影制程。10..如权利要求8所述的图案光阻的微缩方法，其特征在于，所述的多个扩散层的形成方法还包含一酸化制程。11..如权利要求8所述的图案光阻的微缩方法，其特征在于，所述的酸性物质能转化该多个图案光阻的该第一化学极性成该第二化学极性。12..如权利要求8所述的图案光阻的微缩方法，其特征在于，所述的酸性物质在该多个图案光阻内的一扩散深度是取决于该酸性物质的扩散速率。13..如权利要求12所述的图案光阻的微缩方法，其特征在于，所述的酸性物质在该多个图案光阻内的该扩散深度即为第二线宽与该第一线宽之差。14..如权利要求8所述的图案光阻的微缩方法，其特征在于，所述的扩散步骤与该化学反应是藉由一烘烤制程进行的。15..如权利要求8所述的图案光阻的微缩方法，...
【专利技术属性】
技术研发人员：张尚文，陈家桢，刘家助，林思闽，陈正中，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。