【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种适用于半导体分立器件和大规模集成电路的制造及封装等领域 中应用的含纳米硅聚酰胺紫外正性光刻胶及其成膜树脂。
技术介绍
在半导体分立器件和大规模集成电路的制备过程中，不仅芯片制造工艺日新月 异，封装技术与封装材料也是一个快速发展的非常重要的工艺组成部分。目前，先进的封装 技术已由单个的集成电路块的单个分别封装发展到硅片级封装，以及由多块芯片叠加组合 成功能更强的三维立体组合封装等，在封装过程中所应用的封装材料也由于工艺的改进不 断更新。本专利技术涉及的耐高温聚酰胺型紫外曝光正性光敏性材料不仅是集成电路和分立器 件制造工艺的关键材料，也是封装工艺中所必需的关键功能材料。
技术实现思路
本专利技术目的是提供一种应用于半导体分立器件和大规模集成电路制造及先进封 装工艺过程中的含纳米硅聚酰胺紫外正性光刻胶及其成膜树脂这种聚酰胺型紫外光敏性 材料。为达到上述目的，本专利技术采用的第一种技术方案是一种成膜树脂，主要由以下两 个步骤制得第一步由芳香酰氯、含纳米硅组成单元和芳香胺三种共聚单体在溶剂中进行共聚反 应得到含纳米硅聚酰胺预聚物，所述三种共聚单体的质量百分比如下 芳香酰氯20% 70% ；含纳米硅组成单元1% 10% ；芳香胺20% 70% ；所 述芳香 酰氯是 符合化 学通式( I)和化学通式(Π)的化合物中的至少一种权利要求1.一种成膜树脂，其特征在于主要由以下两个步骤制得第一步由芳香酰氯、含纳米硅组成单元和芳香胺三种共聚单体在溶剂中进行共聚反应得到含纳米硅聚酰胺预聚物，所述三种共聚单体的质量百分比如下芳香酰氯20％一70％；含纳米硅组成单元1％...
【技术保护点】
一种成膜树脂，其特征在于：主要由以下两个步骤制得：第一步：由芳香酰氯、含纳米硅组成单元和芳香胺三种共聚单体在溶剂中进行共聚反应得到含纳米硅聚酰胺预聚物，所述三种共聚单体的质量百分比如下：芳香酰氯 ２０％～７０％；含纳米硅组成单元 １％～１０％；芳香胺 ２０％～７０％；所述芳香酰氯是符合化学通式（Ⅰ）和化学通式（Ⅱ）的化合物中的至少一种：＊＊＊式中，Ｒ↓［１］、Ｒ↓［２］各自独立地代表Ｈ或ＯＨ；Ｒ↓［３］为＊＊＊；所述含纳米硅组成单元是符合化学通式（Ⅲ）的至少一种化合物：＊＊＊（Ⅲ）；式中，至少一个取代基Ｒ↓［ｆ］符合通式（Ⅳ）所示，剩下的取代基Ｒ↓［ｆ］是碳原子数为１～１０的烷基、＊＊＊（Ⅳ）式中，Ｒ↓［４］代表碳原子数为１～１０的脂肪烃基、或者是分子链上含有１～３个硅原子的碳原子数为１～１０的脂肪烃基；所述芳香胺是符合化学通式（Ⅴ）、化学通式（Ⅵ）和化学通式（Ⅶ）的化合物中的至少一种：＊＊＊式中，Ｒ↓［５］、Ｒ↓［６］各自独立地代表＊＊＊；第二步：将光敏剂偶联到第一步制得的含纳米硅聚酰胺预聚物得到含纳米硅光敏性聚酰胺成膜树脂，所述光敏剂为符合结构式（Ⅷ）或结构式（Ⅸ）的重氮萘醌酰氯，...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：冉瑞成，沈吉，
申请(专利权)人：昆山西迪光电材料有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]
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