【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种光刻胶超高真空极紫外曝光处理的检测装置，其特征在于：包括真空系统、质谱系统、中心控制系统，所述中心控制系统通过电脑来集中控制真空系统、质谱系统，进行数据采集与计算，所述检测装置设有极紫外光接口。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：杨国强，熊磊，陈力，许箭，王双青，李沙瑜，
申请(专利权)人：中国科学院化学研究所，
类型：发明
国别省市：
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