用于无氮化硅的硅湿蚀刻的耐碱性负性光刻胶制造技术

一种用于三维印刷机的可移动构建盒包括构建盒托盘，该托盘限定了用于零件装配的构建室和用于将粉末材料供应给构建室的材料进料室。构建室和进料室具有较低的活塞止杆。构建室活塞与构建室配合，并且在最低位置与构建室活塞止杆配合。进料室活塞与进料室配合，并且在最低位置与进料室活塞止杆配合。快速连接联接器在构建室活塞与构建室ｚ轴致动器之间，该致动器用于在与构建室活塞连接时移动该构建室活塞。快速连接联接器在进料室活塞和进料室ｚ轴致动器之间，该致动器用于在与进料室活塞连接时移动该进料室活塞。构建盒托盘容易从该三维印刷机上拆除。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于制造微电子器件(例如用于微电机系统(MEMS)的微电子 器件)的新光刻胶。现有技术说明硅蚀刻工艺中常在硅基材上使用薄(100-300纳米)氮化硅或二氧化硅涂层 作为图案化蚀刻的掩模或者作为钝化层以密封活性电路。在现有技术中，已经 主要通过使用试差法对用于MEMS制造过程的蚀刻保护涂层或掩模进行了选 择，原因是市场上没有通用的保护涂层。MEMS工艺师常使用蚀刻剂对各种材 料的蚀刻选择性作为指导。氮化硅膜的蚀刻速率比硅低得多，所以已经使用氮 化硅膜作为KOH或TMAH体相硅蚀刻的保护层或硬掩模。二氧化硅的蚀刻速 率大于氮化硅。因此，二氧化硅仅用作非常短时间蚀刻的保护/掩模层。根据报 道，还已经在一些情况中使用金(Au)、铬(Cr)和硼(B)。己经使用未图案化的过 度烘焙的(hani-baked)光刻胶作为掩模，但是它们容易在碱性溶液中发生蚀刻。 还对聚甲基丙烯酸甲酯作为KOH的蚀刻掩模进行了评价。但是，由于酯基团 的皂化，发现这种聚合物的掩蔽时间从6(TC时的165分钟急剧减少至9(TC时的 15分钟。不考虑所选的保护涂层或掩模，必须将待图案化的光刻胶层施用于保护本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可用作保护层的光敏组合物，所述组合物包含溶解或分散在溶剂体系中的第一聚合物、第二聚合物、以及光生酸剂，其中：　所述第一聚合物包含：　＊＊＊　其中：　各Ｒ↑［１］独立地选自氢和Ｃ↓［１］－Ｃ↓［８］烷基；　各 Ｒ↑［２］独立地选自氢、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［８］烷基、以及Ｃ↓［１］－Ｃ↓［８］烷氧基；　所述第二聚合物包含含环氧基团的重复单体。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：X钟，TD弗莱，J马尔霍特拉，
申请(专利权)人：布鲁尔科技公司，
类型：发明
国别省市：US[]