通过重复曝光改进光刻胶形貌的方法技术

本发明专利技术公开了一种通过重复曝光改进光刻胶形貌的方法。该方法解决了光刻厚胶工艺中，光刻胶侧壁难以实现具有底切结构的形貌的难题，同时具有成本低、实施性强等优点。根据本发明专利技术的方法包括：涂覆第一光刻胶并进行前烘，所述第一光刻胶仅对第一波长的光感光；涂覆第二光刻胶并进行前烘，所述第二光刻胶仅对第二波长的光感光，且所述第二波长不同于所述第一波长；使用第一波长的光对所述第一光刻胶进行曝光；使用第二波长的光对所述第二光刻胶进行曝光；对曝光后的第一光刻胶和第二光刻胶进行显影，其中设置曝光条件，使得在显影后第一光刻胶的尺寸小于第二光刻胶的尺寸。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及。
技术介绍
通常认为光刻是半导体制造领域中最关键的步骤，因此需要高性能的光刻工艺以便结合其它工艺获得高成品率。光刻工艺需要应用光刻胶。光刻胶作为一种可溶解聚合物被涂覆在衬底表面上，然后进行烘焙、曝光、显影等一系列的处理，以便在衬底表面上形成图形。光刻胶的一种重要特性参数是对比度。对比度指的是光刻胶上从曝光区到非曝光区过渡的陡度。具有高对比度从而产生垂直的光刻胶侧壁是最理想的。随着半导体工艺的发展，厚光刻胶受到普遍关注。例如，厚光刻胶可用于芯片倒装焊区选择电镀的阻挡层。厚光刻胶还可在MEMS制造中用作干法刻蚀工艺以及剥离工艺的掩模等。随着光刻胶厚度的增加，光刻胶的侧壁更加难以实现较高的垂直度。图1A-1D示出CMEMS (互补金属氧化物半导体微机电系统)器件中的Ti层制备过程。如图1A所示，在衬底101上涂覆光刻胶102，并进行烘焙、曝光、显影等过程，以在衬底上形成图形。然后，利用光刻胶102作为掩模对衬底101进行干法刻蚀，如图1B所示。再利用光刻胶102作为掩模沉积Ti层103，如图1C所示。最后，剥离光刻胶，如图1D所示。在图1A-1D所示的过程中，光刻胶先后作为干法刻蚀工艺、Ti金属沉积工艺和剥离工艺的掩模层，胶厚必须满足一定要求。光刻胶的厚度一般需大于10微米，即该光刻胶层需采用厚胶工艺。因此，光刻胶侧壁难以实现较高陡直度。加之，干法刻蚀过程对光刻胶形貌有一定损伤，导致在金属Ti沉积的过程中，部分Ti沉积到了光刻胶的侧壁上。这一方面增加了光刻胶剥离工艺的难度，另一方面使得一部分Ti在键合柱的顶角残留，影响了后续键合工艺的质量。为改善光刻胶形貌，使其侧壁陡直，避免金属残留，通常可采用改变胶厚、使用光刻胶-S12-光刻胶结构、使用特种材料等方法。然而，由于图1A-1D所示工艺后续有干法刻蚀和剥离两步，光刻胶厚度需满足后续工艺要求，而无法进行改变。而如果要采用多层光刻胶方法，则需要将现有的单层光刻胶结构变为光刻胶-S12-光刻胶结构，不仅工艺变更大，而且需要在光刻胶上沉积S12，给生产带来了巨大风险。因此，以上手段都不是理想的解决方法。目前，有厂商已研制出专门用于剥离工艺的专用光刻胶。这种胶利用胶体颗粒分布不同，通过调节光刻条件，可以制备出具有底切(undercut)结构的光刻图形。图2A-2C示出利用专用光刻胶作为掩模进行金属沉积的过程。如图2A所示，在衬底201上涂覆光刻胶202，并进行烘焙、曝光、显影等过程，以在衬底201上形成具有底切结构的图形。然后，沉积金属层203，如图2B所示。最后，剥离光刻胶202，如图2C所示。由于这种光刻胶具有底切结构，故而没有残留金属。但是这种光刻胶价格昂贵，工艺条件要求严格，适应性较差。因此，需要一种能够改善光刻胶形貌的方法。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种利用重复曝光改善光刻图形质量的方法。根据本专利技术的一个方面，提供一种重复曝光光刻胶的方法，包括:涂覆第一光刻胶并进行前烘，所述第一光刻胶仅对第一波长的光感光；涂覆第二光刻胶并进行前烘，所述第二光刻胶仅对第二波长的光感光，且所述第二波长不同于所述第一波长；使用第一波长的光对所述第一光刻胶进行曝光；使用第二波长的光对所述第二光刻胶进行曝光；对曝光后的第一光刻胶和第二光刻胶进行显影，其中设置曝光条件，使得在显影后第一光刻胶的尺寸小于第二光刻胶的尺寸。根据本专利技术的一个方面，前述方法还包括在显影之后，对所得结构进行后烘。根据本专利技术的一个方面，前述方法中，第一波长为365nm。根据本专利技术的一个方面，前述方法中，第二波长为248nm。根据本专利技术的一个方面，前述方法中，所述第一光刻胶和第二光刻胶为正性光刻胶，在对所述第一光刻胶进行曝光时，加大曝光能量，使得第一光刻胶过曝光，从而显影后的第一光刻胶的尺寸小于设计尺寸。根据本专利技术的一个方面，前述方法中，在对所述第二光刻胶进行曝光时，利用所述第二光刻胶的最佳曝光条件，使得显影后的第二光刻胶的尺寸等于设计尺寸。根据本专利技术的一个方面，前述方法中，所述第一光刻胶和第二光刻胶为负性光刻胶，在对所述第一光刻胶进行曝光时，利用所述第一光刻胶的最佳曝光条件，使得显影后的第一光刻胶的尺寸等于设计尺寸。根据本专利技术的一个方面，前述方法中，在对所述第二光刻胶进行曝光时，加大曝光能量，使得显影后的第二光刻胶的尺寸大于设计尺寸。与现有技术相比，本专利技术的优点包括:根据本专利技术的实施例的光刻胶处理方法充分利用了窄带光刻胶对曝光光波长的选择性，不改变现有工艺流程，不增加光罩。解决了光刻厚胶工艺中，光刻胶侧壁难以实现具有底切结构的形貌的难题。同时，具有成本低、实施性强等优点。【附图说明】为了进一步阐明本专利技术的各实施例的以上和其他优点和特征，将参考附图来呈现本专利技术的各实施例的更具体的描述。可以理解，这些附图只描绘本专利技术的典型实施例，因此将不被认为是对其范围的限制。在附图中，为了清楚明了，放大了层和区域的厚度。相同或相应的部件将用相同或类似的标记表示。图1A-1D示出CMEMS器件中的Ti层制备过程。图2A-2C示出利用专用光刻胶作为掩模进行金属沉积的过程。图3A-3E示出根据本专利技术的一个实施例形成具有底切形貌的光刻胶图形的过程横截面示意图。图4示出根据本专利技术的一个实施例形成具有底切形貌的光刻胶图形的流程图。【具体实施方式】在以下的描述中，参考各实施例对本专利技术进行描述。然而，本领域的技术人员将认识到可在没有一个或多个特定细节的情况下或者与其它替换和/或附加方法、材料或组件一起实施各实施例。在其它情形中，未示出或未详细描述公知的结构、材料或操作以免使本专利技术的各实施例的诸方面晦涩。类似地，为了解释的目的，阐述了特定数量、材料和配置，以便提供对本专利技术的实施例的全面理解。然而，本专利技术可在没有特定细节的情况下实施。此夕卜，应理解附图中示出的各实施例是说明性表示且不一定按比例绘制。本专利技术披露了一种利用重复曝光，改善光刻图形质量的方法。根据本专利技术的一个实施例，通过涂覆两种具有不同曝光波长的当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种重复曝光光刻胶的方法，包括：涂覆第一光刻胶并进行前烘，所述第一光刻胶仅对第一波长的光感光；涂覆第二光刻胶并进行前烘，所述第二光刻胶仅对第二波长的光感光，且所述第二波长不同于所述第一波长；使用第一波长的光对所述第一光刻胶进行曝光；使用第二波长的光对所述第二光刻胶进行曝光；对曝光后的第一光刻胶和第二光刻胶进行显影，其中设置曝光条件，使得在显影后第一光刻胶的尺寸小于第二光刻胶的尺寸。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘尧，陈福成，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31