光刻胶和方法技术

本发明专利技术提供了一种具有键合至高抗蚀刻部分的将分解的基团的光刻胶。可选地，在将分解的基团已经从聚合物裂解之后，将分解的基团可以额外地附接至将再附接至聚合物的再附接基团。光刻胶也可以包括具有交联位点的非离去单体和交联剂。本发明专利技术涉及光刻胶和方法。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】 相关申请的交叉引用 本申请要求2014年5月16日提交的标题为""的美国临时申请第 61/994, 741号的优先权，其全部内容结合于此作为参考。 本专利技术和与当前申请同时提交的、代理人案号为TSM13-1765的申请相关，其全部 内容结合于此作为参考。
本专利技术涉及。
技术介绍
随着消费类器件响应于消费者的需求而变得越来越小，这些器件的单独的组件的 尺寸也已减小。构成器件（诸如手机、平板电脑等）的主要组件的半导体器件已经被迫变 得越来越小，相应地迫使半导体器件内的单独的器件（例如，晶体管、电阻器、电容器等）的 尺寸也减小。 在半导体器件的制造工艺中使用的一个使能技术是使用光刻材料。将这些材料应 用至表面，然后将其曝光于其自身已被图案化的能量下。这种曝光改变了光刻材料的曝光 区域的化学和物理性质。光刻材料的未曝光区未改变，可以利用这种改变来去除一个区域 而不去除其他区域。 然而，由于单独的器件的尺寸已经减小，用于光刻处理的工艺窗口变得越来越紧 凑。同样，需要光刻处理领域的进步以保持按比例缩小器件的能力，并且需要进一步的改进 以满足期望的设计标准，从而可以保持组件朝着越来越小的方向发展。
技术实现思路
为了解决现有技术中存在的问题，根据本专利技术的一个方面，提供了一种光刻胶，包 括：烃主链；高抗蚀刻结构，附接至所述烃主链；以及将分解的基团，键合至所述高抗蚀刻 结构。 在上述光刻胶中，所述高抗蚀刻结构具有以下结构中的一种： 其中，R1是甲基基团、乙基基团、丙基基团、异丙基基团、丁基基团、异丁基基团、戊 基基团和异戊基基团等；以及私是Cl至C3烷基链，并且其中，R 2具有以下结构： 其中，&是所述将分解的基团。 在上述光刻胶中，还包括具有交联位点的非离去单体。 在上述光刻胶中，所述交联位点具有以下结构： 其中，R14是 H、OH、0CH3、0C2H5、0C3H 7、OC4H9、环氧基、CH20CH3、CH 20C2H5、CH20C3H 7、 CH20C4H9、CH2CH30CH 3、CH2CH30C2H5、CH 2CH3OC3H7或 CH2CH3OC4H9，并且其中，R15是 Cl 至 C5 烷基 链。 在上述光刻胶中，所述将分解的基团具有以下结构： 其中，R18是氣、甲基基团、乙基基团、丙基基团、异丙基基团、丁基基团、异丁基基团 或异戊基基团，以及R19是环氧基基团、醇基基团、氨基基团或羧酸基基团。 在上述光刻胶中，还包括交联剂。 在上述光刻胶中，所述交联剂具有以下结构： 其中，R25是氢、环氧基、CH 20CH3、CH2OC2H5、CH 2OC3H7、CH2OC4H 9、CH2CH3OCH3、 CH2CH3OC2H5' CH2CH3OC3H7或 CH 2CH30C4H9 〇 根据本专利技术的又一方面，还提供了一种光刻胶，包括：将分解的基团，键合至烃主 链；以及再附接基团，键合至所述将分解的基团。 在上述光刻胶中，所述再附接基团是0CH3、0C2H 5、0C3H7、OC4H9、环氧基、CH 20CH3、 CH2OC2H5、CH2OC3H 7、CH2OC4H9、CH2CH 3OCH3、CH2CH3OC2H 5、CH2CH3OC3H7或 CH2CH3OC4H9O 在上述光刻胶中，所述再附接基团是H或0H。 在上述光刻胶中，还包括具有交联位点的非离去单体。 在上述光刻胶中，所述交联位点具有以下结构： 其中，R14是 H、OH、0CH3、0C2H5、0C3H 7、OC4H9、环氧基、CH20CH3、CH 20C2H5、CH20C3H 7、 CH20C4H9、CH2CH30CH 3、CH2CH30C2H5、CH 2CH3OC3H7或 CH2CH3OC4H9，并且其中，R15是 Cl 至 C5 烷基 链。 在上述光刻胶中，所述交联位点具有以下结构： 其中，R14是 H、OH、0CH3、0C2H5、0C3H 7、OC4H9、环氧基、CH20CH3、CH 20C2H5、CH20C3H 7、 CH20C4H9、CH2CH30CH 3、CH2CH30C2H5、CH 2CH3OC3H7或 CH2CH3OC4H9，并且其中，R15是 Cl 至 C5 烷基 链。 根据本专利技术的又一方面，还提供了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：将 光刻胶分配至衬底上，其中，所述光刻胶包括：附接至烃主链的高抗蚀刻结构；和键合至所 述高抗蚀刻结构的将分解的基团；将所述光刻胶曝光于图案化的能量源；以及显影所述光 刻胶。 在上述方法中，所述高抗蚀刻结构具有以下结构： LiN 丄uouydszb /\ o/jo jm 其中，R1是甲基基团、乙基基团、丙基基团、异丙基基团、丁基基团、异丁基基团、戊 基基团或异戊基基团，并且其中，R 2具有以下结构： 其中，&是所述将分解的基团。 在上述方法中，所述高抗蚀刻结构具有以下结构： 其中，私是Cl至C3烷基链，并且R2具有以下结构： …*t见 其中，&是所述将分解的基团。 在上述方法中，曝光所述光刻胶诱导具有交联位点的单体中的交联反应。 在上述方法中，所述交联反应包括交联剂。 在上述方法中，所述交联剂具有以下结构： 其中，R25是氢、环氧基、CH 20CH3、CH2OC2H5、CH 2OC3H7、CH2OC4H 9、CH2CH3OCH3、 CH2CH3OC2H5' CH2CH3OC3H7或 CH 2CH30C4H9 〇 在上述方法中，显影所述光刻胶还包括应用负性显影剂。【附图说明】 当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳地理解本专利技术的各个方面。应该 注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件 的尺寸可以被任意增大或减小。 图1示出了根据一些实施例的具有将被图案化的层和光刻胶的衬底； 图2示出了根据一些实施例的具有将分解的基团的光刻胶； 图3示出了根据一些实施例的具有交联位点的光刻胶； 图4示出了根据一些实施例的具有将分解的再附接（reattaching)基团的光刻 胶； 图5示出了根据一些实施例的光刻胶的曝光； 图6A至图6C示出了据一些实施例的光刻胶树脂将与质子反应的机理； 图7示出了根据一些实施例的光刻胶的显影； 图8示出了根据一些实施例的显影剂的去除； 图9示出了与光刻胶一起利用底部抗反射层和中间层的另一实施例；以及 图10示出了使用底部抗反射层、中间层和光刻胶来图案化将被图案化的层。【具体实施方式】 以下公开内容提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。 下面描述了组件和布置的具体实例以简化本专利技术。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本 专利技术。此外，在随后的说明书中，在第二工艺之前实施第一工艺可包括在第一工艺之后立即 实施第二工艺的实施例，并且还可以包括在第一工艺和第二工艺之间可实施额外工艺的实 施例。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二 部件以直接接触的方式形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形 成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本专利技术可在 各个实例中重复参考标号和/或字符。该重复是为了简单和清楚的目的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光刻胶，包括：烃主链；高抗蚀刻结构，附接至所述烃主链；以及将分解的基团，键合至所述高抗蚀刻结构。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：吴振豪，赖韦翰，张庆裕，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71