光刻返工后残留光刻胶的去除方法技术

本发明专利技术公开了一种光刻返工后残留光刻胶的去除方法，包括下列步骤：使用氢氟酸溶液浸泡残留有光刻胶的晶圆；使用SPM溶液对所述残留有光刻胶的晶圆进行清洗；使用APM对所述残留有光刻胶的晶圆进行清洗。本发明专利技术能够去除返工后仍然残留在晶圆上的光刻胶（通常已发生碳化），因此能够降低生产成本、提高生产原料利用率，避免造成浪费。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件的制造方法，特别是涉及一种光刻返工后残留光刻胶的去除方法。
技术介绍
在半导体制造中，光刻经常会遇到由于各种各样的原因导致的异常返工。其中，如果是在涂胶腔发生的异常（例如涂胶不良、双重涂胶等），处理起来就很麻烦，需要先内部去胶（EBR去胶）后再进行返工，否则就会有返工后去胶不干净的风险。假如确实发生了返工之后光刻胶未去干净的情况，则此时残留的光刻胶通过再次返工通常无法去除，因此晶圆就会被报废。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种光刻返工后残留光刻胶的去除方法。一种光刻返工后残留光刻胶的去除方法，包括下列步骤：使用氢氟酸溶液浸泡残留有光刻胶的晶圆；使用第一溶液对所述残留有光刻胶的晶圆进行清洗；使用第二溶液对所述残留有光刻胶的晶圆进行清洗；所述第一溶液是硫酸和双氧水的混合溶液、所述第二溶液是氨水和双氧水的混合溶液，或所述第二溶液是硫酸和双氧水的混合溶液、所述第一溶液是氨水和双氧水的混合溶液。在其中一个实施例中，所述氢氟酸溶液中H2O和HF的摩尔比为100:1。在其中一个实施例中，所述使用氢氟酸溶液浸泡残留有光刻胶的晶圆的步骤中浸泡时间为30秒。在其中一个实施例中，所述硫酸和双氧水的混合溶液中H2SO4和H2O2的摩尔比为5:1。在其中一个实施例中，所述氨水和双氧水的混合溶液中NH4OH、H2O2、H2O的摩尔比为1:2:10。在其中一个实施例中，所述使用第一溶液对所述残留有光刻胶的晶圆进行清洗的步骤和使用第二溶液对所述残留有光刻胶的晶圆进行清洗的步骤中清洗时间为10分钟。在其中一个实施例中，所述使用第一溶液对所述残留有光刻胶的晶圆进行清洗的步骤和使用第二溶液对所述残留有光刻胶的晶圆进行清洗的步骤中是进行超声波清洗。在其中一个实施例中，使用第一溶液对所述残留有光刻胶的晶圆进行清洗并使用第二溶液对所述残留有光刻胶的晶圆进行清洗是进行两次。在其中一个实施例中，所述光刻胶为残留在多晶硅层表面的光刻胶。上述光刻返工后残留光刻胶的去除方法，能够去除返工后仍然残留在晶圆上的光刻胶（通常已发生碳化），因此能够降低生产成本、提高生产原料利用率，避免造成浪费。附图说明图1是一实施例中光刻返工后残留光刻胶的去除方法的流程图。具体实施方式为使本专利技术的目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。图1是一实施例中光刻返工后残留光刻胶的去除方法的流程图，包括下列步骤：S110，使用氢氟酸溶液（DHF）浸泡残留有光刻胶的晶圆。首先将光刻返工后有光刻胶残留的晶圆浸泡在稀释的DHF中。在本实施例中，是采用H2O和HF的摩尔比为100:1的DHF溶液，浸泡的时间为30秒。在其它实施例中，本领域技术人员可以对溶液浓度和浸泡时间进行适当的调整。S120，使用硫酸和双氧水的混合溶液（SPM）对残留有光刻胶的晶圆进行清洗。在DHF中的浸泡完成后，使用SPM对残留有光刻胶的晶圆进行清洗。本实施例中，是采用H2SO4和H2O2的摩尔比为5:1的SPM溶液，清洗的时间为10分钟。为了取得更好的清洗效果，可以采用超声波清洗的方式，即用超声波清洗机（清洗剂为上述SPM溶液）对该晶圆进行清洗。在其它实施例中，本领域技术人员可以对溶液浓度和清洗时间进行适当的调整。S130，使用氨水和双氧水的混合溶液的混合溶液（APM）对残留有光刻胶的晶圆进行清洗。实施例中，是采用NH4OH、H2O2、H2O的摩尔比为1:2:10的APM溶液，清洗的时间为10分钟。为了取得更好的清洗效果，可以采用超声波清洗的方式，即用超声波清洗机（清洗剂为上述APM溶液）对该晶圆进行清洗。在其它实施例中，本领域技术人员可以对溶液浓度和清洗时间进行适当的调整。可以理解的，上述步骤S120和S130可以互换，即先进行APM的清洗再进行SPM的清洗。实际生产中发现，清洗步骤反复两次的效果较好，即做完一次SPM+APM的超声波清洗后，再重复一次步骤S120和步骤S130。上述光刻返工后残留光刻胶的去除方法，能够去除返工后仍然残留在晶圆上的光刻胶（通常已发生碳化），该残留光刻胶因为用普通的返工方法难以去除，所以会导致良率降低或需要直接对晶圆进行报废。采用上述光刻返工后残留光刻胶的去除方法去胶后能够降低生产成本、提高生产原料利用率，避免造成浪费。下面的表格示出了两组返工后多晶硅层上的光刻胶未去除干净的晶圆在使用上述光刻返工后残留光刻胶的去除方法去胶前后多晶硅层的厚度变化，该多晶硅层未进行掺杂。可以看到多晶硅被刻蚀的速率约为经专利技术人实验研究，多晶硅的损失主要是APM造成的。从下表可以看到，采用上述光刻返工后残留光刻胶的去除方法多晶硅的损失非常小，在安全范围内。以上是使用光刻返工后残留光刻胶的去除方法对多晶硅层进行的验证实验，其它层次去胶时也可以参考使用。以上所述实施例仅表达了本专利技术的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本专利技术专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本专利技术的保护范围。因此，本专利技术专利的保护范围应以所附权利要求为准。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光刻返工后残留光刻胶的去除方法，包括下列步骤：使用氢氟酸溶液浸泡残留有光刻胶的晶圆；使用第一溶液对所述残留有光刻胶的晶圆进行清洗；使用第二溶液对所述残留有光刻胶的晶圆进行清洗；所述第一溶液是硫酸和双氧水的混合溶液、所述第二溶液是氨水和双氧水的混合溶液，或所述第二溶液是硫酸和双氧水的混合溶液、所述第一溶液是氨水和双氧水的混合溶液。

【技术特征摘要】
1.一种光刻返工后残留光刻胶的去除方法，包括下列步骤：
使用氢氟酸溶液浸泡残留有光刻胶的晶圆；
使用第一溶液对所述残留有光刻胶的晶圆进行清洗；
使用第二溶液对所述残留有光刻胶的晶圆进行清洗；
所述第一溶液是硫酸和双氧水的混合溶液、所述第二溶液是氨水和双氧水
的混合溶液，或所述第二溶液是硫酸和双氧水的混合溶液、所述第一溶液是氨
水和双氧水的混合溶液。
2.根据权利要求1所述的光刻返工后残留光刻胶的去除方法，其特征在于，
所述氢氟酸溶液中H2O和HF的摩尔比为100:1。
3.根据权利要求2所述的光刻返工后残留光刻胶的去除方法，其特征在于，
所述使用氢氟酸溶液浸泡残留有光刻胶的晶圆的步骤中浸泡时间为30秒。
4.根据权利要求1所述的光刻返工后残留光刻胶的去除方法，其特征在于，
所述硫酸和双氧水的混合溶液中H2SO4和H2O2的摩尔比为5:1。
5.根据权利要求1或4所述的光刻返工后残留光刻胶...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈佳，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32