【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造，特别是涉及一种光学临近修正方法，还涉及一种掩模版，一种可读存储介质及一种计算机设备。
技术介绍
1、随着超大规模集成电路(ulsi，ultra large scale integration)的飞速发展，集成电路制造工艺变得越来越复杂和精细。其中光刻技术是集成电路制造工艺发展的驱动力，也是最为复杂的技术之一。相对于其他单个制造技术来说，光刻技术的提高对集成电路的发展具有重要意义。在光刻工艺开始之前，首先需要将图案通过特定设备复制到掩模版上，然后通过光刻机将掩模版上的图案结构复制到生产芯片的硅片上。但是由于半导体器件尺寸的缩小，曝光所用的波长大于物理版图设计的理想图形的尺寸和图形之间的间距，光波的干涉和衍射效应使得实际光刻产生的物理图形和物理版图设计的理想图形之间存在很大的差异，实际图形的形状和间距发生很大的变化，甚至影响电路的性能。
2、产生这种差异的一个重要原因是光刻所用光束波长大于物理版图设计的理想图形的尺寸和图形之间的间距时，光学波长大于物理版图设计的理想图形的尺寸和图形之间的间距时产生光学临近效应的作用。因此，为了解决所述问题可以对所述掩模版进行光学临近修正(opc,optical proximity correction)。
3、随着光刻关键尺寸(critical dimension，cd)越来越小，设计图形的复杂度越来越高，对opc修正精度提出了更高的要求。专利技术人发现，对于一些与其他图形相邻的线条端，会出现修正精度不足的问题，参照图1。图1中三个长方形区域为设计图形，
技术实现思路
1、基于此，有必要提供一种能够提高与其他图形相邻的线条端图形的opc修正精度的光学临近修正方法。
2、一种光学临近修正方法，包括：获取掩模版设计图形；对掩模版设计图形的外边缘进行解析分割；在所述掩模版设计图形中宽度不大于第一尺寸的线条端图形的第一长边上，按照预设的目标点间距放置多个目标点；所述掩模版设计图形包括与所述第一长边的距离不大于第一距离的图形；根据opc模型对所述掩模版设计图形进行模拟，得到模拟曝光图形；计算所述模拟曝光图形与所述掩模版设计图形的边缘放置误差；根据所述边缘放置误差对所述掩模版设计图形进行调整，得到掩模版制版图形。
3、上述光学临近修正方法，对于周围有其他图形的线条端图形(即线条端邻边片段)，以线条端图形的宽度是否大于第一尺寸作为是否需要牺牲修正效率来提高修正精度的判断基准，对于满足条件的线条端邻边片段放置多个目标点，从而有效地提高opc修正精度，避免出现pinch。
4、在其中一个实施例中，所述对掩模版设计图形的外边缘进行解析分割的步骤包括：在所述掩模版设计图形中宽度大于第一尺寸的线条端图形的两条长边上除长边端点外只各放置一个目标点。
5、在其中一个实施例中，所述第一尺寸是0.18微米。
6、在其中一个实施例中，所述第一距离是0.55微米。
7、在其中一个实施例中，所述掩模版设计图形包括与所述线条端图形的第一长边的距离不大于第一距离的图形，和与所述线条端图形的第二长边的距离不大于第一距离的图形，所述第一长边和第二长边为一组对边。
8、在其中一个实施例中，所述掩模版设计图形还包括与所述线条端图形的第一短边的距离不大于所述第一距离的图形。
9、在其中一个实施例中，所述根据所述边缘放置误差对所述掩模版设计图形进行调整的步骤包括：根据每一段所述外边缘对应的边缘放置误差的值，调整所述掩模版设计图形以使边缘放置误差的值趋于零。
10、在其中一个实施例中，所述边缘放置误差为所述模拟曝光图形的位置减去所述掩模版设计图形的位置。
11、在其中一个实施例中，所述根据所述边缘放置误差对所述掩模版设计图形进行调整，得到掩模版制版图形的步骤包括：步骤a，根据所述边缘放置误差对所述掩模版设计图形进行调整；步骤b，根据opc模型对所述调整后的掩模版设计图形进行模拟，得到再次模拟曝光图形；步骤c，计算所述再次模拟曝光图形与所述调整后的掩模版设计图形的边缘放置误差；反复执行所述步骤a、步骤b及步骤c，直到满足预设条件，得到所述掩模版制版图形。
12、在其中一个实施例中，若步骤a调整的次数达到预设阈值，则不再进行调整，将最后一次调整得到的掩模版设计图形作为掩模版制版图形。
13、在其中一个实施例中，所述预设条件是每一段所述掩模版设计图形的所述外边缘对应的边缘放置误差的绝对值小于预设值。
14、还有必要提供一种掩模版，所述掩模版是根据上述任一实施例所述的光学临近修正方法得到的掩模版制版图形制成。
15、还有必要提供一种可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述任一实施例所述的光学临近修正方法的步骤。
16、还有必要提供一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述任一实施例所述的光学临近修正方法的步骤。
17、还有必要提供一种计算机程序产品，包括计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现前述任一实施例所述的光学临近修正方法的步骤。
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1.一种光学临近修正方法，包括：
2.根据权利要求1所述的光学临近修正方法，其特征在于，所述对掩模版设计图形的外边缘进行解析分割的步骤包括：在所述掩模版设计图形中宽度大于第一尺寸的线条端图形的两条长边上除长边端点外只各放置一个目标点。
3.根据权利要求1所述的光学临近修正方法，其特征在于，所述第一尺寸是0.18微米；和/或所述第一距离是0.55微米。
4.根据权利要求1所述的光学临近修正方法，其特征在于，所述掩模版设计图形包括与所述线条端图形的第一长边的距离不大于所述第一距离的图形，和与所述线条端图形的第二长边的距离不大于所述第一距离的图形，所述第一长边和第二长边为一组对边。
5.根据权利要求4所述的光学临近修正方法，其特征在于，所述掩模版设计图形还包括与所述线条端图形的第一短边的距离不大于所述第一距离的图形。
6.根据权利要求1所述的光学临近修正方法，其特征在于，所述根据所述边缘放置误差对所述掩模版设计图形进行调整的步骤包括：根据每一段所述外边缘对应的边缘放置误差的值，调整所述掩模版设计图形以使边缘放置误差的值趋于零。
7.根据权利要求1所述的光学临近修正方法，其特征在于，所述边缘放置误差为所述模拟曝光图形的位置减去所述掩模版设计图形的位置。
8.一种掩模版，其特征在于，所述掩模版是根据权利要求1-7中任一项所述的光学临近修正方法得到的掩模版制版图形制成。
9.一种可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至7中任一项所述的方法的步骤。
10.一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求1至7中任一项所述的光学临近修正方法的步骤。
...【技术特征摘要】
1.一种光学临近修正方法，包括：
2.根据权利要求1所述的光学临近修正方法，其特征在于，所述对掩模版设计图形的外边缘进行解析分割的步骤包括：在所述掩模版设计图形中宽度大于第一尺寸的线条端图形的两条长边上除长边端点外只各放置一个目标点。
3.根据权利要求1所述的光学临近修正方法，其特征在于，所述第一尺寸是0.18微米；和/或所述第一距离是0.55微米。
4.根据权利要求1所述的光学临近修正方法，其特征在于，所述掩模版设计图形包括与所述线条端图形的第一长边的距离不大于所述第一距离的图形，和与所述线条端图形的第二长边的距离不大于所述第一距离的图形，所述第一长边和第二长边为一组对边。
5.根据权利要求4所述的光学临近修正方法，其特征在于，所述掩模版设计图形还包括与所述线条端图形的第一短边的距离不大于所述第一距离的图形。
6.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：曹楠，王谨恒，王浩，陈洁，朱斌，张剑，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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