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一种图案光阻的微缩制程，包括：提供一半导体底材，其上具有一光阻层；藉由一光学微影制程形成多个具有第一线宽的图案光阻于半导体底材上；进行一酸化制程以形成一具有酸性物质的扩散层于多个图案光阻上；进行一再烘烤制程以使扩散层内的酸性物质扩散至多个图...
该专利属于联华电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司授权不得商用。

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