具有共通源极导线的半导体结构制造技术

具有共通源极导线的半导体结构，至少包含二条字元线、多条位元线、硅层与金属硅化物层。在此硅层位于二条字元线间并与其电性隔离，但与这些位元线电性耦接，而金属硅化物层位于硅层上并与硅层电性耦接。此外，硅层与金属硅化物层二者可以用含硅传导层所取代，并且硅层与金属硅化物层二者可以用来直接电性耦接位于底材中且相互电性隔离的多个掺杂区域。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关一种具有共通源极导线(common source line)的半导体结构。(2)
技术介绍
共通源极导线是半导体产品常见的结构，特别是常见于快闪存储器等存储器晶胞中。如图1A的俯视图所示，共通源极导线10通常位于相邻但相互隔离的两个基极11中间，但与这些基极11电性隔离而与位于二个基极11之间的多个掺杂区域12电性耦接。举例来说，对一些快闪存储器晶胞而言，二个基极11即为两条字元线，多个掺杂区域12即为多条位元线，而此时共通源极导线10是用来控制多个源极(任一个源极皆为某一位元线的一部份)的导通，因此通常是数条位元线共用一个与一源极接触(source contact)电性耦接的共通源极导线。由于共通源极导线10与多个掺杂区域12电性耦接，而这些掺杂区域12又通常位于底材表层，因此如图1B与图1C的二个沿图1A中的AA’的横截面图所示，习知技术中共通源极导线10有两种常见的结构。一种是如图1B所示那样，将位于相邻掺杂区域12之间或与掺杂区域12相邻的部份底材13转变为传导区域14；另一种则是图1C所示般，形成金属层15在隔离层16上并与这些掺杂区域12直接源极接触。在此本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有共通源极导线的半导体结构，其特征在于，包括：一第一字元线；一第二字元线；多条位元线；一硅层，该硅层位于一底材上并位于该第一字元线与该第二字元线间，该硅层与这些位元线电性耦接但与这些字元线电性隔离；和　 　一金属硅化物层，该金属硅化物层位于该硅层上并与该硅层电性耦接。

【技术特征摘要】
1.一种具有共通源极导线的半导体结构，其特征在于，包括一第一字元线；一第二字元线；多条位元线；一硅层，该硅层位于一底材上并位于该第一字元线与该第二字元线间，该硅层与这些位元线电性耦接但与这些字元线电性隔离；和一金属硅化物层，该金属硅化物层位于该硅层上并与该硅层电性耦接。2.如权利要求1所述的具有共通源极导线的半导体结构，其特征在于，任一该字元线为一基极。3.如权利要求1所述的具有共通源极导线的半导体结构，其特征在于，该基极具有一间隙壁于其侧壁。4.如权利要求1所述的具有共通源极导线的半导体结构，其特征在于，该硅层为一多晶硅层。5.如权利要求1所述的具有共通源极导线的半导体结构，其特征在于，该硅层为一掺杂多晶硅层。6.如权利要求1所述的具有共通源极...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈柏安，徐隽，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]