固化多孔低介电常数层的方法技术

一种固化多孔低介电常数层的方法，应用于已形成有一多孔低介电常数层的基底，此多孔低介电常数层中尚含有一成孔剂。首先对多孔低介电常数层进行处理条件较温和的第一紫外光固化处理，再对多孔低介电常数层进行处理条件较剧烈的第二紫外光固化处理，以完成其固化。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种集成电路工艺(IC process),且特别是有关于一种固 化(cure)多孑L低介电常数层(porous low- k layer)的方法。
技术介绍
随着IC工艺的线宽缩减到深次微米级，电阻电容延迟(RC delay)效应的 影响也愈来愈大。降低电阻电容延迟效应的方法之一即是减少寄生电容，而 减少寄生电容的方法之一是使用低介电常数材料(low-k material)作为内连线 结构的介电层的材料。常见的低介电常数材料包括有机低介电常数材料及多孔低介电常数材 料。多孔低介电常数层通常使用多孔结构骨架(framework)的前驱物(:precursor) 以及成孔剂(porogen)来形成，且其形成之后尚须经过固化的步骤以除去其中 的成孔剂，从而降低其介电常数值。多孔低介电常数层可通过加热、紫外光照射及电子束照射等方式来固 化，已知一种固化方法，即将基底加热至300。C或更高温，并同时向多孔低 介电常数层照射紫外光或电子束，其处理时间依多孔低介电常数层的厚度而 定。其中，紫外光或电子束可打断成孔剂分子的化学键，高温则可将成孔剂赶出多孔结构。然而，紫外光或电子束本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种固化多孔低介电常数层的方法，应用于已形成有一多孔低介电常数层的基底，其中该多孔低介电常数层中尚含有一成孔剂，该方法包括：对该多孔低介电常数层进行处理条件较温和的第一紫外光固化处理；以及对该多孔低介电常数层进行处理条件较剧 烈的第二紫外光固化处理，以完成其固化。

【技术特征摘要】
1. 一种固化多孔低介电常数层的方法，应用于已形成有一多孔低介电常数层的基底，其中该多孔低介电常数层中尚含有一成孔剂，该方法包括对该多孔低介电常数层进行处理条件较温和的第一紫外光固化处理；以及对该多孔低介电常数层进行处理条件较剧烈的第二紫外光固化处理，以完成其固化。2. 如权利要求1所述的固化多孔低介电常数层的方法，其中与该第一紫 外光固化处理相比较，该第二紫外光固化处理的处理条件包含以下三者中的 至少一者较高的温度、较高的紫外光强度、以及较大的紫外光波数。3. 如权利要求2所述的固化多孔低介电常数层的方法，其中在该第 一紫 外光固化处理中，温度、紫外光强度及紫外光波数此三参数中至少有一者的 数值随时间呈线性增加，该第二紫外光固化处理的条件则保持固定。4. 如权利要求2所述的固化多孔低介电常数层的方法，其中该第一紫外 光固化处理的条件保持固定，而在该第二紫外光固化处理中，温度、紫外光 强度及紫外光波数此三参数中至少有一者的数值随时间呈线性增加。5. 如权利要求2所述的固化多孔低介电常数层的方法，其中该第一和第 二紫外光固化处理的条件皆保持固定，且该方法还包括介于该第 一和第二紫 外光固化处理之间的中间阶段，该中间阶段中温度、紫外光强度及紫外光波 数此三参数中至少有一者的数值随时间呈线性增加。6. 如权利要求1所述的固化多孔低介电常数层的方法，其中与该第一紫 外光固化处理相较下，该第二紫外光固化处理所设定的温度较高。7. 如权利要求6所述的固化多孔低介电常数层的方法，其中该第一紫外 光固化处理的温度Tl低于300°C，该第二紫外光固化处理的温度T2高于 300。C。8. 如权利要求7所述的固化多孔低介电常数层的方法，其中 150。CST1〈300。C且300。C<T2S450oC。9. 如权利要求8所述的固化多孔低介电常数层的方法，其中该第一紫外 光固化处理时的强度为20 300mW/cm2，该第二紫外光固化处理时的紫外光 强度为20 300 mW/cm2,该第一紫外光固化处理的时间为1 240分钟，且该 第二紫外光固化处理的时间为1 240分钟。10.如权利要求9所述的固化多孔低介电常数层的方法，其中该第 一紫外光固化处理时的紫外光强度为100 270 mW/cm2，该第二紫外光固化处理时 的紫外光强度为100 300 mW/cm2，该第一紫外光固化处理的时间为1 120 分钟，且该第二紫外光固化处理的时间为2 60分钟。11. 如权利要求1所述的固化多孔低介电常数层的方法，其中该紫外光的 波数为2.5xl04 106cm。12. 如权利要求11所述的固化多孔低介电常数层的方法，其中该紫外光 的波数为2.5xl04 5xl04cm。13.如权利要求1所述的固化多孔低介电常数层的方法，其中该多孔低介 电常数层是以使用该成孔剂的等离子体辅助化学气相沉积法或旋涂法所形 成的。14. 如权利要求1所述的固化多孔低介电常数层的方法，其中该多孔低介 电常数层在固化完成之后的介电常数s的范围为1.0<^2.7。15. 如权利要求1所述的固化多孔低介电常数层的方法，其中该第一和第 二紫外光固化处理是在处理腔室中进行，且在该第一和第二紫外光固化处理 之间，该处理腔室不破真空或破真空。...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈美玲，赖国智，宋述仁，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]