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本发明公开了一种低介电常数层的制作方法，本发明所制作的低介电常数层包括两层，下层为采用OMCTS和氧气形成的第一低介电常数层，上层为采用OMCTS和氩气（Ar）形成的第二低介电常数层，由于第二低介电常数层比较硬且具有低介电常数，所以后续抛光...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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