用于对低介电常数材料层进行蚀刻后处理的方法技术

本发明专利技术提供一种用于对低介电常数材料层进行蚀刻后处理的方法，包括：提供衬底，在所述衬底上提供有经蚀刻而具有第一沟槽的低介电常数材料层；以及使用Ar和He中的至少一种作为蚀刻气体执行第一蚀刻后处理，以使所述低介电常数材料层的表面致密化。该方法能够修复并减少低k介电层中的损伤（例如C耗尽层），以提高低k介电层对潮湿环境等的耐受能力，进而改善半导体器件的整体电学性能。此外，该方法还可以与传统CMOS制造工艺兼容，以降低制造成本。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种用于对低介电常数材料层进行蚀刻后处理的方法，包括：提供衬底，在所述衬底上提供有经蚀刻而具有第一沟槽的低介电常数材料层；以及使用Ar和He中的至少一种作为蚀刻气体执行第一蚀刻后处理，以使所述低介电常数材料层的表面致密化。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王冬江，周俊卿，张海洋，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：