温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种用于对低介电常数材料层进行蚀刻后处理的方法，包括：提供衬底，在所述衬底上提供有经蚀刻而具有第一沟槽的低介电常数材料层；以及使用Ar和He中的至少一种作为蚀刻气体执行第一蚀刻后处理，以使所述低介电常数材料层的表面致密化。该方法能...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。