本公开涉及电子器件。一种电子器件，包括：衬底，具有第一表面；第一部分，包括衬底的第一表面上的存储单元阵列，存储器单元阵列包括多个行和多个列；第二部分，包括多个晶体管；第一多个沟槽，分隔存储器单元的多个行中的每一行的第一多个衬底区域，第一...

本公开的各实施例涉及横向双极晶体管和包括其的电子电路。一种横向双极晶体管，包括：发射极区域，掺杂有第一导电类型，具有第一宽度和第一平均掺杂浓度；集电极区域，掺杂有该第一导电类型，具有大于该发射极区域的该第一宽度的第二宽度和低于该第一平均...

本公开涉及填充在半导体衬底中形成的沟槽的方法。实施例提供了一种形成半导体器件的方法。在半导体衬底的沟槽中沉积第一硅层作为非晶层。第二硅层沉积在第一硅层的顶部并且与第一硅层接触，作为多晶硅层。在沉积第二硅层之后，第一硅层包括平均晶粒尺寸不...

本公开涉及图像传感器。本说明书涉及一种形成在半导体衬底内部和顶部上的图像传感器，该传感器包括多个像素，每个像素包括形成在衬底中的光电检测器，该传感器包括至少第一和第二二维超颖表面，第一和第二二维超颖表面在所述多个像素前侧按此顺序堆叠，每...

MOSFET晶体管在半导体层上包括栅极绝缘体和栅极绝缘体上的栅极区域的堆叠。栅极区域具有第一栅极部分以及在第一栅极部分和栅极绝缘体之间的第二栅极部分。第一栅极部分在晶体管的第一横向方向上具有第一长度。第二栅极部分在第一横向方向上具有比第...

本公开涉及电子器件制造方法。本说明书涉及一种制造器件的方法，所述器件包括其中形成有存储器单元阵列的第一部分和其中形成有晶体管的第二部分，所述方法包括：a形成将同一单元行的衬底区域彼此分隔的第一绝缘沟槽，以及b形成将同一单元列的区域彼此分...

本公开涉及包括与硅区接触的金属柱的集成电路以及相应的制造方法。集成电路包括至少一个硅区和在欧姆耦合区与至少一个硅区接触的至少一个金属柱。所述至少一个金属柱通过以下步骤形成：在所述至少一个硅区域上沉积钛层；在钛层上沉积氮化钛原子层；以及在...

本公开涉及光电二极管和电子器件。一种光电二极管，包括半导体衬底，具有第一表面和第二表面；其中，所述半导体衬底包括通过外延生长形成的第一N型半导体区域和第二N型半导体区域；其中所述第二N型半导体区域比所述第一N型半导体区域被更重掺杂；其中...

本公开涉及光学传感器。一种光学传感器，包括：支撑衬底；第一微透镜结构，设置在支撑衬底上并且具有弯曲形状，其中第一微透镜结构通过间隔件区域彼此分隔；以及第二微透镜结构，在第一微透镜结构上方延伸且变形，使得第二微透镜结构具有与第一微透镜结构...

一种横向双极晶体管，包括：发射极区域，掺杂有第一导电类型，具有第一宽度和第一平均掺杂浓度；集电极区域，掺杂有该第一导电类型，具有大于该发射极区域的该第一宽度的第二宽度和低于该第一平均掺杂浓度的第二平均掺杂浓度；以及基极区域，被定位在该发...

本公开涉及绝缘体上硅类型的半导体器件和相应的制造方法。绝缘体上硅类型的半导体器件包括在载体衬底的P型阱中的NMOS晶体管，在载体衬底的N型阱中的PMOS晶体管，以及被配置为在P型阱和N型阱中产生电压以便选择性地向NMOS晶体管和PMOS...

本公开涉及光学漫射器。一种光学漫射器，包括：第一层，具有导电轨道；以及第二层，第一层在第二层上，第二层具有跨第二层的整个厚度延伸的至少两个导电柱，第二层包括至少一个第一区域，至少一个第一区域位于导电轨道下方并且不包括柱。由此，提供了改进...

本公开涉及微透镜的制造方法。根据一个实施例，一种用于在支撑衬底上制造光学器件的方法包括：使用第一光刻工艺在所述支撑衬底上形成第一微透镜结构，使得所述第一微透镜结构彼此分隔；使所述第一微透镜结构变形以赋予所述第一微透镜结构弯曲的形状，其中...

公开了用于制造光电子设备的方法。在第一支撑体上彼此间隔开的很多第一层的每个第一层上，通过外延生长制造一种光电子设备，其中第一层由第一半导体材料制成，第二层由第二半导体材料制成。在半导体层的堆叠的每个第二层上进一步进行外延生长。每个堆叠包...

本公开涉及集成电路。一种集成电路，包括：半导体衬底；所述半导体衬底中的电有源区域；以及导热保护结构，所述导热保护结构围绕所述电有源区域在所述集成电路的边界处延伸。由此，提供了改进的集成电路。提供了改进的集成电路。提供了改进的集成电路。

本公开的实施例涉及电子器件。电子器件包括第一电子芯片、第二电子芯片和互连电路。第一电子芯片的第一表面的第一区域通过混合键合而被组装到互连电路的第三表面的第三区域。第二电子芯片的第二表面的第二区域被混合而被组装到互连电路的第三表面的第四区...

本公开涉及SOI结构上MOS晶体管。一种器件包括有源半导体层，所述有源半导体层位于覆盖在半导体衬底上的绝缘层顶部上并且与所述绝缘层接触。所述器件的晶体管包括布置在所述有源半导体层中的源极区、漏极区和本体区。所述晶体管的所述本体区使用穿过...

本公开的实施例涉及电子器件。电子器件包括第一电子芯片、第二电子芯片和互连电路。第一电子芯片的第一表面的第一区域通过混合键合而被组装到互连电路的第三表面的第三区域。第二电子芯片的第二表面的第二区域被混合而被组装到互连电路的第三表面的第四区...

本公开涉及半导体器件。一种半导体器件，包括：半导体衬底晶片，具有正主面和背主面；第一正层，包括设置在正主面上的第一材料结构，并且第一正层包括设置在第一正层中的第一多个沟槽；第二正层，包括在第一正层之上延伸的第二材料结构，并且第二正层被设...

本公开涉及用于制造半导体器件的方法。根据实施例，一种用于制造半导体器件的方法包括：分别在半导体衬底晶片的正主面和背主面上形成第一材料的第一正层和第一背层；分别在所述第一正层的表面和所述第一背层的表面中形成第一多个沟槽和第二多个沟槽；在所...