本公开的各实施例涉及多光谱图像传感器和多光谱传感器。多光谱图像传感器包括半导体层和形成在半导体层内部和之上的多个像素。像素包括形成在半导体层的第一部分的内部和之上的第一类型的第一像素和形成在半导体层的第二部分的内部和之上的第二类型的第二...

本申请涉及多光谱图像传感器和多光谱传感器。多光谱图像传感器包括半导体层和形成在半导体层内部和顶部的多个像素。每个像素包括形成在由外围绝缘壁横向限定的半导体层的部分中的有源光敏区域。像素包括第一类型的第一像素和第二类型的第二像素。第一像素...

数字电路包括由逻辑门形成的逻辑电路。每个逻辑门包括p沟道MOSFET和n沟道MOSFET。本体偏置发生器电路将n本体偏置电压施加到p沟道MOSFET的n本体偏置节点，并且将p本体偏置电压施加到n沟道MOSFET的p本体偏置节点。本体偏置...

本公开涉及电光调制器及其形成方法。在一个实施例中，电光调制器包括波导，波导具有第一主表面和与第一主表面相对的第二主表面。腔体被设置在波导中。多个量子阱被设置在腔体中。

本公开的实施例涉及波导。在一个实施例中，波导包括上游部分、下游部分和上游部分和下游部分之间的中间部分。第一波带设置在绝缘层上，该第一波带沿第一方向定向。第一侧向条带和第二侧向条带，设置在第一波带的任一侧，该第一侧向条带和第二侧向条带沿中...

本公开涉及集成全局快门图像传感器。在一个实施例中，集成图像传感器包括像素阵列，其中每个像素包括：光敏区域，被配置为通过生成电子空穴对以形成代表所生成电子‑空穴对中的电子数的第一信号和代表所生成电子‑空穴对中的空穴数的第二信号，来集成发光...

本公开的实施例涉及垂直光电二极管和具有垂直光电二极管的光电转换器。垂直光电二极管包括有源区。用于二极管端子的接触焊盘远离有源区横向移位，以便不位于有源区的上方或下方。有源区由锗区的本征的下部分和锗区的用第一导电类型掺杂的上部分而形成在半...

本申请涉及图像传感器。多光谱图像传感器包括半导体层和形成在半导体层内部和顶部的多个像素。每个像素包括形成在由外围绝缘壁横向限定的半导体层的部分中的有源光敏区域。像素包括第一类型的第一像素和第二类型的第二像素。第一像素的半导体层的部分具有...

本公开的各实施例涉及图像传感器。多光谱图像传感器包括半导体层和形成在半导体层内部和之上的多个像素。像素包括形成在半导体层的第一部分的内部和之上的第一类型的第一像素和形成在半导体层的第二部分的内部和之上的第二类型的第二像素。第一像素具有第...

本公开的实施例涉及包括集成电路和器件。本公开涉及包括一行或多行晶体管的集成电路。在一个实施例中，集成电路包括双极晶体管行，该双极晶体管行包括多个第一导电区域、第二导电区域以及共用基极，共用基极位于第一导电区域和第二导电区域之间。绝缘沟槽...

本实用新型的实施例涉及一种光学器件。一种光学波导，其被配置为传播光信号。金属通孔被布置为沿着光学波导的一部分的任一侧并且在该光学波导的该部分的任一侧上。附加金属通孔被进一步布置为在该光学波导的该部分的上游和下游、沿着光学波导任一侧并且在...

本公开的各种实施例涉及光电二极管以及光电转换器。光电二极管包括由本征锗形成的有源区域。有源区域位于在硅层中形成的腔内。腔由相对的侧壁限定，侧壁相对于与硅层的底表面垂直的方向成角度。成角度的侧壁支持具有最小晶格缺陷的本征锗的外延生长。

本公开的实施例涉及光电芯片。本实用新型涉及光电芯片，该光电芯片包括：光学输入对，其具有相同的通带，并且每个光学输入被适配于不同的偏振；至少一个待测试的光子电路；以及被配置成将两个输入耦合到待测试的电路的光学耦合装置。

一种光学波导终端设备，包括波导和围绕波导的端部部分的金属过孔。波导的端部部分具有朝向端部部分的远端减小的横向截面面积。金属过孔与同一平面正交，其中该同一平面与横向截面正交。当光信号通过波导传播时，金属过孔吸收源自端部部分的光，并且金属过...

本申请涉及集成电路。提供一种集成电路，包括衬底，该衬底具有至少一个第一域和与至少一个第一域不同的至少一个第二域。在衬底中仅在至少一个第二域的位置处提供富陷阱区域。至少一个第一域的位置不包括富陷阱区域。由此使得限制影响集成电路的所述域的射...

本公开的实施例涉及光子器件。一种光子器件，包括具有第一掺杂类型的第一区域和具有第二掺杂类型的第二区域，其中第一区域和第二区域接触以形成垂直PN结。第一区域包括具有渐变锗浓度的硅锗(SiGe)区域。

本公开的实施例涉及包括双极晶体管的集成电路。本公开涉及包括一行或多行晶体管的集成电路和方法。在一个实施例中，集成电路包括双极晶体管行，该双极晶体管行包括多个第一导电区域、第二导电区域以及共用基极，共用基极位于第一导电区域和第二导电区域之...

本公开的实施例涉及一种集成电路。双极结型晶体管包括被掩埋在半导体衬底中在本征集电极区域下方的非本征集电极区域。设置含碳钝化区域来划定所述本征集电极区域。本征集电极区域上的绝缘层包括设置有非本征基极区域的开口。半导体层覆盖绝缘层，与非本征...

本实用新型的实施例涉及电光相位调制器。一种电光相位调制器包括由条带的堆叠制成的波导。堆叠包括由第一导电类型的掺杂半导体材料制成的第一条带、由导电材料或第二导电类型的掺杂半导体材料制成的第二条带、以及由第一导电类型的掺杂半导体材料制成的第...

本公开的实施例涉及光电芯片。光电芯片包括：具有不同的通带的光学输入、待测试的光子电路、以及被配置成将所述输入耦合到待测试的光子电路的光学耦合装置。