The embodiment of the present disclosure relates to a photoelectric chip. The utility model relates to a photoelectric chip, which comprises: an optical input pair having the same passband, and each optical input is adapted to different polarization; at least one photon circuit to be tested; and an optical coupling device configured to couple two inputs to the electric circuit to be tested.
【技术实现步骤摘要】
光电芯片
本公开一般涉及光电芯片。
技术介绍
为了确保芯片的光子电路工作,对后者进行测试或表征。为此目的,在芯片的光学输入的层级处注入(inject)的光学信号被提供给待测试的电路。然后观察电路的输出信号以确定电路是否工作。
技术实现思路
在第一方面,提供了一种光电芯片,其包括:光学输入对,其具有相同的带宽,并且光学输入对均被适配于不同偏振;待测试的光子电路;以及光学耦合装置,其被配置成将光学输入对耦合到待测试的光子电路。根据一个实施例,光学耦合装置被配置成:当光电芯片的输入接收在输入的带宽中的波长的、被适配于输入的偏振信号时,向待测试的光子电路提供具有相同波长和相同偏振的信号。根据一个实施例,光学耦合装置包括光学耦合器。根据一个实施例,光学耦合器是多模干涉仪类型的。根据一个实施例,光学耦合器是渐逝耦合器。根据一个实施例,渐逝耦合器具有两个输入和两个输出。根据一个实施例,光学耦合装置包括:多模干涉仪类型的光学耦合器;以及渐逝耦合器。根据一个实施例,光学耦合装置包括光学分路器,光学分路器具有被耦合到芯片的光学输入对的输入,并且光学分路器具有被耦合到待测试的光子电路的输出。根据一个实施例,光电芯片还包括多个光学输入对,多个光学输入对中的每对的光学输入均被适配于不同的偏振,并且多个光学输入对中的每对的光学输入具有相同的带宽,相同的带宽与其他光学输入对的带宽不同。在第二方面,提供了一种光电芯片,其包括:第一光学输入对,其包括第一输入和第二 ...
【技术保护点】
1.一种光电芯片,其特征在于,包括:/n光学输入对,其具有相同的带宽,并且所述光学输入对均被适配于不同偏振;/n待测试的光子电路;以及/n光学耦合装置,其被配置成将所述光学输入对耦合到所述待测试的光子电路。/n
【技术特征摘要】
20180213 FR 18512011.一种光电芯片,其特征在于,包括:
光学输入对,其具有相同的带宽,并且所述光学输入对均被适配于不同偏振;
待测试的光子电路;以及
光学耦合装置,其被配置成将所述光学输入对耦合到所述待测试的光子电路。
2.根据权利要求1所述的光电芯片,其特征在于,所述光学耦合装置被配置成:当所述光电芯片的输入接收在所述输入的所述带宽中的波长的、被适配于所述输入的偏振信号时,向所述待测试的光子电路提供具有相同波长和相同偏振的信号。
3.根据权利要求1所述的光电芯片,其特征在于,所述光学耦合装置包括光学耦合器。
4.根据权利要求3所述的光电芯片,其特征在于,所述光学耦合器是多模干涉仪类型的。
5.根据权利要求3所述的光电芯片,其特征在于,所述光学耦合器是渐逝耦合器。
6.根据权利要求5所述的光电芯片,其特征在于,所述渐逝耦合器具有两个输入和两个输出。
7.根据权利要求1所述的光电芯片,其特征在于,所述光学耦合装置包括:多模干涉仪类型的光学耦合器;以及渐逝耦合器。
8.根据权利要求1所述的光电芯片,其特征在于,所述光学耦合装置包括光学分路器,所述光学分路器具有被耦合到所述芯片的所述光学输入对的输入,并且所述光学分路器具有被耦合到所述待测试的光子电路的输出。
9.根据权利要求1所述的光电芯片,其特征在于,还包括多个光学输入对,所述多个光学输入对中的每对的所述光学输入均被适配于不同的偏振,并且所述多个光学输入对中的每对的所述光学输入具有相同的带宽,所述相同的带宽与其他光学输入对的带宽不同。
10.一种光电芯片,其特征在于,包括:
第一光学输入对,其包括第一输入和第二输入,所述第一输入和所述第二输入均被适配于第一波长的不同的偏振;
待测试的光子电路;以及
第一光学耦合装置,其被配置成将所述第一光学输入对耦合到所述待测试的光子电路。
11.根据权利要求10所述的光电芯片,其特征在于,所述第一光学输入对的所述第一输入与所述第一光学输入对的所述第二输入平衡。
12.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员:P·勒迈特瑞,JF·卡彭蒂尔,
申请(专利权)人:意法半导体克洛尔二公司,
类型:新型
国别省市:法国;FR
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