电子器件制造技术

技术编号:41170897 阅读:30 留言:0更新日期:2024-04-30 18:35
本公开涉及电子器件。一种电子器件,包括:衬底,具有第一表面;第一部分,包括衬底的第一表面上的存储单元阵列,存储器单元阵列包括多个行和多个列;第二部分,包括多个晶体管;第一多个沟槽,分隔存储器单元的多个行中的每一行的第一多个衬底区域,第一多个沟槽具有第一厚度,以及第二多个沟槽,分隔存储器单元的多个列中的每一列的第二多个衬底区域,第二多个沟槽具有大于第一多个沟槽的第一厚度的第二厚度,其中第一沟槽和第二沟槽的上表面分由短于10nm的距离分隔。利用本公开的实施例有利地减小器件的尺寸并且还防止电流泄漏。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术大体上涉及电子器件,且更特定来说涉及包括存储器单元的器件。


技术介绍

1、包括存储器的电子器件例如包括存储器单元阵列。存储器单元阵列包括存储器单元的行和列,同一行的单元由位线耦合且同一列的单元由字线耦合。


技术实现思路

1、本公开的目的是提供电子器件,以至少部分地解决现有技术中存在的问题。

2、本公开的一方面提供了一种电子器件,包括:衬底,具有第一表面;第一部分,包括所述衬底的所述第一表面上的存储单元阵列,所述存储器单元阵列包括多个行和多个列;第二部分,包括多个晶体管;第一多个沟槽,分隔所述存储器单元的多个行中的每一行的第一多个衬底区域,所述第一多个沟槽具有第一厚度,以及第二多个沟槽,分隔所述存储器单元的多个列中的每一列的第二多个衬底区域,所述第二多个沟槽具有大于所述第一多个沟槽的所述第一厚度的第二厚度,其中所述第一沟槽和所述第二沟槽的上表面分由短于10nm的距离分隔。

3、根据一个或多个实施例,其中所述第一多个沟槽中的每一沟槽包括:第一部分,横向于所述衬底的所述第一表面并且本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电子器件,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的电子器件,其特征在于,所述第一多个沟槽中的每一沟槽包括:

3.一种电子器件,其特征在于,包括:

4.根据权利要求3所述的器件,其特征在于,所述衬底包括:

5.根据权利要求3所述的器件,其特征在于,包括所述衬底上的存储器单元阵列。

6.根据权利要求5所述的器件,其特征在于,所述存储器单元阵列包括多个行和多个列,所述多个列由所述第一多个沟槽分隔并且所述多个行由所述第二多个沟槽分隔。

7.根据权利要求3所述的器件,其特征在于,所述第二多个沟槽由多个绝缘区域分隔。...

【技术特征摘要】

1.一种电子器件,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的电子器件,其特征在于,所述第一多个沟槽中的每一沟槽包括:

3.一种电子器件,其特征在于,包括:

4.根据权利要求3所述的器件,其特征在于,所述衬底包括:

5.根据权利要求3所述的器件,其特...

【专利技术属性】
技术研发人员:R·贝特隆O·韦伯
申请(专利权)人:意法半导体克洛尔二公司
类型:新型
国别省市:

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