半导体装置、存储装置及电子设备制造方法及图纸

提供一种存储容量大且功耗低的半导体装置。该半导体装置包括第一至第三导电体、第一、第二晶体管以及MTJ元件。MTJ元件包括自由层以及固定层。在半导体装置中，从下方依次设置有第一导电体、第二导电体、自由层、固定层、第一及第二晶体管以及第三导电体。尤其是，在俯视时，第三导电体位于与第一导电体重叠的区域。第一导电体与第二导电体电连接，第二导电体与自由层及第一晶体管的第一端子电连接。固定层与第二晶体管的第一端子电连接，第一晶体管的第二端子与第二晶体管的第二端子及第三导电体电连接。此外，第一晶体管及第二晶体管都在沟道形成区域中包含金属氧化物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术的一个方式涉及半导体装置、存储装置以及电子设备。本专利技术的一个方式不局限于上述。本说明书等所公开的专利技术的涉及一种物体、工作方法或制造方法。此外，本专利技术的一个方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(composition ofmatter)。因此，具体而言，作为本说明书所公开的本专利技术的一个方式的的例子可以举出半导体装置、显示装置、液晶显示装置、发光装置、蓄电装置、摄像装置、存储装置、信号处理装置、传感器、处理器、电子设备、系统、它们的驱动方法、它们的制造方法或它们的检查方法。

技术介绍

1、近年来，随着使用数据量的增大，需要具有更大的存储容量的存储装置。为了增加单位面积的存储容量，像3dnand型存储装置等那样层叠存储单元是有效的(参照专利文献1至专利文献3)。通过层叠存储单元，可以与存储单元的层叠数相应地增加单位面积的存储容量。

2、[先行技术文献]

3、[专利文献]

4、[专利文献1]美国专利申请公开第2011/0065270号说明书本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

3.一种半导体装置，包括：

4.根据权利要求3所述的半导体装置，

5.一种半导体装置，包括：

6.根据权利要求5所述的半导体装置，

7.一种存储装置，包括：

8.一种电子设备，包括：

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种半导体装置，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

3.一种半导体装置，包括：

4.根据权利要求3所述的半导体装置，...

【专利技术属性】
技术研发人员：松崎隆德，大贯达也，加藤清，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：