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提供一种存储容量大且功耗低的半导体装置。该半导体装置包括第一至第三导电体、第一、第二晶体管以及MTJ元件。MTJ元件包括自由层以及固定层。在半导体装置中，从下方依次设置有第一导电体、第二导电体、自由层、固定层、第一及第二晶体管以及第三导电体...
该专利属于株式会社半导体能源研究所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社半导体能源研究所授权不得商用。

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