【技术实现步骤摘要】
本公开总体上涉及电子器件，并且特别是包括掺杂区域的电子器件及其制造方法。
技术介绍
1、双极晶体管是一种基于晶体管家族的半导体的电子器件。其工作原理基于两个pn结，一个正向，另一个反向。
2、双极晶体管的操作取决于双极晶体管的大量特性。双极晶体管的这一特性是它们的最大振荡频率。
3、需要具有更高最大振荡频率的双极晶体管。
4、需要克服已知半导体区域制造方法的全部或部分缺点。
技术实现思路
1、一个实施例提供了一种制造双极晶体管的方法，包括：a)在衬底中制造集电极区域的第一部分；b)形成包括由基极区域的材料制成的第一层和由第一材料制成的第二绝缘层的层的堆叠；c)形成穿过堆叠和衬底以到达集电极区域的第一部分的腔体；d)在腔体中形成集电极区域的第二部分和基极区域的第一部分；e)在腔体的底部的周边形成由与第二层相同的材料制成的第四层，该第四层具有与第二层相同的厚度；f)在基极区域的第一部分的前面形成发射极区域，第四层被部分暴露；以及g)同时去除第二层和第四层。
2、根据一个实施例，步骤a)包括形成覆盖集电极区域的第一部分的一部分的绝缘层，腔体穿过绝缘层。
3、根据一个实施例，层的堆叠包括位于两个第六绝缘层之间的第二层、第五绝缘层和第一层，第六层由与第二层的材料不同的材料制成。
4、根据一个实施例，集电极区域的第二部分和基极区域的第一部分通过外延生长形成在腔体中。
5、根据一个实施例，步骤e)包括在整个结构上
6、根据一个实施例，该方法包括：在步骤f)与步骤g)之间，步骤f1)去除间隔件和覆盖第二层的第六层。
7、根据一个实施例，步骤f)包括形成由发射极区域的材料制成的第七层，并且蚀刻第七层以部分暴露发射极区域周围的第四层。
8、根据一个实施例，该方法包括：在步骤g)之后，步骤h)外延生长第一层。
9、根据一个实施例，该方法包括：在步骤h)之后，步骤i)蚀刻第一层和第五层，以部分暴露集电极区域的第一部分。
10、根据一个实施例，该方法包括：在步骤i)之后，在基极区域、集电极区域和发射极区域上形成接触层。
11、根据一个实施例，第二层和第四层的厚度在5nm至30nm的范围内。
12、另一实施例提供了一种包括双极晶体管的器件，其中，晶体管的基极区域的接触层通过基极区域的一部分和被发射极区域覆盖的绝缘层部分与发射极区域间隔开。
13、根据一个实施例，基极区域位于晶体管的集电极区域的一部分上，发射极区域的水平尺寸小于集电极区域的一部分的水平尺寸。
14、根据一个实施例，发射极区域的水平尺寸比集电极区域的一部分的水平尺寸小180nm。
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1.一种制造双极晶体管的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中步骤a)包括形成覆盖所述集电极区域的所述第一部分的部分的绝缘层，并且其中形成所述腔体包括形成所述腔体以穿过所述绝缘层以到达所述集电极区域的所述第一部分。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述层的堆叠包括位于两个绝缘第六层之间的所述绝缘第二层、绝缘第五层和所述第一层，所述绝缘第六层由与所述绝缘第二层的所述第一材料不同的材料制成。
4.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述腔体中外延生长所述集电极区域的所述第二部分和所述基极区域的所述第一部分。
5.根据权利要求1所述的方法，其中步骤e)包括在整个结构上形成所述绝缘第四层，并且还包括：在所述绝缘第四层上靠着所述腔体的侧壁形成间隔件，其中所述腔体的底部的中心部分未被所述间隔件覆盖，以及蚀刻所述第四层的未被所述间隔件覆盖的部分。
6.根据权利要求5所述的方法，包括：在步骤f)与步骤g)之间，步骤f1)去除所述间隔件和覆盖所述绝缘第二层的绝缘第六层。
7.根据权利要求1所述的方法，其中步骤f)包括
8.根据权利要求1所述的方法，包括：在步骤g)之后，步骤h)外延生长所述第一层。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述层的堆叠包括位于两个绝缘第六层之间的所述绝缘第二层、绝缘第五层和所述第一层，所述绝缘第六层由与所述绝缘第二层的所述第一材料不同的材料制成，所述方法还包括：
10.根据权利要求9所述的方法，包括：在步骤i)之后，在所述基极区域、所述集电极区域和所述发射极区域上形成接触层。
11.根据权利要求1所述的方法，其中在步骤f)，所述绝缘第四层的所述部分的上表面未被所述发射极区域覆盖。
12.根据权利要求1所述的方法，其中所述绝缘第二层和所述绝缘第四层的相同厚度在5nm至30nm的范围内。
13.一种器件，包括双极晶体管，所述双极晶体管包括：
14.根据权利要求13所述的器件，还包括：
15.根据权利要求14所述的器件，其中所述发射极区域的水平尺寸比所述集电极区域的所述部分的水平尺寸小180nm。
16.根据权利要求13所述的器件，还包括：间隔件，位于所述发射极区域的侧面并且与所述基极区域的所述边缘部分的上表面接触。
17.根据权利要求13所述的器件，还包括：未掺杂半导体层，在所述发射极区域与所述基极区域的所述层部分之间；其中所述腔体中的所述绝缘层部分还与所述未掺杂半导体层的上表面接触。
...【技术特征摘要】
1.一种制造双极晶体管的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中步骤a)包括形成覆盖所述集电极区域的所述第一部分的部分的绝缘层，并且其中形成所述腔体包括形成所述腔体以穿过所述绝缘层以到达所述集电极区域的所述第一部分。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述层的堆叠包括位于两个绝缘第六层之间的所述绝缘第二层、绝缘第五层和所述第一层，所述绝缘第六层由与所述绝缘第二层的所述第一材料不同的材料制成。
4.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述腔体中外延生长所述集电极区域的所述第二部分和所述基极区域的所述第一部分。
5.根据权利要求1所述的方法，其中步骤e)包括在整个结构上形成所述绝缘第四层，并且还包括：在所述绝缘第四层上靠着所述腔体的侧壁形成间隔件，其中所述腔体的底部的中心部分未被所述间隔件覆盖，以及蚀刻所述第四层的未被所述间隔件覆盖的部分。
6.根据权利要求5所述的方法，包括：在步骤f)与步骤g)之间，步骤f1)去除所述间隔件和覆盖所述绝缘第二层的绝缘第六层。
7.根据权利要求1所述的方法，其中步骤f)包括形成由所述发射极区域的材料制成的第七层，以及蚀刻所述第七层以部分地暴露所述发射极区域周围的所述绝缘第四层。
8.根据权利要求1所述的方法，包括：在步骤g)之后，...
【专利技术属性】
技术研发人员：A·高蒂尔，P·舍瓦利耶，E·布雷扎，N·古塔尔德，G·阿弗尼耶，
申请(专利权)人：意法半导体克洛尔二公司，
类型：发明
国别省市：
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