【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种肖特基势垒二极管。
技术介绍
1、在专利文献1揭露以往的肖特基势垒二极管的一例。所述文献所揭露的肖特基势垒二极管具备第1导电型半导体衬底、第1导电型半导体层、第1电极层、第2电极层、第1外部端子及第2外部端子。第1导电型半导体层积层在第1导电型半导体衬底上。第1导电型半导体层包含第1导电型区域及第1导电型杂质区域。第1电极层在与第1导电型区域之间形成肖特基结。第2电极层在与第1导电型杂质区域之间形成欧姆结。
2、[
技术介绍
文献]
3、[专利文献]
4、专利文献1：日本专利第7013200号公报
技术实现思路
1、[专利技术所要解决的问题]
2、肖特基势垒二极管的正向电压越低，在整流电路中使用时的电压下降越小。因此，要求减少正向电压。
3、本专利技术是在所述情况下提出的，目的在于提供一种能够减少正向电压的肖特基势垒二极管。
4、[解决问题的技术手段]
5、通过本专利技术提供的肖特基势垒二极管具备：第1导电型半导体衬底；第1导电型半导体层，积层于所述第1导电型半导体衬底，且包含第1导电型区域与第1导电型杂质区域、同时具有在厚度方向上朝向所述第1导电型半导体衬底的相反侧的主面；第1电极层，形成于所述主面上，且在与所述第1导电型区域之间形成肖特基结；第2电极层，形成于所述主面上，且在与所述第1导电型杂质区域之间形成欧姆结；第1外部端子，与所述第1电极层导通；及第2外部端子，与所述第2电极层
6、[专利技术的效果]
7、根据本揭露，能够减少正向电压。
8、本专利技术的其它特征及优点通过以下参考附图而进行的详细说明更明确。
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1.一种肖特基势垒二极管，其具备：
2.根据权利要求1所述的肖特基势垒二极管，其中所述第1延伸部具有位于所述第2方向的第2侧的第1侧缘及位于所述第2方向的第1侧的第2侧缘。
3.根据权利要求2所述的肖特基势垒二极管，其中所述第1侧缘与所述第2侧缘在所述第2方向上的距离在所述第1方向上离所述第1基部越远而越小。
4.根据权利要求2或3所述的肖特基势垒二极管，其中所述第1延伸部具有位于所述第1方向的所述第2侧的第1端缘。
5.根据权利要求4所述的肖特基势垒二极管，其中所述第2延伸部具有位于所述第2方向的第1侧的第3侧缘及位于所述第2方向的第2侧的第4侧缘。
6.根据权利要求5所述的肖特基势垒二极管，其中所述第3侧缘与所述第4侧缘在所述第2方向上的距离在所述第1方向上离所述第1基部越远而越小。
7.根据权利要求5或6所述的肖特基势垒二极管，其中所述第2延伸部具有位于所述第1方向的所述第2侧的第2端缘。
8.根据权利要求7所述的肖特基势垒二极管，其中所述第3延伸部具有位于所述第2方向的第1侧的第5侧缘及位
9.根据权利要求8所述的肖特基势垒二极管，其中所述第5侧缘与所述第6侧缘在所述第2方向上的距离在所述第1方向上离所述第2基部越远而越小。
10.根据权利要求8或9所述的肖特基势垒二极管，其中所述第3延伸部具有位于所述第1方向的所述第1侧的第3端缘。
11.根据权利要求10所述的肖特基势垒二极管，其中所述第3端缘的所述第2方向的大小，小于所述第1端缘及所述第2端缘的所述第2方向的大小。
12.根据权利要求1到11中任一权利要求所述的肖特基势垒二极管，其中所述第2电极层还具有：第1侧方延伸部，相对于所述第1延伸部位于所述第2方向的所述第1侧且从所述第2基部向所述第1方向的所述第1侧延伸；及第2侧方延伸部，相对于所述第1延伸部位于所述第2方向的所述第2侧且从所述第2基部向所述第1方向的所述第1侧延伸。
13.根据权利要求12所述的肖特基势垒二极管，其中所述第1侧方延伸部具有：第1锥部，在所述第1方向上离所述第2基部越远，所述第2方向的大小越小；且
14.根据权利要求12或13所述的肖特基势垒二极管，其中所述第2电极层还具有：连结部，相对于所述第1电极层位于所述第1方向的所述第1侧且连结所述第1侧方延伸部与所述第2侧方延伸部。
15.根据权利要求1到14中任一权利要求所述的肖特基势垒二极管，其中所述第1电极层还具有：第4延伸部，从所述第1基部向所述第1方向的所述第2侧延伸且在所述第2方向上相对于所述第1延伸部位于所述第1侧；且
16.根据权利要求15所述的肖特基势垒二极管，其中所述第4延伸部具有位于所述第2方向的第2侧的第7侧缘及位于所述第2方向的第1侧的第8侧缘；且
17.根据权利要求15或16所述的肖特基势垒二极管，其中所述第5延伸部具有位于所述第2方向的第2侧的第9侧缘及位于所述第2方向的第1侧的第10侧缘；且
...【技术特征摘要】
1.一种肖特基势垒二极管，其具备：
2.根据权利要求1所述的肖特基势垒二极管，其中所述第1延伸部具有位于所述第2方向的第2侧的第1侧缘及位于所述第2方向的第1侧的第2侧缘。
3.根据权利要求2所述的肖特基势垒二极管，其中所述第1侧缘与所述第2侧缘在所述第2方向上的距离在所述第1方向上离所述第1基部越远而越小。
4.根据权利要求2或3所述的肖特基势垒二极管，其中所述第1延伸部具有位于所述第1方向的所述第2侧的第1端缘。
5.根据权利要求4所述的肖特基势垒二极管，其中所述第2延伸部具有位于所述第2方向的第1侧的第3侧缘及位于所述第2方向的第2侧的第4侧缘。
6.根据权利要求5所述的肖特基势垒二极管，其中所述第3侧缘与所述第4侧缘在所述第2方向上的距离在所述第1方向上离所述第1基部越远而越小。
7.根据权利要求5或6所述的肖特基势垒二极管，其中所述第2延伸部具有位于所述第1方向的所述第2侧的第2端缘。
8.根据权利要求7所述的肖特基势垒二极管，其中所述第3延伸部具有位于所述第2方向的第1侧的第5侧缘及位于所述第2方向的第2侧的第6侧缘。
9.根据权利要求8所述的肖特基势垒二极管，其中所述第5侧缘与所述第6侧缘在所述第2方向上的距离在所述第1方向上离所述第2基部越远而越小。
10.根据权利要求8或9所述的肖特基势垒二极管，其中所述第3延伸部具有位于所述第1方向的所述第1侧的第3端缘。
11.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：宫崎爱子，荒川贵博，川上友之，小林悟史，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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