本公开涉及光子IC芯片。一种光子集成电路芯片包括限定在第一层中的垂直光栅耦合器。第二绝缘层覆盖垂直光栅耦合器，并且具有金属层级的互连结构嵌入第二绝缘层中。腔体在深度上延伸穿过第二绝缘层直到在耦合器与最接近耦合器的金属层级之间的中间层级。...

本公开涉及集成图像传感器。在一个实施例中，集成图像传感器包括像素阵列，其中每个像素包括：光敏区域，被配置为通过生成电子空穴对以形成代表所生成电子‑空穴对中的电子数的第一信号和代表所生成电子‑空穴对中的空穴数的第二信号，来集成发光信号。第...

本公开的实施例涉及集成成像设备和集成电路。一种集成成像设备包括像素，该像素具有延伸到衬底中的沟槽。沟槽涂覆有绝缘体并且填充有包括第一多晶硅区域和第二多晶硅区域的堆叠。第一和第二多晶硅区域通过绝缘材料的层彼此分离。第一多晶硅区域可以形成垂...

本文描述了具有晶体管的物理不可克隆功能的器件及制造方法。根据一个实施例，一种物理不可克隆功能器件包括晶体管对集合，晶体管对集合中的晶体管具有属于共同随机分布的经随机分布的有效阈值电压；差分读取电路，被配置为测量晶体管对集合中的晶体管对的...

本公开的各实施例涉及光电二极管。光电二极管包括第一掺杂剂类型的第一衬底层和在第一衬底层的顶部上的第二掺杂剂类型的第二衬底层。在包括第一衬底层和第二衬底层的半导体衬底中提供半导体壁。半导体壁包括：两个外半导体壁和定位在两个外半导体壁之间的...

本公开的各实施例涉及具有全局快门的像素。一种像素，包括光敏电路、感测节点、第一晶体管和第一电容器。第一电容器的第一电极连接到第一晶体管的控制端子。第一电容器的第二电极连接到被施加第一控制信号的节点。

本公开的实施例涉及图像传感器。一种图像传感器，其特征在于，包括：半导体层，具有前侧和背侧；电容性绝缘壁，从所述半导体层的所述前侧延伸到所述半导体层的所述背侧，所述电容性绝缘壁包括第一绝缘壁和第二绝缘壁；导体或半导体材料的区域，在所述第一...

本公开涉及电光调制器和光子电路。在一个实施例中，电光调制器包括波导，波导具有第一主表面和与第一主表面相对的第二主表面。腔体被设置在波导中。多个量子阱被设置在腔体中。本公开的实施例能够实现损耗小且结构紧凑的电光调制器。

本公开涉及环形谐振器电光设备和光学设备。环形谐振器电光设备包括第一氮化硅波导和第二环状硅波导，第二环状硅波导包括在第一波导的第二区段之下延伸的第一区段。第二波导还包括环状硅条，该环状硅条具有在第一区段中从位于第二区段之下的最小横截面增大...

本公开的各实施例涉及波导和集成光子电路。在一个实施例中，波导包括上游部分、下游部分和上游部分和下游部分之间的中间部分。第一波带设置在绝缘层上，该第一波带沿第一方向定向。第一侧向条带和第二侧向条带，设置在第一波带的任一侧，该第一侧向条带和...

本公开的实施例涉及包括像素的矩阵的成像器装置。成像器装置的像素包括被配置为对光信号进行积分的光敏区域。第一电容性存储节点被配置为接收表示由光敏区域生成的电荷的数目的信号。第二电容性存储节点被配置为接收参考信号。第一转移晶体管被耦合在第一...

本公开涉及一种光电二极管以及半导体结构，该光电二极管包括：第一部分，该第一部分由硅制成；以及第二部分，该第二部分由掺杂锗制成，位于该第一部分上并且与该第一部分接触，该第一部分包括形成p‑n结的第一区域和第二区域的堆叠，并且锗的掺杂水平随...

本公开的实施例涉及光子系统及其制造方法。一种光子系统包括具有第一面的第一光子电路和具有第二面的第二光子电路。第一光子电路包括第一波导，并且对于每个第一波导，第一光子电路包括覆盖第一波导的第二波导，第二波导与第一面接触并且被放置在第一面和...

本公开的实施例涉及背照式图像传感器。提供了图像传感器和制造图像传感器的方法。一种这种方法包括形成一种结构，该结构包括从前侧延伸到背侧的半导体层以及延伸穿过半导体层的电容性绝缘壁。电容性绝缘壁包括被导体或半导体材料的区域分离的第一绝缘壁和...

本文描述了物理不可克隆功能器件和集成电路。根据一个实施例，一种物理不可克隆功能器件包括晶体管对集合，晶体管对集合中的晶体管具有属于共同随机分布的经随机分布的有效阈值电压；差分读取电路，被配置为测量晶体管对集合中的晶体管对的晶体管的有效阈...

本公开涉及具有环形谐振器的电光设备。环形谐振器电光设备包括第一氮化硅波导和第二环状硅波导，第二环状硅波导包括在第一波导的第二区段之下延伸的第一区段。第二波导还包括环状硅条，该环状硅条具有在第一区段中从位于第二区段之下的最小横截面增大的横...

本公开涉及一种光电二极管，其包括：第一部分，该第一部分由硅制成；以及第二部分，该第二部分由掺杂锗制成，位于该第一部分上并且与该第一部分接触，该第一部分包括形成p‑n结的第一区域和第二区域的堆叠，并且锗的掺杂水平随着与p‑n结相距的距离的...

本公开的实施例涉及超低电压数字电路的本体偏置。数字电路包括由逻辑门形成的逻辑电路。每个逻辑门包括p沟道MOSFET和n沟道MOSFET。本体偏置发生器电路将n本体偏置电压施加到p沟道MOSFET的n本体偏置节点，并且将p本体偏置电压施加...

本公开的实施例涉及具有改进的电荷存储容量的集成成像设备。一种集成成像设备包括像素，该像素具有延伸到衬底中的沟槽。沟槽涂覆有绝缘体并且填充有包括第一多晶硅区域和第二多晶硅区域的堆叠。第一和第二多晶硅区域通过绝缘材料的层彼此分离。第一多晶硅...

本公开的实施例涉及全局快门成像器装置。成像器装置的像素包括被配置为对光信号进行积分的光敏区域。第一电容性存储节点被配置为接收表示由光敏区域生成的电荷的数目的信号。第二电容性存储节点被配置为接收参考信号。第一转移晶体管被耦合在第一电容性存...