全局快门成像器装置制造方法及图纸

本公开的实施例涉及全局快门成像器装置。成像器装置的像素包括被配置为对光信号进行积分的光敏区域。第一电容性存储节点被配置为接收表示由光敏区域生成的电荷的数目的信号。第二电容性存储节点被配置为接收参考信号。第一转移晶体管被耦合在第一电容性存储节点与光敏区域之间。第二转移晶体管被耦合在第二电容性存储节点与提供参考信号的端子之间。第一和第二两个转移晶体管具有公共传导电极和公共衬底，其中该公共衬底被耦合到第一电容性存储节点。

Global shutter imager device

【技术实现步骤摘要】
全局快门成像器装置优先权声明本申请要求于2018年10月17日提交的法国专利申请第1859583号的优先权，其内容在此通过引用整体并入法律允许的最大程度。
实现和实施例涉及集成电路，并且更具体地涉及包括像素的矩阵的全局快门成像器集成电路。
技术介绍
成像器电路通常包括像素的矩阵，像素的矩阵中的每个像素包括光电二极管和转移电路，转移电路被配置为将电荷从像素转移到处理电路。例如，处理电路可以包括模数转换器。在全局快门成像器电路中，可以同时地转移像素的电荷。转移包括(例如，以电压形式的)用于存储电荷的阶段。在这种成像器中，像素的矩阵的每一列与处理电路相关联，处理电路将连续地连接到该列的每个像素，以便同时地转移所有像素的电荷。在低光度条件下，光电二极管生成少量的电荷。表示电荷数目的弱信号由于噪声和每个像素中包含的晶体管的漏电流而失真。因此需要恢复尽可能未失真的信号，以便将其发送到处理电路。
技术实现思路
根据一个方面，提出了一种包括像素的矩阵的成像器装置，其中每个像素包本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种包括像素的矩阵的成像器装置，其中每个像素包括：/n光敏区域，被配置为对光信号进行积分；/n端子，被配置为递送参考信号；/n第一电容性存储节点，被配置为接收表示由所述光敏区域生成的电荷的数目的信号；/n第二电容性存储节点，被配置为接收所述参考信号；/n第一转移晶体管，被耦合以选择性地将积分的所述光信号从所述光敏区域传递到所述第一电容性存储节点和所述光敏区域；以及/n第二转移晶体管，被耦合以选择性地将所述参考信号从所述端子传递到所述第二电容性存储节点；/n其中所述第一转移晶体管和所述第二转移晶体管具有公共传导电极和公共衬底，所述公共衬底被耦合到所述第一电容性存储节点。/n

【技术特征摘要】
20181017 FR 18595831.一种包括像素的矩阵的成像器装置，其中每个像素包括：
光敏区域，被配置为对光信号进行积分；
端子，被配置为递送参考信号；
第一电容性存储节点，被配置为接收表示由所述光敏区域生成的电荷的数目的信号；
第二电容性存储节点，被配置为接收所述参考信号；
第一转移晶体管，被耦合以选择性地将积分的所述光信号从所述光敏区域传递到所述第一电容性存储节点和所述光敏区域；以及
第二转移晶体管，被耦合以选择性地将所述参考信号从所述端子传递到所述第二电容性存储节点；
其中所述第一转移晶体管和所述第二转移晶体管具有公共传导电极和公共衬底，所述公共衬底被耦合到所述第一电容性存储节点。


2.根据权利要求1所述的成像器装置，其中所述第一转移晶体管和所述第二转移晶体管被并联耦合。


3.根据权利要求2所述的成像器装置，其中所述公共衬底通过形成所述第一电容性存储节点的电容器被反向偏置，所述电容器具有第一极板和第二极板，所述第一极板被耦合到所述第一电容性存储节点，所述第二极板被耦合以接收反向偏置信号。


4.根据权利要求2所述的成像器装置，其中所述第二电容性存储节点通过电容器被反向偏置，所述电容器具有第一极板和第二极板，所述第一极板被耦合到所述第二电容性存储节点，所述第二极板被耦合以接收反向偏置信号。


5.根据权利要求1所述的成像器装置，其中所述第一转移晶体管和所述第二转移晶体管被串联耦合。


6.根据权利要求5所述的成像器装置，其中所述公共衬底通过形成所述第一电容性存储节点的电容器被接地，所述电容器具有第一极板和第二极板，所述第一极板被耦合到所述第一电容性存储节点，所述第二极板被耦合到地。


7.根据权利要求5所述的成像器装置，其中所述第二电容性存储节点通过电容器被接地，所述电容器具有第一极板和第二极板，所述第一极板被耦合到所述第二电容性存储节点，所述第二极板被耦合到地。


8.根据权利要求1所述的成像器装置，进一步包括：
第三转移晶体管，被耦合以选择性地将积分的所述光信号从所述光敏区域传递到感测节点；以及
放大器晶体管，具有控制端子、第一传导端子和第二传导端子，所述控制端子被耦合到所述感测节点，所述第一传导端子被耦合以接收所述参考信号，所述第二传导端子被耦合到所述第一转移晶体管和所述第二转移晶体管的所述公共传导电极。


9.根据权利要求8所述的成像器装置，其中所述第三转移晶体管和所述放大器晶体管具有公共衬底，所述公共衬底被耦合到地。


10.一种包括像素的矩阵的成像器装置，其中每个像素包括：
光敏电路，被配置为对光信号进行积分，并且在公共节点处产生光感测电压；
参考电路，被配置为将参考电压递送至所述公共节点；
第一转移晶体管，具有在所述公共节点处的源极端子、以及在第一电容性存储节点处的漏极端子，其中所述第一转移晶体管被选择性地致动，以将在所述公共节点处的所述光感测电压转移到在所述第一电容性存储节点处的第一电容器；
第二转移晶体管，具有在所述公共节点处的源极端子、以及在第二电容性存储节点处的漏极端子，其中所述第二转移晶体管被选择性地致动，...

【专利技术属性】
技术研发人员：P·马林格，
申请(专利权)人：意法半导体克洛尔二公司，
类型：发明
国别省市：法国;FR