公开了一种相变存储器。一种用于制造相变存储器的方法，包括形成相变存储器单元阵列的步骤，每个单元与阵列的同一行中的相邻单元间隔相同的第一距离并与阵列的同一列中的相邻单元间隔相同的第一距离。该方法还包括在每行或每列中蚀刻N个存储器单元中的一...

本公开的各实施例涉及背面照射图像传感器和制造方法。集成传感器包括由具有第一光学折射率的第一半导体材料制成的衬底。该衬底包括像素阵列，其中每个像素具有由折射对比区形成的光敏有源区，该折射对比区包括第一半导体材料的基质和嵌入该基质中的周期性...

本公开的实施例涉及光传感器。本公开涉及一种图像传感器，其包括光电材料的第一层和位于所述第一层与所述传感器的被配置为接收光线的面之间的衍射光栅。线的面之间的衍射光栅。线的面之间的衍射光栅。

本公开的各实施例涉及光敏传感器以及对应的制造方法。一种光敏传感器，包括像素，该像素由光敏区、读取区、以及传送栅极形成，光敏区在第一半导体材料中，读取区在第二半导体材料中，传送栅极面向第一半导体材料和第二半导体材料的位于光敏区与读取区之间...

本公开的各实施例涉及电子器件和半导体结构。本说明书涉及包括相变存储器单元的器件，每个存储器单元包括与由相变材料制成的第二元件横向接触的第一电阻元件。本实用新型的实施例提供了对电子器件的改进，例如可以降低功率损失。功率损失。功率损失。

本公开的实施例涉及图像传感器和光学器件。一种图像传感器，包括：第一层，由光电材料制成；以及衍射光栅，位于第一层与传感器的被配置为接收光线的面之间；其中衍射光栅被配置为衍射所接收的光线，以对于给定波长优化位于完全包含在第一层内的平面中的衍...

本公开的各实施例涉及光敏传感器。一种光敏传感器，包括像素，该像素由光敏区、读取区、以及传送栅极形成，光敏区在第一半导体中，读取区在第二半导体中，传送栅极面向第一半导体和第二半导体的位于光敏区与读取区之间的部分。第一半导体和第二半导体具有...

本公开的实施例涉及相变存储器。存储器单元由以下制造：(a)形成包括由相变材料制成的第一层和由导电材料制成的第二层的堆叠；(b)在堆叠上形成仅覆盖存储器单元位置的掩模；以及(c)蚀刻堆叠的、未被第一掩模覆盖的部分。仅覆盖存储器单元位置的掩...

本公开的实施例涉及摄影传感器。半导体衬底包括感光点的矩阵。每个感光点由包括多晶硅的隔离沟槽界定。外围区直接围绕感光点矩阵延伸。外围区包括由包含多晶硅的隔离沟槽界定的虚设感光点。外围区中多晶硅的密度介于在感光点矩阵边缘处的多晶硅密度与围绕...

本公开的实施例涉及传感器。传感器包括：半导体衬底；半导体衬底中的感光点的矩阵，每个感光点由包括多晶硅的隔离沟槽界定；以及半导体衬底的外围区，直接围绕感光点矩阵延伸，外围区包括由包含多晶硅的隔离沟槽界定的虚设感光点。外围区中多晶硅的密度介...

本公开的实施例涉及SPAD光电二极管。光电二极管形成在第一导电类型的半导体衬底中。该光电二极管包括具有基本半球形形状的第一区域，以及在第一区域内具有不同于第一导电类型的第二导电类型的基本半球形核心。外延层覆盖半导体衬底并埋置第一区域和核...

本公开的实施例涉及光子系统及其制造方法。一种光子系统包括具有第一面的第一光子电路和具有第二面的第二光子电路。第一光子电路包括第一波导，并且对于每个第一波导，第一光子电路包括覆盖第一波导的第二波导，第二波导与第一面接触并且被放置在第一面和...

本公开的实施例涉及光电二极管。光电二极管包括第一导电类型的半导体衬底；外延层，覆盖半导体衬底的顶表面；第一导电类型的基本半球形埋置区域，在半导体衬底中，基本半球形埋置第一区域具有与半导体衬底的顶面共面的顶面；第二导电类型的基本半球形核心...

本公开的实施例涉及双极型晶体管。一种双极型晶体管，其特征在于，包括：发射极、基极和集电极的堆叠；其中基极被构造为具有梳状物形状，梳状物形状包括被定向为在与堆叠的堆叠方向正交的平面中延伸的指状物；第一外围绝缘沟槽，围绕双极型晶体管；以及第...

本公开的实施例涉及集成电路。本实用新型提供了一种集成电路，包括：半导体衬底；以及第一半导体部件，包括：掩埋半导体区域，被设置在半导体衬底中并且具有第一导电类型；第一栅极区域和第二栅极区域，被设置为彼此相距一定距离并且各自分别从半导体衬底...

本公开涉及一种背照式图像传感器，包括形成于半导体晶圆中的存储器区域，每个存储器区域位于两个不透明壁之间，这两个不透明壁延伸到该晶圆中并与安排在该存储器区域的后表面处的不透明屏幕接触。处的不透明屏幕接触。处的不透明屏幕接触。

本公开涉及集成标准单元的设置。集成电路包括至少一个第一标准单元，该至少一个第一标准单元由两个第二标准单元框定。该三个单元被彼此相邻设置，并且每个标准单元包括位于绝缘体上硅(silicon

本公开的各实施例涉及一种X射线检测器，包括具有NPN型双极晶体管的第一电路以及第二电路，第二电路被配置成将NPN型双极晶体管的端子处的电压与参考值进行比较，所述参考值基本等于当第一电路已经暴露于阈值量的X射线时会出现的端子电压的值。会出...

本公开的实施例涉及半导体集成电路部件。本发明提供了一种集成电路，包括具有第一导电类型的半导体衬底和半导体部件。所述半导体部件包括：掩埋半导体区域，具有与所述第一导电类型相对的第二导电类型；第一栅极区域和第二栅极区域，各自在深度上从所述半...

公开了双极晶体管及制造方法。双极晶体管包括集电极区，该集电极区具有位于衬底中的第一掺杂部分和覆盖并与第一掺杂部分的区域接触的第二掺杂部分。集电极区具有掺杂分布，该掺杂分布在第一部分具有峰值，并且从该峰值到第二部分减小。第二部分减小。第二...