本公开涉及一种光电二极管，其包括：第一部分，该第一部分由硅制成；以及第二部分，该第二部分由掺杂锗制成，位于该第一部分上并且与该第一部分接触，该第一部分包括形成p

本公开的各实施例涉及背面照射型集成图像传感器。集成传感器包括由具有第一光学折射率的第一半导体材料制成的衬底。该衬底包括像素阵列，其中每个像素具有由折射对比区形成的光敏有源区，该折射对比区包括第一半导体材料的基质和嵌入该基质中的周期性结构...

本公开涉及传感器和电子设备。传感器包括由被掺杂有第一导电类型的衬底支撑的像素。每个像素包括衬底的由具有图像感测组装件和深度感测组装件的垂直绝缘结构界定的部分。图像感测组装件包括衬底的第一区域和完全横向包围第一区域的第一垂直传输门，该第一...

本公开的实施例涉及光敏传感器。光敏传感器包括：至少一个像素电路，能够以全局快门模式和卷帘式快门模式操作，至少一个像素电路包括：光敏区域，被配置为光生电荷；第一传输门，被配置为将光生电荷从光敏区域传输到传输节点；第一源极跟随器晶体管，被配...

本公开的实施例涉及通孔制造方法。提出了一种用于制造绝缘导电通孔的方法。该通孔穿过层的第一堆叠到达第一层。形成部分延伸到层的第一堆叠中的第一腔体。在层的第一堆叠之上和第一腔体中形成层的第二堆叠。层的第二堆叠包括蚀刻停止层和绝缘层。然后形成...

本公开的实施例涉及相变滤波器和图像传感器。一种相变滤波器，包括：多个相变材料点；以及导电材料的加热层；其中所述加热层包括多个加热区域，每个加热区域包括一个或多个导电指状物；以及其中所述多个相变材料点中的相变材料点被定位在所述加热层的每个...

本公开的实施例涉及生成光掩模的装置和方法。本说明书涉及一种方法，该方法包括由处理装置通过将图像变换成由两点元素形成的第一表示来压缩包括第一图案的图像。该方法还包括通过神经网络对第一表示执行推理操作以生成由两点元素形成的第二表示。该方法还...

本公开的实施例涉及垂直光电二极管。垂直光电二极管包括有源区。用于二极管端子的接触焊盘远离有源区横向移位，以便不位于有源区的上方或下方。有源区由锗区的本征的下部分和锗区的用第一导电类型掺杂的上部分而形成在半导体材料层中。垂直光电二极管光学...

本公开的实施例涉及集成光学传感器、成像系统以及电子设备。一种集成光学传感器，其特征在于，包括钉扎光电二极管，集成光学传感器包括：半导体衬底，包括：第一半导体区域，具有第一导电类型；第二半导体区域，具有与第一导电类型相对的第二导电类型；以...

本公开的实施例涉及存储器单元和存储器阵列。存储器单元包括具有半导体区和绝缘区的衬底。第一绝缘层在衬底上延伸。相变材料层位于第一绝缘层上。存储器单元还包括具有导电轨的互连网络。延伸穿过所述第一绝缘层的第一导电通孔的第一端与所述相变材料层接...

本公开的实施例涉及可编程相变滤波器的平面单元纳米加热器设计和单元架构。相变滤波器由点的布置形成，其中每个点由相变材料制成。导电材料的加热层在点的布置下延伸。通过加热层的电流在两个状态之间改变点，以改变通过滤波器的光的衰减。过滤波器的光的...

本公开的实施例涉及电光相位调制器。一种电光相位调制器包括由条带的堆叠制成的波导。堆叠包括由第一导电类型的掺杂半导体材料制成的第一条带、由导电材料或第二导电类型的掺杂半导体材料制成的第二条带、以及由第一导电类型的掺杂半导体材料制成的第三条...

传感器包括由被掺杂有第一导电类型的衬底支撑的像素。每个像素包括衬底的由具有图像感测组装件和深度感测组装件的垂直绝缘结构界定的部分。图像感测组装件包括衬底的第一区域和完全横向包围第一区域的第一垂直传输门，该第一区域被更重地掺杂有第一导电类...

本公开涉及光学漫射器。本说明书涉及一种光学漫射器，包括第一层和第二层，第一层具有形成于其中的导电轨道，第二层具有置于其上的第一层，并且具有至少两个导电柱，导电柱形成于第二层中并且跨第二层的整个厚度延伸。第二层包括至少一个第一区域，该第一...

本公开的实施例涉及具有控制电路的图像传感器。一种图像传感器包括在基底内部和顶部上的像素阵列。控制电路被配置为向基底施加电压电位。在第一阶段期间，控制电路向基底施加接地电位。在第二阶段期间，控制电路向基底施加相对于接地电位为正的电位。加相...

本公开的实施例涉及光敏传感器和对应的光学信号获取方法。光敏传感器能够以全局快门模式和卷帘式快门模式操作。该传感器包括至少一个像素电路，该像素电路具有配置为光生电荷的光敏区域。第一传输门配置为将光生电荷从光敏区域传输到传输节点。源极跟随器...

本公开涉及半导体器件。半导体器件包括：半导体衬底；半导体衬底上的MOS晶体管；与MOS晶体管相对应的射频开关，射频开关包括：半导体衬底中的掺杂半导体区；半导体衬底上的至少两个金属化层级，每个金属化层级包括：绝缘层的堆叠；延伸穿过绝缘层的...

本发明涉及集成电路互连结构。一种制造集成电路的互连结构的方法，集成电路的互连结构旨在被封装在与保护层的第一表面接触的封装树脂中。保护层位于互连结构的第一表面上。互连结构包括铜互连元件，铜互连元件至少部分地延伸穿过绝缘层并与互连结构的第一...

本公开涉及集成电路。集成电路，包括：半导体层；半导体层上的互连结构，互连结构包括绝缘层和互连元件，互连元件至少部分地延伸穿过绝缘层并与互连结构的第一表面齐平；在互连结构的第一表面上的保护层，保护层的第一表面是脊和槽的交替。本公开的方案能...

本公开的实施例涉及光学传感器。光学传感器包括像素，每个像素由光电检测器和在光电检测器顶部的远心系统形成。每个远心系统包括：具有面向光电检测器的开口的不透明层和面向每个开口并布置在不透明层和光电检测器之间的微透镜。每个像素还包括微透镜和光...