本公开的实施例涉及一种集成电路。集成电路在半导体衬底中形成。单光子雪崩二极管的阵列在半导体衬底的前侧形成。该阵列包括第一二极管和第二二极管，第一二极管和第二二极管彼此相邻。布拉格反射镜被定位在第一二极管与第二二极管之间。布拉格反射镜被配...

本公开的实施例涉及包括雪崩二极管阵列的集成电路及其制造方法。集成电路在半导体衬底中形成。单光子雪崩二极管的阵列在半导体衬底的前侧形成。该阵列包括第一二极管和第二二极管，第一二极管和第二二极管彼此相邻。布拉格反射镜被定位在第一二极管与第二...

本公开的各实施例涉及SPAD的淬灭。本公开涉及一种包括光电二极管的装置，该光电二极管具有第一端子和第二端子，该第一端子通过电阻器被耦合到第一轨，该第一轨被配置为接收高供电电位，该第二端子通过开关被耦合到第二轨，该第二轨被配置为接收基准电...

本申请的各实施例涉及一种电容性电光调制器。该电容性电光调制器包括硅层、覆盖硅层的锗条带或硅锗条带以及覆盖锗条带或硅锗条带的硅条带。硅条带比锗条带或硅锗条带宽。绝缘体在横向上与锗条带或硅锗条带和硅条带相邻，并且具有与硅条带的上表面齐平的上...

本公开的实施例涉及光传感器。光传感器包括半导体衬底，其支撑多个像素。每个像素包括光转换区，其在衬底的正面和背面之间的衬底中延伸。光学衍射光栅被布置在衬底的背面上方、并且面对像素的光转换区的位置处。针对光传感器的至少两个不同像素，光学衍射...

在此公开了一种集成电路，包括：半导体衬底；电容器，包括：衬底中的第一阱，形成电容器第一板；垂直延伸到第一阱中的第一沟槽，其包括通过第一绝缘层与第一阱绝缘的第一中心导体；衬底第一阱上的顶表面上有第一厚度的第二绝缘层；和第二绝缘层上的电连接...

本公开的实施例涉及相位调制器设备和方法，该方法包括以下步骤：a)由第一材料形成波导，波导被配置为引导光学信号；b)形成由第二材料制成的层，第二材料是导电且对光学信号的波长透明，步骤a)和b)被实现为使得由第二材料制成的层与波导的面中至少...

本公开涉及一种相变存储器设备以及电子设备。该相变存储器设备包括：衬底；在衬底上的晶体管；在晶体管上的第一绝缘层；导电过孔，延伸穿过第一绝缘层；在第一绝缘层上的第二绝缘层；在导电过孔上的电阻元件，该电阻元件延伸穿过第二绝缘层；在电阻元件上...

本公开涉及一种图像传感器，该图像传感器包括多个像素，每个像素包括：在半导体衬底中竖直地延伸的第一导电类型的掺杂光敏区域；比光敏区域更重地掺杂有第一导电类型的电荷收集区域，电荷收集区域在衬底中从衬底的上表面竖直地延伸并且被布置在光敏区域上...

本申请的各实施例涉及电容性光学调制器。一种电容性电光调制器，包括硅层、覆盖硅层的锗条带或硅锗条带以及覆盖锗条带或硅锗条带的硅条带。硅条带比锗条带或硅锗条带宽。绝缘体在横向上与锗条带或硅锗条带和硅条带相邻，并且具有与硅条带的上表面齐平的上...

本公开的各实施例涉及像素和图像传感器。一种像素，包括光敏电路、感测节点、第一晶体管和第一电容器。第一电容器的第一电极连接到第一晶体管的控制端子。第一电容器的第二电极连接到被施加第一控制信号的节点。根据本公开的实施例的优点在于，提供了一种...

本公开涉及一种用于产生电子组件的方法。通过该方法在公共衬底上共同地产生至少一个双极型晶体管和至少一个可变电容二极管。

本公开涉及一种用于产生二极管的方法。提供了一种电路，包括至少一个双极晶体管和至少一个可变电容二极管。使用一种方法来制造电路，其中在共同共用的衬底上共同地产生双极晶体管和可变电容二极管。

本公开涉及一种相变存储器的制造方法和相变存储器设备。方法包括在空腔中形成第一绝缘层，该空腔以与相变材料带垂直对齐的方式放置，并各向异性地蚀刻第一绝缘层的位于空腔底部的部分；以及包括第一绝缘层的相变存储器设备，该第一绝缘层紧靠以与相变材料...

本公开的各实施例涉及光电二极管。光电二极管包括第一掺杂剂类型的第一衬底层和在第一衬底层的顶部上的第二掺杂剂类型的第二衬底层。在包括第一衬底层和第二衬底层的半导体衬底中提供半导体壁。半导体壁包括：两个外半导体壁和定位在两个外半导体壁之间的...

本发明涉及一种结构，该结构包括在半导体衬底(5)上的包括锗的半导体层或半导体层的堆叠的部分(3)，并且包括围绕所述部分(3)并且对其施加应变的氮化硅的层(7)，其中半导体衬底(5)借助于金属腿(22)与氮化硅层(7)分离。

本公开涉及光子集成电路芯片和用于光子集成电路的组件。一种光子集成电路芯片包括限定在第一层中的垂直光栅耦合器。第二绝缘层覆盖垂直光栅耦合器，并且具有金属层级的互连结构嵌入第二绝缘层中。腔体在深度上延伸穿过第二绝缘层直到在耦合器与最接近耦合...

提供了一种电子装置。光电二极管包括耦合到施加第一电压的节点的半导体区域和至少一个半导体壁。该至少一个半导体壁至少沿光电二极管的高度延伸并且部分地围绕该半导体区域。

本公开的实施例涉及光子系统。一种光子系统包括具有第一面的第一光子电路和具有第二面的第二光子电路。第一光子电路包括第一波导，并且对于每个第一波导，第一光子电路包括覆盖第一波导的第二波导，第二波导与第一面接触并且被放置在第一面和第二面之间，...

提供了一种包括光电二极管的电子装置。光电二极管包括耦合到施加第一电压的节点的半导体区域和至少一个半导体壁。该至少一个半导体壁至少沿光电二极管的高度延伸并且部分地围绕该半导体区域。