电容性电光调制器制造技术

本申请的各实施例涉及一种电容性电光调制器。该电容性电光调制器包括硅层、覆盖硅层的锗条带或硅锗条带以及覆盖锗条带或硅锗条带的硅条带。硅条带比锗条带或硅锗条带宽。绝缘体在横向上与锗条带或硅锗条带和硅条带相邻，并且具有与硅条带的上表面齐平的上表面。绝缘层覆盖绝缘体和硅条带。III‑V族材料的层覆盖绝缘层。III‑V族材料的层形成为第三条带，该第三条带面对硅条带布置并且通过绝缘层的一部分与硅条带分离。根据本公开的实施例的电容性电光调制器的优点在于，可以选择硅条带的厚度、锗条带或硅锗条带的厚度以及绝缘层的厚度来提高对于待调制信号的光学模式的调制效率。

【技术实现步骤摘要】
电容性电光调制器
本公开总体上涉及电光集成电路，并且特定实施例涉及电容性光调制器。
技术介绍
III-V/硅或III-V/Si类型的混合电容性电光调制器是已知的。在这种调制器中，硅层的条带在其长度的至少一部分上涂覆有III-V族材料层的条带，硅层的条带与III-V族材料层的条带通过绝缘层彼此分离。硅条带、绝缘层和III-V族材料的条带的堆叠限定了波导，该波导具有与条带的纵向相对应的纵向。此外，两个条带对应于电容器的两个电极。通过在电容器两端施加电压，在布置在两个条带之间的绝缘层的任一侧上所得到的电荷存储使得能够调制波导的有效光学指数，从而调制通过其传播的光学信号。
技术实现思路
本公开的目的是提供一种电容性电光调制器，以至少部分地解决现有技术中存在的调制效率较低的问题。在一个方面，本公开提供了一种电容性电光调制器，该电容性电光调制器包括：硅层；锗条带或硅锗条带，覆盖所述硅层；硅条带，覆盖所述锗条带或硅锗条带，所述硅条带比所述锗条带或硅锗条带更宽；绝缘体，在横向上与所述锗条带或硅锗条带以及所述硅条带相邻，并且所述绝缘体具有本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电容性电光调制器，其特征在于，包括：/n硅层；/n锗条带或硅锗条带，覆盖所述硅层；/n硅条带，覆盖所述锗条带或硅锗条带，所述硅条带比所述锗条带或硅锗条带更宽；/n绝缘体，在横向上与所述锗条带或硅锗条带以及所述硅条带相邻，并且所述绝缘体具有与所述硅条带的上表面齐平的上表面；/n绝缘层，覆盖所述绝缘体和所述硅条带；以及/nIII-V族材料的层，覆盖所述绝缘层，所述III-V族材料的层形成为第三条带，所述第三条带面对所述硅条带并且通过所述绝缘层的一部分与所述硅条带分离。/n

【技术特征摘要】
20190719 FR 19081891.一种电容性电光调制器，其特征在于，包括：
硅层；
锗条带或硅锗条带，覆盖所述硅层；
硅条带，覆盖所述锗条带或硅锗条带，所述硅条带比所述锗条带或硅锗条带更宽；
绝缘体，在横向上与所述锗条带或硅锗条带以及所述硅条带相邻，并且所述绝缘体具有与所述硅条带的上表面齐平的上表面；
绝缘层，覆盖所述绝缘体和所述硅条带；以及
III-V族材料的层，覆盖所述绝缘层，所述III-V族材料的层形成为第三条带，所述第三条带面对所述硅条带并且通过所述绝缘层的一部分与所述硅条带分离。


2.根据权利要求1所述的调制器，其特征在于，所述硅条带、所述第三条带以及所述绝缘层的夹在所述硅条带与所述第三条带之间的部分形成所述电光调制器的波导。


3.根据权利要求1所述的调制器，其特征在于，所述硅层覆盖绝缘体上硅基板的绝缘体，所述锗条带或硅锗条带以及所述硅条带被布置在所述硅层内的腔中。


4.根据权利要求1所述的调制器，其特征在于，所述硅条带和所述第三条带具有相同的厚度。


5.根据权利要求1所述的调制器，其特征在于，所述锗条带或硅锗条带包括具有在从10％到20％范围内的锗原子浓度的硅锗。


6.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：F·伯夫，C·巴雷拉，
申请(专利权)人：意法半导体克洛尔二公司，
类型：新型
国别省市：法国;FR