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本申请的各实施例涉及一种电容性电光调制器。该电容性电光调制器包括硅层、覆盖硅层的锗条带或硅锗条带以及覆盖锗条带或硅锗条带的硅条带。硅条带比锗条带或硅锗条带宽。绝缘体在横向上与锗条带或硅锗条带和硅条带相邻，并且具有与硅条带的上表面齐平的上表面...
该专利属于意法半导体(克洛尔2)公司所有，仅供学习研究参考，未经过意法半导体(克洛尔2)公司授权不得商用。

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