光电二极管制造技术

本公开的各实施例涉及光电二极管。光电二极管包括第一掺杂剂类型的第一衬底层和在第一衬底层的顶部上的第二掺杂剂类型的第二衬底层。在包括第一衬底层和第二衬底层的半导体衬底中提供半导体壁。半导体壁包括：两个外半导体壁和定位在两个外半导体壁之间的至少一个内半导体壁。每个内半导体壁位于具有更长长度的两个半导体壁之间。根据本公开的实施例，实现了简单的功率管理。

【技术实现步骤摘要】
光电二极管
本公开总体上涉及光电二极管。
技术介绍
光电二极管是一种半导体组件，具有检测来自光域的辐射并将其转换为电信号的能力。更具体地说，光在光电二极管的有源区内形成电子。然后必须通过电路将这些电子取回。在包括光电二极管的2D成像传感器或3D成像传感器中，在捕获场景期间在给定时刻形成的电子存储在存储器中，然后通过电路读取电子量以获得关于场景的数据(datum)。为了使关于场景的数据精确并与给定时刻相对应，最好使电子迅速向存储器移动。
技术实现思路
本公开至少解决了需要复杂的电源管理电路问题。根据本公开的第一方面，提供了一种光电二极管，包括：半导体衬底，半导体衬底包括第一掺杂剂类型的第一衬底层和在第一衬底层的顶部上的第二掺杂剂类型的第二衬底层；半导体衬底中的多个半导体壁；其中多个半导体壁包括：第一外半导体壁和第二外半导体壁，在第一方向上彼此平行延伸，第一外半导体壁和第二外半导体壁中的每个外半导体壁具有第一长度；和多个内半导体壁，在第一方向上彼此平行延伸，并且被定位在第一外半导体壁和第二外半导体壁之间，多个本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光电二极管，其特征在于，包括：/n半导体衬底，所述半导体衬底包括第一掺杂剂类型的第一衬底层和在所述第一衬底层的顶部上的第二掺杂剂类型的第二衬底层；/n所述半导体衬底中的多个半导体壁；/n其中所述多个半导体壁包括：/n第一外半导体壁和第二外半导体壁，在第一方向上彼此平行延伸，所述第一外半导体壁和所述第二外半导体壁中的每个外半导体壁具有第一长度；和/n多个内半导体壁，在所述第一方向上彼此平行延伸，并且被定位在所述第一外半导体壁和所述第二外半导体壁之间，所述多个内半导体壁包括：/n第一内半导体壁，具有小于所述第一长度的第二长度；和/n第二内半导体壁和第三内半导体壁，各自具有小于所述第二长度的...

【技术特征摘要】
20190214 FR 19015041.一种光电二极管，其特征在于，包括：
半导体衬底，所述半导体衬底包括第一掺杂剂类型的第一衬底层和在所述第一衬底层的顶部上的第二掺杂剂类型的第二衬底层；
所述半导体衬底中的多个半导体壁；
其中所述多个半导体壁包括：
第一外半导体壁和第二外半导体壁，在第一方向上彼此平行延伸，所述第一外半导体壁和所述第二外半导体壁中的每个外半导体壁具有第一长度；和
多个内半导体壁，在所述第一方向上彼此平行延伸，并且被定位在所述第一外半导体壁和所述第二外半导体壁之间，所述多个内半导体壁包括：
第一内半导体壁，具有小于所述第一长度的第二长度；和
第二内半导体壁和第三内半导体壁，各自具有小于所述第二长度的第三长度，其中所述第二内半导体壁被定位在所述第一外半导体壁和所述第一内半导体壁之间，并且其中所述第三内半导体壁被定位在所述第二外半导体壁和所述第一内半导体壁之间。


2.根据权利要求1所述的光电二极管，其特征在于，所述多个内半导体壁沿其长度在公共轴线处居中，所述公共轴线在所述第一外半导体壁和所述第二外半导体壁之间延伸并且垂直于所述第一外半导体壁和所述第二外半导体壁延伸。


3.根据权利要求2所述的光电二极管，其特征在于，所述多个半导体壁还包括在垂直于所述第一方向的第二方向上彼此平行地延伸的第三外半导体壁和第四外半导体壁，并且其中所述多个内半导体壁被定位在所述第三外半导体壁所述第四外半导体壁之间。


4.根据权利要求3所述的光电二极管，其特征在于，所述第三外半导体壁和所述第四外半导体壁的端部被耦合至所述第一外半导体壁和所述第二外半导体壁的端部。


5.根据权利要求3所述的光电二极管，其特征在于，所述第三外半导体壁和所述第四外半导体壁以及所述第一外半导体壁和所述第二外半导体壁至少部分地围绕所述光电二极管的有源区。


6.根据权利要求3所述的光电二极管，其特征在于，所述第三外半导体壁和所述第四外半导体壁以及所述第一外半导体壁和所述第二外半导体壁围绕所述光电二极管的有源区。


7.根据权利要求2所述的光电二极管，其特征在于，所述多个内半导体壁还包括：
第四内半导体壁和第五内半导体壁，各自具有大于所述第三长度的第四长度，其中所述第四内半导体壁被定位在所述第一外半导体壁和所述第二内半导体壁之间，并且其中所述第五内半导体壁被定位在所述第二外半导体壁和所述第三内半导体壁之间。


8.根据权利要求7所述的光电二极管，其特征在于，所述第四长度小于所述第二长度。


9.根据权利要求7所述的光电二极管，其特征在于，所述多个内半导体壁还包括：
第六内半导体壁和第七内半导体壁，各自具有小于所述第四长度的第五长度，其中所述第六内半导体壁被定位在所述第一外半导体壁和所述第四内半导体壁之间，并且其中所述第七内半导体壁被定位在所述第二外半导体壁和所述第五内半导体壁之间。


10.根据权利要求9所述的光电二极管，其特征在于，所述第五长度等于所述第三长度。


11.根据权利要求1所述的光电二极管，其特征在于，所述多个半导体壁还包括在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸的第三外半导体壁，并且其中所述多个内半...

【专利技术属性】
技术研发人员：B·罗德里格斯·冈卡尔维斯，A·图尼耶，
申请(专利权)人：意法半导体克洛尔二公司，
类型：新型
国别省市：法国;FR