一种钝化接触太阳能电池制造技术

本实用新型专利技术涉及一种钝化接触太阳能电池，包括硅衬底，硅衬底的正表面从内到外依次包括隧穿层、重掺杂层、覆盖层、以及设置于覆盖层上的“H”型栅线，“H”型栅线包括相互垂直的主栅线和副栅线；硅衬底的背表面从内到外依次包括隧穿层、重掺杂层、以及覆盖层；副栅线的两侧设置有凹槽结构；其中，凹槽结构纵向延伸至硅衬底的内部。本实用新型专利技术通过在副栅线两侧设置凹槽结构，阻断除了正常电流传输线路外的其它干扰线路，因此，采用本实用新型专利技术提供的钝化接触太阳能电池可以显著提高测试钝化接触结构的接触电阻率的准确性。

【技术实现步骤摘要】
一种钝化接触太阳能电池
本技术涉及太阳能电池
，具体涉及一种钝化接触太阳能电池。
技术介绍
钝化接触结构，如隧穿氧化层/掺杂多晶硅层、超薄本征非晶硅层/重掺杂非晶硅层，不仅具有优异的界面钝化性能，可以显著降低金属接触复合，还具有优异的接触性能，促进多数载流子的有效传输。钝化接触结构的优异性能受到研究机构及企业的广泛关注，研究机构如德国Fraunhofer、ISFH太阳能系统研究所针对隧穿氧化层/掺杂多晶硅层结构分别开发了TOPCon电池和POLO电池，企业如中来、天合等将实验室小尺寸的钝化接触电池技术转化为大面积全尺寸的量产技术。对于大面积全尺寸的量产技术而言，开发出一种简单、快捷且能准确测定钝化接触结构的接触电阻率的方法，对于钝化接触结构接触性能的优化具有重要的意义。测试接触电阻率有两种常用的方法：线传输法(TLM)和CoreScan法。CoreScan法存在下述缺点使其无法在企业中广泛使用：1)无法得到准确的接触电阻率，只能给出接触电阻率的最大可能值；2)对样品造成不可修复的破坏，因而无法对同一电池进行重复测试和比对；3)设备本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种钝化接触太阳能电池，其特征在于：包括硅衬底，所述硅衬底的正表面从内到外依次包括隧穿层、重掺杂层、覆盖层、以及设置于所述覆盖层上的“H”型栅线，所述“H”型栅线包括相互垂直的主栅线和副栅线；/n所述硅衬底的背表面从内到外依次包括隧穿层、重掺杂层、以及覆盖层；/n所述副栅线的两侧设置有凹槽结构；其中，所述凹槽结构纵向延伸至硅衬底的内部。/n

【技术特征摘要】
1.一种钝化接触太阳能电池，其特征在于：包括硅衬底，所述硅衬底的正表面从内到外依次包括隧穿层、重掺杂层、覆盖层、以及设置于所述覆盖层上的“H”型栅线，所述“H”型栅线包括相互垂直的主栅线和副栅线；
所述硅衬底的背表面从内到外依次包括隧穿层、重掺杂层、以及覆盖层；
所述副栅线的两侧设置有凹槽结构；其中，所述凹槽结构纵向延伸至硅衬底的内部。


2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述凹槽结构距离与其紧挨着的副栅线的间隔为40～80μm。


3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述凹槽结构的宽度为60～1...

【专利技术属性】
技术研发人员：包杰，马丽敏，黄策，乔振聪，刘志锋，陈嘉，林建伟，
申请(专利权)人：泰州中来光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32