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本实用新型涉及一种钝化接触太阳能电池，包括硅衬底，硅衬底的正表面从内到外依次包括隧穿层、重掺杂层、覆盖层、以及设置于覆盖层上的“H”型栅线，“H”型栅线包括相互垂直的主栅线和副栅线；硅衬底的背表面从内到外依次包括隧穿层、重掺杂层、以及覆盖层...
该专利属于泰州中来光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过泰州中来光电科技有限公司授权不得商用。

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