用于产生二极管的方法技术

本公开涉及一种用于产生电子组件的方法。通过该方法在公共衬底上共同地产生至少一个双极型晶体管和至少一个可变电容二极管。

【技术实现步骤摘要】
用于产生二极管的方法优先权要求本申请要求于2019年6月28日提交的法国专利申请号1907149的优先权权益，其内容在法律允许的最大程度内通过整体引用并入本文。
本公开大体上涉及用于产生电子组件的方法，并且更特别地，涉及用于产生可变电容二极管(也被称为变容二极管(varicapdiode)或变容管(varactor))的方法。
技术介绍
变容二极管是具有两个端子的电子偶极子，在该两个端子之间形成p-n结。当变容二极管受到直接极化时，其具有与常规二极管的操作类似的操作，换言之，当超过某个电压阈值时，变容二极管导通。相反，如果跨变容二极管的端子施加相反的极化电压，则变容二极管与常规二极管在截止状态下的不同之处在于，理论上它运转不类似断开电路，而是类似电容器。实际上，对于反向偏置的常规二极管，也会发生类似的电容现象，但程度较小。然而在常规二极管的情况下尽力避免这种电容现象，但是在变容二极管的情况下尽可能地鼓励这种电容现象。在本领域中需要增加电流变容二极管的电容量。进一步需要改进可以产生变容二极管的方法。
技术实现思路
一个实施例解决了已知的变容二极管和产生这些变容二极管的已知方法的所有或一些缺点。一个实施例提供了一种用于在相同(即，共同或共用)衬底上共同地产生至少一个双极型晶体管和至少一个可变电容二极管的方法。根据一个实施例，所述二极管包括由以下各项构成的p-n结：具有第一导电类型的第一区；以及具有第二导电类型的第二区；在同一步骤期间制造所述晶体管的所述第一区和非本征基极。根据一个实施例，使所述第一区与构成所述第二区的非本征集电极区平齐。根据一个实施例，所述第一区通过外延制成。根据一个实施例，所述第二区的区段通过离子注入进行掺杂。根据一个实施例，第一导电类型是p，并且第二导电类型是n。根据一个实施例，第一导电类型是n，并且第二导电类型是p。根据一个实施例，所述二极管包括具有超突变(hyperabrupt)p-n结的变容管。一个实施例提供了一种所描述的方法，具有以下步骤：提供衬底，在该衬底内部，由第一深隔离沟槽和由第二深隔离沟槽横向界定的第一非本征集电极区具有第一宿，该第一宿被插入在所述第一深隔离沟槽与第一浅隔离沟槽之间，并且在该衬底内部，由第三深隔离沟槽和由所述第一深隔离沟槽横向界定的所述第二非本征集电极区具有第二宿和第三宿，该第二宿被插入在所述第三深隔离沟槽与第二浅隔离沟槽之间，该第三宿被插入在所述第一深隔离沟槽与第三浅隔离沟槽之间；在所述衬底的表面上形成由以下各层形成的堆叠：第一层、覆盖所述第一层的第二层、覆盖所述第二层的第三层、覆盖所述第三层的第四层、覆盖所述第四层的第五层以及覆盖所述第五层的第六层；在所述堆叠中形成贯穿开口且与所述衬底的部分所述表面平齐，所述第一非本征集电极区在部分所述表面处齐平，该贯穿开口将所述堆叠分隔成由所述层的第一区域组成的第一堆叠和由所述层的第二区域组成的第二堆叠；在所述第一开口中产生第一沉积物和第二沉积物，所述第二沉积物完全覆盖所述第一沉积物；在所述第一开口中产生两个间隔物，每个间隔物具有第一部分和第二部分，每个间隔物的所述第一部分由部分覆盖所述第二沉积物的上表面的水平部分、以及与第六层的所述第一区域的上表面或第六层的所述第二区域的上表面齐平的竖直部分构成；去除所述第六层的所述第一区域、所述第六层的所述第二区域、所述间隔物的所述第一部分的所述竖直部分和所述间隔物的所述第二部分；在以下各部分的上方产生第三沉积物：所述第二沉积物、所述间隔物的所述第一部分的所述水平部分、所述第五层的所述第一区域的一部分和所述第五层的所述第二区域的一部分；去除除了所述第五层的所述第一区域的所述一部分之外的所述第五层的所述第一区域，以及去除除了所述第五层的所述第二区域的所述一部分之外的所述第五层的所述第二区域；沉积第七层，该第七层覆盖所述第三沉积物的上表面、所述第三沉积物的侧表面、所述第五层的所述第一区域的所述一部分的侧表面以及所述第五层的所述第二区域的所述一部分的侧表面；去除所述第四层的所述第一区域的全部以及所述第四层的所述第二区域的全部；在所述第五层的所述第一区域的所述一部分和所述第七层的竖直部分下方产生接触所述第二层的第一链路，并且在所述第五层的所述第二区域的所述一部分和所述第七层的竖直部分下方产生接触所述第二层的第二链路；形成第二开口，贯穿所述第一、第二和第三层的所述第一区域且与所述衬底的具有所述第二非本征集电极区、所述第二浅隔离沟槽的一部分和所述第三浅隔离沟槽的一部分的部分所述表面平齐，这些第一区域在所述衬底的部分所述表面处齐平，第二开口将所述第一层的所述第一区域分隔成第一部分和第二部分、将所述第二层的所述第一区域分隔成第一部分和第二部分、并将所述第三层的所述第一区域分成隔第一部分和第二部分。一个实施例提供了一种所描述的方法，进一步具有以下步骤：去除所述第三层的所述第一区域的所述第一部分的全部，去除除了位于与所述第一链路平齐处的第一元件之外的所述第三层的所述第一区域的所述第二部分，以及去除除了位于与所述第二链路平齐处的第二元件之外的所述第三层的所述第二区域；产生第八层，所述第八层的第一区域覆盖未被所述第二元件覆盖的所述第二层的第二区域的一部分表面，所述第八层的第二区域完全覆盖所述第二层的所述第一区域的所述第一部分，所述第八层的第三区域覆盖未被所述第一元件覆盖的所述第二层的所述第一区域的第二部分的一部分表面，并且所述第八层的第四区域构成所述第一区；沉积牺牲层，所述牺牲层的第一部分覆盖所述第一区，并且所述牺牲层的第二部分覆盖所述第七层、所述第一路和所述第二链路，所述牺牲层的所述第二部分在所述第八层的所述第三区域的第一元件上方、以及在所述第八层的所述第一区域的第二元件上方横向地延伸；去除所述第八层和所述第二层的所述区域和部分的、未被所述牺牲层的所述第一和第二部分覆盖的部分；完全去除所述第一层的所述第一区域的所述第一部分，去除除了被所述第三元件覆盖的第五元件之外的所述第一层的所述第一区域的所述第二部分，并且去除除了被所述第四元件覆盖的第六元件之外的所述第一层的所述第二区域；在所述第一区的任一侧上产生第二间隔物、在所述第一沉积物的任一侧上产生第三间隔物、并在所述第二沉积物的任一侧上产生第四间隔物；在所述第二沟槽上产生第一接触反应元件、在所述第三沟槽上产生第二接触反应元件、在所述第一区上产生第三接触反应元件、在所述第一宿上产生第四接触反应元件、在所述第八层的所述第三区域的所述第一元件上产生第五接触反应元件、在所述第八层的所述第一区域的所述第二元件上产生第六接触反应元件、并且在所述第三沉积物上产生第七接触反应元件，所述第一、第二和第三接触反应元件构成所述可变电容二极管的端子，所述第四接触反应元件构成所述双极型晶体管的集电极端子，所述第五和第七接触反应元件构成所述双极型晶体管的基极端子，并且所述第八接触反应元件构成所述双极型晶体管的发射极端子。一个实施例提供一种电子电路，其包括使用所描述的方法而获得的变容管本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种方法，包括：在公共衬底上共同地产生双极型晶体管和可变电容二极管。/n

【技术特征摘要】
20190628 FR 19071491.一种方法，包括：在公共衬底上共同地产生双极型晶体管和可变电容二极管。


2.根据权利要求1所述的方法，其中共同产生包括：
形成所述双极型晶体管的非本征基极；
利用与所述非本征基极接触的链路来填充在层的区域之间的凹口；以及
形成所述可变电容二极管，以包括具有第一导电类型的第一区和具有第二导电类型的第二区；
其中所述第一区和与所述链路接触的区域由在同一沉积步骤中沉积的层形成。


3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一区与所述第二区接触，所述第二区位于与衬底内的非本征集电极区相同的水平。


4.根据权利要求2所述的方法，进一步包括：外延形成所述第一区。


5.根据权利要求2所述的方法，进一步包括：通过离子注入来掺杂所述第二区的区段。


6.根据权利要求5所述的方法，其中所述二极管是具有超突变p-n结的变容管，所述超突变p-n结由所述第一区和所述区段形成。


7.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一导电类型是p型，并且所述第二导电类型是n型。


8.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一导电类型是n型，并且所述第二导电类型是p型。


9.一种方法，包括：
在公共衬底上共同地产生双极型晶体管和可变电容二极管；
其中共同地产生包括：
为所述可变电容二极管形成p-n结，所述可变电容二极管包括具有第一导电类型的第一区，所述第一区位于具有第二导电类型的第二区的顶部上；
为具有所述第二导电类型的所述双极型晶体管形成本征集电极、以及为具有所述第二导电类型的所述双极型晶体管形成本征发射极，所述本征集电极和所述本征发射极被具有所述第一导电类型的本征基极分开；
在形成所述第一区的图案化的层的侧边缘上形成第一MOS间隔物；以及
形成与绝缘层的侧边缘相邻的第二MOS间隔物，所述绝缘层使所述双极型晶体管的所述本征集电极绝缘。


10.根据权利要求9所述的方法，进一步包括：
利用与所述非本征基极接触的链路来填充第一层的区域之间的凹口；以及
由在同一沉积步骤中沉积的第二层形成所述可变电容二极管的所述第一区和与所述链路接触的区域。


11.根据权利要求10所述的方法，其中所述第一MOS间隔物和第二MOS间隔物的高度低于与所述链路接触的所述区域。


12.根据权利要求10所述的方法，其中所述第一区与所述第二区接触，所述第二区位于与所述公共衬底内的非本征集电极区相同的水平。


13.根据权利要求10所述的方法，进一步包括：外延地形成所述第一区。


14.根据权利要求10所述的方法，进一步包括：通过离子注入来掺杂所述第二区的区段。


15.根据权利要求14所述的方法，其中所述二极管是具有超突变p-n结的变容管，所述超突变p-n结由所述第一区和所述区段形成。


16.根据权利要求10所述的方法，其中所述第一导电类型是p型，并且所述第二导电类型是n型。


17.根据权利要求10所述的方法，其中所述第一导电类型是n型，并且所述第二导电类型是p型。


18.一种方法，包括：
在衬底的表面上沉积由以下各层形成的堆叠：第一层、覆盖所述第一层的第二层、覆盖所述第二层的第三层、覆盖所述第三层的第四层、覆盖所述第四层的第五层、以及覆盖所述第五层的第六层；
在所述衬底中的第一非本征集电极区所处的位置处的所述堆叠中形成贯通开口，所述贯通开口形成第一开口，所述第一开口将所述堆叠分成由所述第一层至第六层的第一区域构成的第一堆叠、以及由所述第一层至第六层的第二区域构成的第二堆叠；
在所述第一开口中产生第一沉积物和第二沉积物，所述第二沉积物完全覆盖所述第一沉积物；
在所述第一开口中产生间隔物，所述间隔物各自具有第一部分和第二部分，所述第一部分由以下...

【专利技术属性】
技术研发人员：P·舍瓦利耶，A·高蒂尔，G·阿弗尼耶，
申请(专利权)人：意法半导体克洛尔二公司，
类型：发明
国别省市：法国;FR