本公开涉及一种用于形成外延层的工艺。具体地，其涉及一种工艺，包括：(a)在单晶半导体结构(S，D)和在多晶半导体结构(G)上外延生长半导体材料层；(b)刻蚀所述外延层以便在所述单晶结构(S，D)上保留非零厚度的所述材料而在所述多晶结构(...