本公开的实施例涉及SPAD像素。一种电子器件包括具有SPAD的第一级、具有用于所述SPAD的猝灭电路的第二级、以及具有用于处理由所述SPAD生成的数据的电路的第三级的堆叠。一种用于制造该器件的方法包括：a)形成第一级；b)通过分子键合在...

本公开的实施例涉及光学滤波器及其对应的制造方法。一种光学滤波器，包括由第一材料制成的载体层。柱的周期性光栅以由特征尺寸配置的周期性图案布置在载体层上。立柱由第二材料制成。由第三材料制成的层包围柱的周期性光栅并覆盖载体层。第三材料具有不同...

本公开的实施例涉及双极型晶体管。一种双极型晶体管，包括发射极、基极和集电极的堆叠。基极被构造为具有梳状物形状，包括被定向为在与堆叠的堆叠方向正交的平面中的指状物。与堆叠的堆叠方向正交的平面中的指状物。与堆叠的堆叠方向正交的平面中的指状物。

本公开的实施例涉及像素电路以及传感器。像素电路包括光转化区、绝缘的垂直电极以及至少一个电荷存储区。光转化区属于半导体衬底的第一部分，并且每个电荷存储区属于衬底的第二部分，该第二部分通过绝缘的垂直电极与衬底的第一部分物理分离。利用本公开的...

本公开涉及像素电路以及半导体器件。一种像素电路，其特征在于，包括：包括导电元件的互连结构；绝缘层，在互连结构的表面上并且与表面接触，导电元件与表面共面；开口，穿过绝缘层到达导电元件；侧壁，延伸远离导电元件；电极，在导电元件上并且与导电元...

本公开的各实施例涉及微电子器件。微电子器件包括竖直布置在P型掺杂半导体衬底中的PNP晶体管和NPN晶体管，通过以下步骤制造：在半导体衬底中形成用于PNP晶体管的N+掺杂隔离阱；在N+掺杂隔离阱中形成P+掺杂区；在半导体衬底上外延生长第一...

本公开涉及像素电路和电子装置。该像素电路包括：集成电路，包括：互连结构，具有表面和与表面齐平的导电元件；绝缘层，在互连结构的表面上并且与互连结构的表面接触，绝缘层在第一方向上具有第一尺寸；开口，穿过绝缘层到导电元件；电极，与导电元件接触...

本公开的实施例涉及具有钉扎光电二极管的集成光学传感器。集成光学传感器由钉扎光电二极管形成。半导体衬底包括具有第一导电类型的第一半导体区域，该第一半导体区域位于第二半导体区域与第三半导体区域之间，第二半导体区域具有与第一导电类型相对的第二...

本公开的实施例涉及包括双极晶体管的结构。一种包括双极晶体管的结构，双极晶体管包括集电极、基极和发射极，结构包括：半导体衬底；在半导体衬底上的堆叠，堆叠相继包括：第一电绝缘层；第二电绝缘层，在第一电绝缘层上并且与第一电绝缘层接触，其中第二...

本公开的实施例涉及包括电荷存储区的像素电路。像素电路包括光转化区、绝缘的垂直电极以及至少一个电荷存储区。光转化区属于半导体衬底的第一部分，并且每个电荷存储区属于衬底的第二部分，该第二部分通过绝缘的垂直电极与衬底的第一部分物理分离。与衬底...

本公开涉及一种光传感器的像素电路及其制造方法。用于制造像素电路的方法包括：在集成电路的互连结构的暴露面上沉积绝缘层，该互连结构具有与所述暴露面齐平的导电元件；以及蚀刻穿过绝缘层到达导电元件的开口；将电极层沉积在导电元件和绝缘层上并且与导...

本公开的实施例涉及具有两个相变存储器的电子芯片。电子芯片包括：第一基本单元的第一阵列和第二基本单元的第二阵列，第一基本单元和第二基本单元形成两种类型的相变存储器，相变存储器具有由相变材料的体积形成的存储元件，该相变材料的体积取决于所存储...

本公开涉及光传感器的像素及其制造方法。用于制造像素的方法包括：在集成电路的互连结构的裸露面上沉积绝缘层，互连结构具有与裸露面齐平的导电元件；蚀刻出穿过绝缘层到导电元件的开口；沉积位于导电元件和绝缘层上并与导电元件和绝缘层接触的电极层；执...

本公开涉及一种图像传感器和成像像素。图像传感器包括多个像素，每个像素包括：在半导体衬底中竖直地延伸的第一导电类型的掺杂光敏区域；比光敏区域更重地掺杂有第一导电类型的电荷收集区域，电荷收集区域在衬底中从衬底的上表面竖直地延伸并且被布置在光...

本公开的实施例涉及制造双极晶体管的方法和通过这种方法获得的双极晶体管。一种制造双极晶体管的方法，包括在衬底上形成第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和第四绝缘层的堆叠。在堆叠中形成开口以到达衬底。外延工艺在衬底上形成晶体管的集电极，并且在...

一种与制造NPN、NMOS、和PMOS晶体管并行地制造PNP晶体管的方法，该PNP双极晶体管制造方法包括以下连续步骤：在P型掺杂半导体衬底上沉积第一半导体层，该第一半导体层被划分为第一、第二和第三区域；向该衬底中深注入绝缘阱；在所述第二...

本公开的各实施例涉及制造包括PNP双极晶体管和NPN双极晶体管的器件的方法。一种微电子器件，包括竖直布置在P型掺杂半导体衬底中的PNP晶体管和NPN晶体管。PNP晶体管和NPN晶体管通过以下步骤制造：在半导体衬底中形成用于PNP晶体管的...

本公开的各实施例涉及光传感器。光传感器包括第一像素和第二像素。每个像素具有光转换区域。带阻法诺谐振滤波器被布置在第一像素之上。第二像素不包括法诺谐振滤波器。从第一像素和第二像素输出的信号被处理以确定表示在带阻法诺谐振滤波器的阻带中的照射...

本公开涉及集成电路的互连结构。例如，提供了一种用于制造用于集成电路的互连结构的方法。该集成电路包括第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层。电接触件穿过第一绝缘层，并且具有电接触区域的部件位于第二绝缘层中。该方法包括与接触区域垂直对齐地在第三...

本公开的实施例涉及相位调制器和光子集成电路，相位调制器包括：波导，其中波导被配置为传播光学信号；以及光学透明导电层，光学透明导电层对光学信号的波长透明，其中光学透明导电层与波导的至少一个面接触，或者与至少一个面分隔开一距离，距离小于光学...