集成电路的互连结构制造技术

本公开涉及集成电路的互连结构。例如，提供了一种用于制造用于集成电路的互连结构的方法。该集成电路包括第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层。电接触件穿过第一绝缘层，并且具有电接触区域的部件位于第二绝缘层中。该方法包括与接触区域垂直对齐地在第三层中蚀刻第一开口。沉积第四绝缘层以填充开口，并且通过穿过第三绝缘层中的开口来蚀刻第二开口直到接触区域。通过用金属填充第二开口来形成金属层级。属层级。属层级。

【技术实现步骤摘要】
集成电路的互连结构


[0001]本专利技术总体上涉及集成电路，并且更具体地，涉及集成电路的互连结构以及用于制造这些互连结构的方法。

技术介绍

[0002]众所周知，集成电路包括半导体层、位于半导体层上的绝缘层堆叠以及位于绝缘层堆叠上的互连结构。这些电路包括：电接触过孔，位于由半导体层形成的电接触区域上并与电接触区域接触，并且穿过绝缘层堆叠的一部分；以及至少一个电子部件，包括布置在绝缘层堆叠的中间层级处的电接触区域，位于电接触过孔顶部的层级与互连结构的第一金属层级(即，最接近半导体层的金属层级)之间。

技术实现思路

[0003]在以上公开的集成电路中，第一金属层级与电接触区域(布置在接触过孔顶部与第一金属层级之间)之间的已知电连接具有各种缺点。用于制造这些已知电连接的方法也有各种缺点。
[0004]需要解决这些已知电连接和/或其制造方法的全部或部分缺点。
[0005]一个实施例解决了如先前所公开的已知电连接的全部或部分缺点。
[0006]一个实施例解决了如前所公开的用于制造互连结构的第一金属层级和电接触区域本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于制造用于集成电路的互连结构的方法，所述集成电路包括：第一绝缘层；第二绝缘层，位于所述第一绝缘层上；第三绝缘层，位于所述第二绝缘层上；电接触件，穿过所述第一绝缘层；以及部件，具有位于所述第二绝缘层中且被所述第二绝缘层覆盖的电接触区域，所述方法包括：穿过所述第三绝缘层且与所述电接触区域垂直对齐地蚀刻第一开口，所述第一开口的蚀刻在到达所述电接触区域之前停止；在所述第一开口中沉积第四绝缘层，并且覆盖所述第三绝缘层；穿过所述第四绝缘层蚀刻第二开口，所述第二开口经由所述第一开口延伸穿过所述第三绝缘层；以及通过用至少一种金属填充所述第二开口来形成所述互连结构的金属层级。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述电接触件具有位于所述第二绝缘层下方的上表面。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述集成电路还包括穿过所述第二绝缘层并且从对应的电接触件延伸到所述第三绝缘层的第一导电过孔。4.根据权利要求3所述的方法，还包括：与蚀刻所述第二开口同时地蚀刻第三开口，每个第三开口均与所述第一过孔中的一个过孔垂直对齐并且延伸直到所述一个过孔。5.根据权利要求4所述的方法，其中蚀刻所述第二开口包括：沉积第一光刻胶层，并将所述第一光刻胶层的曝光掩模与所述第一过孔对齐。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述集成电路包括覆盖所述电接触区域的第五绝缘层，并且蚀刻所述第二开口包括：直到所述第五绝缘层的第一蚀刻以及接下来的穿过所述第五绝缘层并直到所述电接触区域的第二蚀刻。7.根据权利要求6所述的方法，其中所述第一蚀刻相对于所述第三绝缘层和所述第五绝缘层是选择性的。8.根据权利要求4所述的方法，其中在第一蚀刻期间，所述第三开口被蚀刻直到所述第三层，然后在第二蚀刻期间，所述第三开口被蚀刻直到所述第一过孔。9.根据权利要求1所述的方法，其中蚀刻所述第一开口包括：沉积光刻胶层，并将所述光刻胶层的曝光掩模与所述电接触区域对齐。10.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一开口具有的横向尺寸小于所述电接触区域的对应横向尺寸。11.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述互连结构的所述金属层级包括：沉积所述至少一种金属，以填充所述第二开口并覆盖所述第四绝缘层；以及执行化学机械抛光直到所述第四绝缘层。12.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一绝缘层被设置在半导体层上，所述半导体层包...

【专利技术属性】
技术研发人员：JP，
申请(专利权)人：意法半导体克洛尔二公司，
类型：发明
国别省市：