位线两侧气隙及半导体结构的制造方法技术

本申请涉及半导体制造领域，具体公开了一种位线两侧气隙及半导体装置的制造方法，包括以下步骤：在半导体衬底上形成多条位线；在每条位线的两侧形成上部开口的气隙；采用物理气相沉积工艺形成盖帽层，以封闭所述上部开口。本申请采用台阶覆盖性较差的物理气相沉积工艺形成盖帽层，避免气隙尺寸的减小，抑制了寄生电容的产生，提高了器件的性能。提高了器件的性能。提高了器件的性能。

【技术实现步骤摘要】
位线两侧气隙及半导体结构的制造方法


[0001]本申请涉及半导体制造领域，具体公开了一种位线两侧气隙及半导体结构的制造方法。

技术介绍

[0002]一般来说，半导体中多个位线之间隔着绝缘层，随着芯片集成度变高，位线之间的隔离距离越来越近。因此，在位线之间，容易形成寄生电容，随着这种寄生电容的增加，半导体器件的动作速度变慢，数据刷新的特性变差。
[0003]为了减少这种寄生电容，有一种方法是降低绝缘层的介电率，在半导体结构中一般使用的绝缘层材料有硅氧化物和硅氮化物，硅氧化物的介电率约为4，硅氮化物的介电率约为7，但是上述两种材料的介电率还是比较高，因此减少寄生电容的能力有限。为了减少寄生电容，目前通常使用氮化物
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氧化物
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氮化物的绝缘结构，为了进一步改善，近年来将介电率比较低的气隙应用到上述绝缘结构中，即形成氮化物
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气隙
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氮化物的结构，但是在形成气隙时，考虑到台阶覆盖，通常采用CVD的方式在上部沉积形成盖帽层，如图1
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4所示，具体步骤如下：形本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种位线两侧气隙的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：在半导体衬底上形成多条位线；在每条位线的两侧形成上部开口的气隙；采用物理气相沉积工艺形成盖帽层，以封闭所述上部开口。2.根据权利要求1所述的位线两侧气隙的制造方法，其特征在于，所述物理气相沉积工艺沉积的物质为氧化物或氮化物。3.根据权利要求2所述的位线两侧气隙的制造方法，其特征在于，所述氧化物选自SiO2。4.根据权利要求2所述的位线两侧气隙的制造方法，其特征在于，所述氮化物选自SiN、SiCN以及SiON中的任一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：高建峰，刘卫兵，杨涛，李俊峰，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：