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本公开涉及集成电路的互连结构。例如，提供了一种用于制造用于集成电路的互连结构的方法。该集成电路包括第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层。电接触件穿过第一绝缘层，并且具有电接触区域的部件位于第二绝缘层中。该方法包括与接触区域垂直对齐地在第三层中...
该专利属于意法半导体（克洛尔2）公司所有，仅供学习研究参考，未经过意法半导体（克洛尔2）公司授权不得商用。

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